SMP80MC
TRISIL 电信设备保护
特点
■
双向过压保护
■
电压范围为120V至270V
■
低V
BO
/ V
R
比
■
微型电容等于为12pF @ 50V
■
低漏电流：I
R
= 2μA（最大）
■
保持电流：我
H
= 150 mA（最小值）
■
重复峰值脉冲电流：
■
I
PP
= 80 A（ 10 / 1000μs ）
主要应用
任何敏感的设备需要保护
防雷击和电源交叉：
■
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
表1 ：订购代码
产品型号
SMP80MC-120
SMP80MC-140
SMP80MC-160
SMP80MC-200
SMP80MC-230
SMP80MC-270
记号
TP12
TP14
TP16
TP20
TP23
TP27
端（电话，传真，调制解调器...）和中央
FFI CE设备
描述
该SMP80MC是一系列微型电容
瞬态浪涌抑制器专为保护
高扣率的通信设备化
在CPE侧。其微电容避免任何显示
信号的失真，并与数字兼容
传输像ADSL2和ADSL2 + 。
好处
Trisils不受老化，并提供一个失败
安全模式短路了更好的保护。
它们被用来帮助设备，以满足主
如UL1950 ， IEC950 / CSA C22.2标准
和UL1459 。他们有UL94 V0批准的树脂。
SMB封装符合JEDEC注册（ DO- 214AA ） 。
Trisils符合以下标准GR-
1089核心， ITU -T - K20 / K21 ， VDE0433 ， VDE0878 ，
IEC61000-4-5和FCC第68部分。
图1 ：示意图
TM ：
TRISIL是意法半导体公司的商标。
2005年6月
第3版
1/9
SMP80MC
图8 ：热阻抗的变化
结点到环境与脉冲持续时间
（印刷电路板FR4， SCU = 35微米，
推荐焊盘布局）
Z
号（j -a）的
/R
号（j -a）的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
图9 ：结的相对变化
电容与反向电压应用
（典型值）
C [ V
R
] / C [V
R
=2V]
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
F = 1MHz的
V
OSC
= 1V
RMS
TJ = 25°C
TP （多个）
0.1
0.0
1
10
V
R
(V)
100
1000
图10：对动态I测试电路1
BO
和V
BO
参数
100 V / μs的， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 80 A
2
45
66
470
83
0.36 nF的
46 H
U
10 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
1千伏/微秒， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 10 A
26 H
250
12
47
46 H
U
60 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
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SMP80MC-270
电信设备保护： TRISIL
特点
s
s
s
s
s
s
s
双向过压保护
电压： 270V
低V
BO
/ V
R
比
微型电容15pF的典型值50V @
低漏电流：I
R
= 2μA（最大）
保持电流：我
H
= 150 mA（最小值）
重复峰值脉冲电流：
I
PP
= 80 A（ 10 / 1000μs ）
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
主要应用
任何敏感的设备需要保护
防雷击和电源交叉：
模拟和数字线路卡
（的xDSL ，T1 / E1 ，ISDN ...）
端（电话，传真，调制解调器...）和中央OF-
FICE设备
s
s
原理图
描述
该SMP80MC -270是一种微型电容
瞬态电涌放电器设计的
保护高借记率通信
设备。其微电容避免了
信号的失真，并兼容
数字线路卡（的xDSL ，T1 / E1 ，ISDN ...）。
好处
Trisils不受老化，并提供更好的保护在短路故障安全模式。他们是
用来帮助设备来满足主要标准，如UL1950 ， IEC950 / CSA C22.2和UL1459 。他们
具有UL94 V0批准的树脂。 SMB封装符合JEDEC注册（ DO- 214AA ） 。 Trisils是UL497B
批准（文件： E136224 ），并符合以下标准GR- 1089核心， ITU -T - K20 / K21 ，
VDE0433 ， VDE0878 ， IEC61000-4-5和FCC第68部分。
2003年9月 - 埃德： 0B
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SMP80MC-270
绝对额定值
(T
AMB
=
25°C)
符号
I
pp
参数
重复峰值脉冲电流：
10/1000
s
8/20
s
10/560 s
5/310 s
10/160 s
1/20 s
2/10
s
I
FS
I
TSM
失效安全模式：最大电流（注1 ）
不重复浪涌峰值通态电流
（正弦）
8/20
s
T = 20毫秒
T = 16.6ms
T = 0.2S
T = 2秒
T = 16.6ms
T = 20毫秒
80
250
100
120
150
250
250
5
28
30
14
7
7.5
7.8
260
- 55至+ 150
150
A
价值
单位
kA
A
I了
T
L
T
英镑
Tj
对于融合I了价值
在10秒的最大无铅焊接温度的
存储温度范围
最高结温
As
°C
°C
°C
注1 ：在故障安全模式下，器件充当短路。
重复峰值脉冲电流
TR ：上升时间（μs ）
TP ：脉冲持续时间（μs ）
例如：脉搏波形10 / 1000μs
TR = 10μs的TP = 1000μs
电气参数
（环境温度Tamb = 25°C ）
TYPE
I
RM
@ V
RM
马克斯。
A
SMP80MC-270
注1 ：
注2 ：
注3 ：
％伊普
100
50
0
tr
tp
t
I
R
@ V
R
马克斯。
注1
A
50
V
270
STATIC
动态
V
BO
@ I
BO
V
BO
马克斯。
马克斯。
最大
注2
注3
V
345
注4 ：
注5 ：
注6 ：
I
H
分钟。
注4
mA
150
C
典型值。
注5
pF
15
C
典型值。
注6
pF
30
V
243
V
335
mA
800
2
红外测量VR保证VBR分钟
≥
VR
看功能测试电路1
见测试电路2
看功能保持电流检测电路3
VR = 50V偏压， VRMS = 1V ， F = 1MHz的
VR = 2V偏置， VRMS = 1V ， F = 1MHz的
3/8
SMP80MC-270
图。 1 ：
不重复浪涌峰值通态电流
与过载时间。
I
TSM
(A)
40
35
30
25
20
15
10
5
F=50Hz
TJ初始= 25°C
图。 2 ：
通态电压与通态电流
（典型值）
I
T
(A)
100
Tj=25°C
T（ S）
0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
10
0
1
2
3
V
T
(V)
4
5
6
7
8
图。 3 ：
保持电流与相对变化
结温。
I
H
[ TJ ] / I
H
[Tj=25°C]
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-40 -30 -20 -10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
图。 4 ：
击穿电压与相变
结温。
V
BO
[ TJ ] / V
BO
[Tj=25°C]
1.08
1.07
1.06
1.05
1.04
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
TJ （ ° C）
0.95
0.94
-40 -30 -20 -10
0
10
20
30
TJ （ ° C）
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
图。 5 ：
漏电流与相对变化
反向电压施加（典型值）。
I
R
[ TJ ] / I
R
[Tj=25°C]
1.E+03
V
R
=243V
图。 6 ：
热阻抗交界处变化
环境与脉冲持续时间（印刷电路板
FR4 ， SCU = 35μm的，建议焊盘布局） 。
Z
号（j -a）的
/R
号（j -a）的
1.0
0.9
0.8
1.E+02
0.7
0.6
0.5
0.4
1.E+01
0.3
0.2
TJ （ ° C）
1.E+00
25
50
75
100
125
0.1
0.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
TP （多个）
1.E+01
1.E+02
1.E+03
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SMP80MC-270
图。 7 ：
结电容的相对变化
相对于反向电压施加（典型值）。
C [ V
R
] / C [V
R
=2V]
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1
10
100
1000
F = 1MHz的
V
OSC
= 1V
RMS
TJ = 25°C
V
R
(V)
测试电路1动态I
BO
和V
BO
参数
100 V / μs的， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 80 A
2
45
66
470
83
0.36 nF的
46 H
U
10 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
1千伏/微秒， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 10 A
26 H
250
12
47
46 H
U
60 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
5/8
SMP80MC
TRISIL 电信设备保护
特点
■
■
■
■
■
■
双向过压保护
电压范围为120 V至320 V
低V
BO
/ V
R
比
微小的电容等于12 pF的@ 50伏
低漏电流：I
R
± 2 μA（最大值）
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
保持电流：我
H
= 150 mA（最小值）
■
重复峰值脉冲电流：
■
I
PP
= 80 A（ 10/1000微秒）
主要应用
任何敏感的设备需要保护
防雷击和电源交叉：
■
订购代码
产品型号
SMP80MC-120
SMP80MC-140
SMP80MC-160
SMP80MC-200
SMP80MC-230
记号
TP12
TP14
TP16
TP20
TP23
TP27
TP32
端（电话，传真，调制解调器...）和中央
FFI CE设备
描述
该SMP80MC是一系列微型电容
瞬态浪涌抑制器设计的
保护高借记率通信
设备在CPE侧。其微电容
避免信号的任何失真和是
数字传输像ADSL2兼容
而ADSL2 + 。
SMP80MC-270
SMP80MC-320
原理图
好处
Trisils不受老化，并提供一个失败
安全模式短路了更好的保护。
它们被用来帮助设备，以满足主
如UL1950 ， IEC950 / CSA C22.2标准
和UL1459 。他们有UL94 V0批准的树脂。
SMB封装符合JEDEC注册（ DO- 214AA ） 。
Trisils符合以下标准GR-
1089核心， ITU -T - K20 / K21 ， VDE0433 ， VDE0878 ，
IEC61000-4-5和FCC第68部分。
TM ：
TRISIL是意法半导体公司的商标。
2007年1月
转4
1/10
www.st.com
10
SMP80MC
特征
图7 。
网络连接gure 8 。
热阻抗的变化
结到环境与脉冲
持续时间（印刷电路板FR4，
SCU = 35μm的，垫推荐
布局）
1.2
1.1
1.0
0.9
交界处的相对变化
电容与反向电压
应用（典型值）
Z
号（j -a）的
/R
号（j -a）的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
C [ V
R
] / C [V
R
=2V]
F = 1MHz的
V
OSC
= 1V
RMS
TJ = 25°C
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
TP （多个）
0.1
0.0
1
10
V
R
(V)
100
1000
图9 。
动态IBO和VBO参数测试电路1
100 V / μs的， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 80 A
2
Ω
45
Ω
66
Ω
470
Ω
83
Ω
0.36 nF的
46 H
U
10 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
1千伏/微秒， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 10 A
26 H
250
Ω
12
Ω
47
Ω
46 H
U
60 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
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QQ：2880707522 复制
