SMP80MC
TRISIL 电信设备保护
特点
■
双向过压保护
■
电压范围为120V至270V
■
低V
BO
/ V
R
比
■
微型电容等于为12pF @ 50V
■
低漏电流：I
R
= 2μA（最大）
■
保持电流：我
H
= 150 mA（最小值）
■
重复峰值脉冲电流：
■
I
PP
= 80 A（ 10 / 1000μs ）
主要应用
任何敏感的设备需要保护
防雷击和电源交叉：
■
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
表1 ：订购代码
产品型号
SMP80MC-120
SMP80MC-140
SMP80MC-160
SMP80MC-200
SMP80MC-230
SMP80MC-270
记号
TP12
TP14
TP16
TP20
TP23
TP27
端（电话，传真，调制解调器...）和中央
FFI CE设备
描述
该SMP80MC是一系列微型电容
瞬态浪涌抑制器专为保护
高扣率的通信设备化
在CPE侧。其微电容避免任何显示
信号的失真，并与数字兼容
传输像ADSL2和ADSL2 + 。
好处
Trisils不受老化，并提供一个失败
安全模式短路了更好的保护。
它们被用来帮助设备，以满足主
如UL1950 ， IEC950 / CSA C22.2标准
和UL1459 。他们有UL94 V0批准的树脂。
SMB封装符合JEDEC注册（ DO- 214AA ） 。
Trisils符合以下标准GR-
1089核心， ITU -T - K20 / K21 ， VDE0433 ， VDE0878 ，
IEC61000-4-5和FCC第68部分。
图1 ：示意图
TM ：
TRISIL是意法半导体公司的商标。
2005年6月
第3版
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SMP80MC
图8 ：热阻抗的变化
结点到环境与脉冲持续时间
（印刷电路板FR4， SCU = 35微米，
推荐焊盘布局）
Z
号（j -a）的
/R
号（j -a）的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
图9 ：结的相对变化
电容与反向电压应用
（典型值）
C [ V
R
] / C [V
R
=2V]
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
F = 1MHz的
V
OSC
= 1V
RMS
TJ = 25°C
TP （多个）
0.1
0.0
1
10
V
R
(V)
100
1000
图10：对动态I测试电路1
BO
和V
BO
参数
100 V / μs的， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 80 A
2
45
66
470
83
0.36 nF的
46 H
U
10 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
1千伏/微秒， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 10 A
26 H
250
12
47
46 H
U
60 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
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SMP80MC
TRISIL 电信设备保护
特点
■
■
■
■
■
■
双向过压保护
电压范围为120 V至320 V
低V
BO
/ V
R
比
微小的电容等于12 pF的@ 50伏
低漏电流：I
R
± 2 μA（最大值）
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
保持电流：我
H
= 150 mA（最小值）
■
重复峰值脉冲电流：
■
I
PP
= 80 A（ 10/1000微秒）
主要应用
任何敏感的设备需要保护
防雷击和电源交叉：
■
订购代码
产品型号
SMP80MC-120
SMP80MC-140
SMP80MC-160
SMP80MC-200
SMP80MC-230
记号
TP12
TP14
TP16
TP20
TP23
TP27
TP32
端（电话，传真，调制解调器...）和中央
FFI CE设备
描述
该SMP80MC是一系列微型电容
瞬态浪涌抑制器设计的
保护高借记率通信
设备在CPE侧。其微电容
避免信号的任何失真和是
数字传输像ADSL2兼容
而ADSL2 + 。
SMP80MC-270
SMP80MC-320
原理图
好处
Trisils不受老化，并提供一个失败
安全模式短路了更好的保护。
它们被用来帮助设备，以满足主
如UL1950 ， IEC950 / CSA C22.2标准
和UL1459 。他们有UL94 V0批准的树脂。
SMB封装符合JEDEC注册（ DO- 214AA ） 。
Trisils符合以下标准GR-
1089核心， ITU -T - K20 / K21 ， VDE0433 ， VDE0878 ，
IEC61000-4-5和FCC第68部分。
TM ：
TRISIL是意法半导体公司的商标。
2007年1月
转4
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SMP80MC
特征
图7 。
网络连接gure 8 。
热阻抗的变化
结到环境与脉冲
持续时间（印刷电路板FR4，
SCU = 35μm的，垫推荐
布局）
1.2
1.1
1.0
0.9
交界处的相对变化
电容与反向电压
应用（典型值）
Z
号（j -a）的
/R
号（j -a）的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
C [ V
R
] / C [V
R
=2V]
F = 1MHz的
V
OSC
= 1V
RMS
TJ = 25°C
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
TP （多个）
0.1
0.0
1
10
V
R
(V)
100
1000
图9 。
动态IBO和VBO参数测试电路1
100 V / μs的， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 80 A
2
Ω
45
Ω
66
Ω
470
Ω
83
Ω
0.36 nF的
46 H
U
10 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
1千伏/微秒， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 10 A
26 H
250
Ω
12
Ω
47
Ω
46 H
U
60 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
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