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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第492页 > SMP18
新产品
SMP11通SMP36A
威世通用半导体
表面贴装牛逼
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
非常低调 - 1.0mm的典型高度
适合自动放置
提供单向
用400瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
DO- 220AA （ SMP）的
ESMP
TM
系列
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变和
照明在芯片， MOSFET ，传感器单元的信号线
对于消费者来说，计算机，工业，汽车和
电信。
机械数据
案例：
DO- 220AA （ SMP）的
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
颜色频带端为负极
主要特征
V
WM
P
PPM
I
FSM
T
J
马克斯。
11 V至36 V
400 W
40 A
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)(2)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
(2)
在25 A最大瞬时正向电压
(3)
工作结存储温度范围
注意事项：
（1）非重复性的电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃，每图。 2
（2）装在0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘给各终端
（3 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
符号
P
PPM
I
PPM
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
价值
400
见表下页
40
2.5
- 55至+ 150
单位
W
A
A
V
°C
文档编号： 88481
修订： 20 - OCT- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
SMP11通SMP36A
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
设备
记号
CODE
AY
AZ
BD
BE
BF
BG
BH
BK
BL
BM
BN
BP
BQ
BR
BS
BT
BU
BV
BW
BX
BY
BZ
CD
CE
CF
CG
CH
CK
CL
CM
CN
CP
击穿
电压
V
BR
在我
T (1)
(V)
分钟。
SMP11
SMP11A
SMP12
SMP12A
SMP13
SMP13A
SMP14
SMP14A
SMP15
SMP15A
SMP16
SMP16A
SMP17
SMP17A
SMP18
SMP18A
SMP20
SMP20A
SMP22
SMP22A
SMP24
SMP24A
SMP26
SMP26A
SMP28
SMP28A
SMP30
SMP30A
SMP33
SMP33A
SMP36
SMP36A
注意事项：
(1) V
BR
之后，我测
T
适用于300微秒，我
T
=方波脉冲或同等学历
（2 ）浪涌每图的电流波形。 3 ，每个图减免。 2
（ 3 ）所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
马克斯。
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
TEST
当前
I
T
（MA ）
对峙
电压V
WM
(V)
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
(3)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
峰值脉冲
浪涌
当前
I
PPM
(A)
(2)
19.9
22.0
18.2
20.1
16.8
18.6
15.5
17.2
14.9
16.4
13.9
15.4
13.1
14.5
12.4
13.7
11.2
12.3
10.2
11.3
9.3
10.3
8.6
9.5
8.0
8.8
7.5
8.3
6.8
7.5
6.2
6.9
最大
夹紧
电压
I
PPM
V
C
(V)
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.0
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
设备类型
订购信息
（例）
首选的P / N
SMP11A-E3/84A
SMP11A-E3/85A
单位重量（g ）
0.024
0.024
首选包装代码
84A
85A
基地数量
3000
10 000
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88481
修订： 20 - OCT- 08
新产品
SMP11通SMP36A
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流，
%
I
RSM
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
t
r
= 10
s
PEAK
价值
I
PPM
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到50
%
我
PPM
100
1
半
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
10/1000
μs的波形
定义
by
R.E.A.
0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
0.1
0.1
s
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
1.0
s
10
s
100
s
1.0毫秒
10毫秒
t
d
- 脉冲
宽度
(s)
吨 - 时间（ms ）
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图3.脉冲波形
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额百分比（ ％ ）
100
10 000
75
C
J
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
在测
零偏压
50
100
25
在测
对峙
电压，V
WM
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
10
100
T
J
- 初始温度（ ℃）
V
WM
- 反向对峙
电压
(V)
图2.脉冲降额曲线
图4.典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 220AA （ SMP）的
阴极带
0.012 （ 0.30 ） REF 。
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
0.103 (2.60)
0.087 (2.20)
0.032 (0.80)
0.016 (0.40)
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.012 (0.30)
0.000 (0.00)
0.100
(2.54)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.030
(0.762)
0.050
(1.27)
文档编号： 88481
修订： 20 - OCT- 08
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3
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
新产品
SMP3V3通SMP36A
威世通用半导体
表面贴装牛逼
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
非常低调 - 1.0mm的典型高度
ESMP
系列
适合自动放置
提供单向
用400瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
DO- 220AA （ SMP）的
主要特征
V
WM
P
PPM
I
FSM
T
J
马克斯。
3.3 V至36 V
400 W
40 A
150 °C
机械数据
案例：
DO- 220AA （ SMP）的
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
商业级
终端：
雾锡电镀引脚，焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
颜色频带端为负极
每
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关和照明上的瞬变
集成电路，MOSFET，传感器单元用于消费的信号线，
计算机，工业和电信。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000 μs的波形（图1）
(1)(2)
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
(2)
在25 A最大瞬时正向电压
(3)
工作结存储温度范围
符号
P
PPM
I
PPM
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
价值
400
见表下页
40
2.5
- 55至+ 150
单位
W
A
A
V
°C
笔记
(1)
非重复电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额=每无花果25 ℃。 2
A
(2)
安装在0.2" 0.2" X （5.0毫米× 5.0毫米）铜焊盘给各终端
(3)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
文档编号： 88481
修订： 19 -APR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
56
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
SMP3V3通SMP36A
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
设备
记号
CODE
AC
AE
AG
AK
AM
AN
AR
AY
AZ
BD
BE
BF
BG
BH
BK
BL
BM
BN
BP
BQ
BR
BS
BT
BU
BV
BW
BX
BY
BZ
CD
CE
CF
CG
CH
CK
CL
CM
CN
CP
击穿
电压
V
BR
在我
T (1)
(V)
分钟。
SMP3V3
SMP5.0A
SMP6.0A
SMP6.5A
SMP7.0A
SMP7.5A
SMP8.0A
SMP11
SMP11A
SMP12
SMP12A
SMP13
SMP13A
SMP14
SMP14A
SMP15
SMP15A
SMP16
SMP16A
SMP17
SMP17A
SMP18
SMP18A
SMP20
SMP20A
SMP22
SMP22A
SMP24
SMP24A
SMP26
SMP26A
SMP28
SMP28A
SMP30
SMP30A
SMP33
SMP33A
SMP36
SMP36A
4.10
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
马克斯。
5.10
7.07
7.37
7.98
8.60
9.21
9.83
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
TEST
当前
I
T
（MA ）
1.0
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
对峙
电压V
WM
(V)
3.3
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
( A)
(3)
200
150
600
100
50
50
20
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
峰值脉冲
浪涌
当前
I
PPM
(A)
(2)
54.8
43.5
38.8
35.7
33.3
31.0
29.4
19.9
22.0
18.2
20.1
16.8
18.6
15.5
17.2
14.9
16.4
13.9
15.4
13.1
14.5
12.4
13.7
11.2
12.3
10.2
11.3
9.3
10.3
8.6
9.5
8.0
8.8
7.5
8.3
6.8
7.5
6.2
6.9
最大
夹紧
电压
I
PPM
V
C
(V)
7.3
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.0
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
设备类型
笔记
(1)
V
BR
之后，我测
T
适用于300微秒，我
T
=方波脉冲或同等学历
(2)
浪涌每无花果电流波形。根据图3和减免。 2
(3)
所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
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文档编号： 88481
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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新产品
SMP3V3通SMP36A
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻，结到铅
(1)
典型热阻，结到环境
(2)
笔记
(1)
安装在印刷电路板与连接到每个终端5.0毫米×5.0 mm铜焊盘区
(2)
安装在最小建议焊盘布局
符号
R
θJL
R
θJA
极限
50
250
单位
° C / W
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
SMP3V3-M3/84A
SMP3V3-M3/85A
SMP11A-M3/84A
SMP11A-M3/85A
单位重量（g ）
0.024
0.024
0.024
0.024
首选包装代码
84A
85A
84A
85A
基地数量
3000
10 000
3000
10 000
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流，
%
I
RSM
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
t
r
= 10
s
PEAK
价值
I
PPM
100
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到50
%
我
PPM
1
半
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
10/1000
μs的波形
定义
by
R.E.A.
0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）
铜焊盘区
0.1
0.1
1
10
100
1000
10 000
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
t
d
- 脉冲
宽度
(s)
图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线
吨 - 时间（ms ）
图。 3 - 脉冲波形
峰值脉冲功率（P
PP
）电流（我的
PP
)
降额百分比（ ％ ）
100
10 000
C
J
- 结电容（pF ）
75
1000
在测
对峙
电压，V
WM
100
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
10
1
10
在测
零偏压
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
100
T
J
- 初始温度（ ℃）
图。 2 - 脉冲降额曲线
文档编号： 88481
修订： 19 -APR- 11
V
WM
- 反向对峙
电压
(V)
图。 4 - 典型结电容
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新产品
SMP3V3通SMP36A
威世通用半导体
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
1000
100
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 5 - 典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 220AA （ SMP）的
阴极带
0.012 （ 0.30 ） REF 。
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
0.103 (2.60)
0.087 (2.20)
0.032 (0.80)
0.016 (0.40)
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.012 (0.30)
0.000 (0.00)
0.100
(2.54)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.030
(0.762)
0.050
(1.27)
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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1
SMP11通SMP36A
新产品
威世通用半导体
表面贴装牛逼
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
非常低调 - 1.0mm的典型高度
适合自动放置
提供单向
用400瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形
出色的钳位能力
非常快的响应时间
DO- 220AA （ SMP）的
低增量浪涌电阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020C
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变和
照明在芯片， MOSFET ，传感器单元的信号线
对于消费者来说，计算机，工业，汽车和
电信。
机械数据
案例：
DO- 220AA （ SMP）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
颜色频带端为负极
主要额定值及特点
V
WM
P
PPM
I
FSM
T
j
马克斯。
11 V至36 V
400W
40 A
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1,2)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
(2)
在25 A最大瞬时正向电压
(3)
符号
P
PPM
I
PPM
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
价值
400
见表下页
40
2.5
- 55至+ 150
单位
W
A
A
V
°C
工作结存储温度范围
注意：
（1）非重复性的电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃，每图。 2
（2）装在0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘给各终端
（3 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
文档编号88481
26-Jul-06
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1
SMP11通SMP36A
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
设备
记号
CODE
AY
AZ
BD
BE
BF
BG
BH
BK
BL
BM
BN
BP
BQ
BR
BS
BT
BU
BV
BW
BX
BY
BZ
CD
CE
CF
CG
CH
CK
CL
CM
CN
CP
击穿
电压
V
（ BR ）
在我
T (1)
(V)
民
SMP11
SMP11A
SMP12
SMP12A
SMP13
SMP13A
SMP14
SMP14A
SMP15
SMP15A
SMP16
SMP16A
SMP17
SMP17A
SMP18
SMP18A
SMP20
SMP20A
SMP22
SMP22A
SMP24
SMP24A
SMP26
SMP26A
SMP28
SMP28A
SMP30
SMP30A
SMP33
SMP33A
SMP36
SMP36A
注意：
(1) V
（ BR ）
之后，我测
T
适用于300微秒，我
T
= suqare波脉冲或同等学历
（2 ）浪涌每图的电流波形。 3 ，每个图减免。 2
（ 3 ）所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
最大
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
TEST
当前
I
T
（MA ）
对峙
电压V
WM
(V)
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
(3)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
峰值脉冲
浪涌
当前
I
PPM
(A)
(2)
19.9
22.0
18.2
20.1
16.8
18.6
15.5
17.2
14.9
16.4
13.9
15.4
13.1
14.5
12.4
13.7
11.2
12.3
10.2
11.3
9.3
10.3
8.6
9.5
8.0
8.8
7.5
8.3
6.8
7.5
6.2
6.9
最大
夹紧
电压
I
PPM
V
C
(V)
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.0
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
设备类型
订购信息
首选的P / N
SMP11A-E3/84A
SMP11A-E3/85A
单位重量（g ）
0.024
0.024
首选包装代码
84A
85A
基地数量
3000
10000
配送方式
7"口径塑料带卷&
13"直径的塑料胶带&卷轴
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2
文档编号88481
26-Jul-06
SMP11通SMP36A
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
150
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
（ Td）为
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到50
%
我
PPM
I
PPM
- 峰值脉冲电流，
%
I
RSM
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
TR = 10
微秒
PEAK
价值
I
PPM
100
1
半
价值
- I
PP
2
I
PPM
50
10/1000
微秒波形
定义
by
R.E.A.
0.2× 0.2" （ 0.5× 0.5mm）的
铜焊盘区
0.1
0.1
s
td
0
1.0
s
10
s
100
s
1.0毫秒
10毫秒
0
1.0
2.0
3.0
4.0
TD - 脉冲
宽度
(s)
吨 - 时间（ms ）
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图3.脉冲波形
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额百分比（ ％ ）
100
10000
75
C
J
- 结电容（pF ）
T
j
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
在测
零偏压
50
100
25
在测
对峙
电压，V
WM
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
10
100
T
J
- 初始温度（ _C ）
V
WM
- 反向对峙
电压
(V)
图2.脉冲降额曲线
图4.典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 220AA （ SMP）的
阴极
BAND
0.012 （ 0.30 ） REF
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
0.103 (2.60)
0.087 (2.20)
0.032 (0.80)
0.016 (0.40)
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.012 (0.30)
0.000 (0.00)
0.100
(2.54)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.030
(0.762)
0.050
(1.27)
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修订： 08 -APR- 05
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SMP11通SMP36A
新产品
威世通用半导体
表面贴装牛逼
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
非常低调 - 1.0mm的典型高度
适合自动放置
提供单向
用400瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形
出色的钳位能力
非常快的响应时间
DO- 220AA （ SMP）的
低增量浪涌电阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020C
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变和
照明在芯片， MOSFET ，传感器单元的信号线
对于消费者来说，计算机，工业，汽车和
电信。
机械数据
案例：
DO- 220AA （ SMP）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
颜色频带端为负极
主要额定值及特点
V
WM
P
PPM
I
FSM
T
j
马克斯。
11 V至36 V
400W
40 A
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1,2)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
(2)
在25 A最大瞬时正向电压
(3)
符号
P
PPM
I
PPM
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
价值
400
见表下页
40
2.5
- 55至+ 150
单位
W
A
A
V
°C
工作结存储温度范围
注意：
（1）非重复性的电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃，每图。 2
（2）装在0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘给各终端
（3 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
文档编号88481
26-Jul-06
www.vishay.com
1
SMP11通SMP36A
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
设备
记号
CODE
AY
AZ
BD
BE
BF
BG
BH
BK
BL
BM
BN
BP
BQ
BR
BS
BT
BU
BV
BW
BX
BY
BZ
CD
CE
CF
CG
CH
CK
CL
CM
CN
CP
击穿
电压
V
（ BR ）
在我
T (1)
(V)
民
SMP11
SMP11A
SMP12
SMP12A
SMP13
SMP13A
SMP14
SMP14A
SMP15
SMP15A
SMP16
SMP16A
SMP17
SMP17A
SMP18
SMP18A
SMP20
SMP20A
SMP22
SMP22A
SMP24
SMP24A
SMP26
SMP26A
SMP28
SMP28A
SMP30
SMP30A
SMP33
SMP33A
SMP36
SMP36A
注意：
(1) V
（ BR ）
之后，我测
T
适用于300微秒，我
T
= suqare波脉冲或同等学历
（2 ）浪涌每图的电流波形。 3 ，每个图减免。 2
（ 3 ）所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
最大
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
TEST
当前
I
T
（MA ）
对峙
电压V
WM
(V)
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
(3)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
峰值脉冲
浪涌
当前
I
PPM
(A)
(2)
19.9
22.0
18.2
20.1
16.8
18.6
15.5
17.2
14.9
16.4
13.9
15.4
13.1
14.5
12.4
13.7
11.2
12.3
10.2
11.3
9.3
10.3
8.6
9.5
8.0
8.8
7.5
8.3
6.8
7.5
6.2
6.9
最大
夹紧
电压
I
PPM
V
C
(V)
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.0
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
设备类型
订购信息
首选的P / N
SMP11A-E3/84A
SMP11A-E3/85A
单位重量（g ）
0.024
0.024
首选包装代码
84A
85A
基地数量
3000
10000
配送方式
7"口径塑料带卷&
13"直径的塑料胶带&卷轴
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2
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26-Jul-06
SMP11通SMP36A
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
150
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
（ Td）为
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到50
%
我
PPM
I
PPM
- 峰值脉冲电流，
%
I
RSM
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
TR = 10
微秒
PEAK
价值
I
PPM
100
1
半
价值
- I
PP
2
I
PPM
50
10/1000
微秒波形
定义
by
R.E.A.
0.2× 0.2" （ 0.5× 0.5mm）的
铜焊盘区
0.1
0.1
s
td
0
1.0
s
10
s
100
s
1.0毫秒
10毫秒
0
1.0
2.0
3.0
4.0
TD - 脉冲
宽度
(s)
吨 - 时间（ms ）
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图3.脉冲波形
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额百分比（ ％ ）
100
10000
75
C
J
- 结电容（pF ）
T
j
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
在测
零偏压
50
100
25
在测
对峙
电压，V
WM
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
10
100
T
J
- 初始温度（ _C ）
V
WM
- 反向对峙
电压
(V)
图2.脉冲降额曲线
图4.典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 220AA （ SMP）的
阴极
BAND
0.012 （ 0.30 ） REF
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
0.103 (2.60)
0.087 (2.20)
0.032 (0.80)
0.016 (0.40)
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.012 (0.30)
0.000 (0.00)
0.100
(2.54)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.030
(0.762)
0.050
(1.27)
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3
法律免责声明
日前，Vishay
通告
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或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
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Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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1
a
特点
SMP08的高速版本
内部保持电容
低转差率
TTL / CMOS兼容逻辑输入
单或双电源供电
先开后合式通道寻址
兼容CD4051引脚
低成本
应用
多路径的时序偏移校正的A.T.E.
内存程序员
质量流量/过程控制系统
多通道数据采集系统
机器人和控制系统
医疗和分析仪器
事件分析
舞台灯光控制
输入
3
八通道采样和保持
具有多路输入
SMP18
功能框图
（ LSB ）
A
11
（MSB）
C
9
B
10
INH
6
8 DGND
1第8解码器
16 V
DD
SW
13通道
0
OUT
SW
14 CH
1
OUT
SW
15 CH
2
OUT
SW
12通道
3
OUT
SW
1
CH
4
OUT
SW
5
CH
5
OUT
概述
该SMP18是单片八进制采样和保持;它有八个
内部缓冲放大器，输入多路转换器，以及内部保持
电容器。它是在一个先进的氧化物中分离制
CMOS技术来获得高精度，低下降率和
快速的采集时间。该SMP18具有一个典型的线性误差
只有0.01％ ，并且可以准确地获得一个10位的输入信号，以
±
1/2 LSB在小于2.5微秒。该SMP18的输出
挥杆包括负电源的单，双支持
层的操作。
该SMP18是专门为使用一个系统设计
校准周期来调整系统参数的整数倍。该
低成本和高集成度使SMP18理想
校准要求那些以前需要一个ASIC ，
性价比还是较高多个D / A转换器。
该SMP18也非常适合于各种各样的样品 -
保持应用，包括放大器失调或VCA增益AD-
justments 。一个或多个SMP18s可以与单一使用或
多个DAC对一个系统内提供多个设置点。
SW
2
CH
6
OUT
SW
HOLD CAPS
（内部）
4通道
7
OUT
7 V
SS
SMP18
该SMP18提供显著的成本和尺寸降低了
分立式设计。它采用16引脚塑料DIP，
窄体SO- 16表面贴装SOIC封装或薄
TSSOP - 16封装。该SMP18是一个较高的速度直接
替代SMP08 。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 617 / 326-8703
ADI公司， 1996年
电气特性
P
ARAMETER
线性误差
缓冲区偏移电压
保持步
下降率
输出源电流
输出灌电流
输出电压范围
逻辑特征
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
逻辑输入电流
动态性能
2
采集时间
3
保持模式的稳定时间
通道选择时间
频道取消时间
抑制恢复时间
压摆率
容性负载稳定性
模拟串扰
电源特性
电源抑制比
电源电流
符号
V
OS
V
HS
V
CH
/t
I
来源
I
SINK
SMP18–SPECIFICATIONS
(@ V
= +5 V, V
SS
= -5V ， DGND = 0 V ，R
L
=空载，T
A
= -40°C至+ 85°C的SMP18F ，
除非另有说明）
DD
条件
–3 V
≤
V
IN
≤
+3 V
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85 ？ C，V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V ，T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
V
IN
= 0 V ，T
A
= –40°C
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V
1
V
IN
= 0 V
1
R
L
= 20 k
民
典型值
0.01
2.5
3.5
4
2
最大
10
20
6
8
40
+3.0
单位
%
mV
mV
mV
mV
毫伏/秒
mA
mA
V
V
V
A
s
s
ns
ns
ns
V / μs的
pF
dB
dB
mA
1.2
0.5
–3.0
2.4
V
INH
V
INL
I
IN
t
AQ
t
H
t
CH
t
DCS
t
IR
SR
V
IN
= 2.4 V
T
A
= + 25 ° C， -3 V至+3 V至0.1 ％
To
±
终值1毫伏
0.5
3.5
1
90
45
90
6
500
–72
60
75
5.5
0.8
1
<30 ％过冲
-3 V至+3 V步骤
PSRR
I
DD
V
SS
=
±
5 V至
±
6 V
T
A
= +25°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
7.5
7.5
9.5
mA
电气特性
参数
线性误差
缓冲区偏移电压
保持步
下降率
输出源电流
输出灌电流
输出电压范围
符号
V
OS
V
HS
V
CH
/t
I
来源
I
SINK
(@ V
DD
= +12 V, V
SS
= 0 V ， DGND = 0 V ，R
L
=空载，T
A
= -40°C至+ 85°C的SMP18F ，
除非另有说明）
条件
60毫伏
≤
V
IN
≤
10 V
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 6 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85 ？ C，V
IN
= 6 V
V
IN
= 6 V ，T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
V
IN
= 6 V ，T
A
= –40°C
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 6 V
V
IN
= 6 V
1
V
IN
= 6 V
1
R
L
= 20 k
R
L
= 10 k
民
典型值
0.01
2.5
3.5
4
2
1.2
0.5
0.06
0.06
最大
10
20
6
8
40
10.0
9.5
范围
%
mV
mV
mV
mV
毫伏/秒
mA
mA
V
V
逻辑特征
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
逻辑输入电流
动态性能
2
采集时间
3
保持模式的稳定时间
通道选择时间
频道取消时间
抑制恢复时间
压摆率
4
容性负载稳定性
模拟串扰
电源特性
电源抑制比
电源电流
V
INH
V
INL
I
IN
t
AQ
t
H
t
CH
t
DCS
t
IR
SR
2.4
V
IN
= 2.4 V
T
A
= + 25 ℃，0至10伏至0.1％
To
±
终值1毫伏
0.5
2.5
1
90
45
90
7
500
–72
60
75
6.0
8.0
0.8
1
3.25
V
V
A
s
s
ns
ns
ns
V / μs的
pF
dB
dB
mA
mA
<30 ％过冲
0 V至10 V步骤
PSRR
I
DD
10.8 V
≤
V
DD
≤
13.2 V
T
A
= +25°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
8.0
10.0
笔记
1
输出能够下沉和采购超过10毫安，但偏移量保证在规定的负载水平。
2
所有的输入控制信号与T指定
r
= t
f
= 5纳秒（10％至90％的5 V）和从1.6V的电压电平的定时
3
此参数是保证没有测试。
4
压摆率测量中的采样模式用0至10伏步骤为20％至80％。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
SMP18
绝对最大额定值
引脚连接
CH
4
出1
CH
6
输出2
输入3
CH
7
出4
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ， 17 V
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V, 17 V
V
逻辑
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
V
IN
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
, V
DD
V
OUT
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
, V
DD
模拟输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
20毫安
（不短路保护）
工作温度范围
FP ， FS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
套餐类型
16引脚塑料DIP （ P）
16引脚SOIC （ S）
16引脚TSSOP （ RU ）
JA
*
JC
16 V
DD
15 CH
2
OUT
14 CH
1
OUT
13通道
0
OUT
顶视图
CH
5
5 （不按比例） 12 CH
3
OUT
INH 6
V
SS
7
DGND 8
11 A控制
10 B控制
9 C控制
SMP18
单位
° C / W
° C / W
° C / W
模型
SMP18FP
SMP18FRU
SMP18FS
订购指南
76
92
180
33
27
35
笔记
*θ
JA
被指定为最坏的情况下的安装条件下，即
θ
JA
被指定为设备
插座塑料DIP封装;
θ
JA
被指定为设备焊接到印刷
电路板SOIC和TSSOP封装。
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
塑料DIP
TSSOP-16
SO-16
包
选项
N-16
RU-16
R-16A
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然SMP18具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本C
–3–
SMP18 - 典型性能特征
100
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
10
V
I N
= +6V
R
L
= 10k
5
130
110
转差率 - 毫伏/秒
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
T
A
= +85
°
C
空载
90
3
转差率 - 毫伏/秒
转差率 - 毫伏/秒
1
0
70
–1
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
T
A
= +25
°
C
空载
50
0.1
–3
30
0.01
–40
–20
0
20
40
60
80
100
–5
0
1
2
3
4
5
6 7
8
输入电压 - 伏特
9
10
10
0
1
2
3
4 5
6
7 8
输入电压 - 伏特
9
10
温度 -
°
C
转差率与温度
转差率 - 输入电压
转差率 - 输入电压
0
–1
保持步 - 毫伏
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
T
A
= +25
°
C
保持步 - 毫伏
1
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
30
25
压摆率 - V / μs的
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
T
A
= +25
°
C
空载
空载
–2
V
IN
= 6V
空载
20
SR +
15
–3
–4
10
ΔSr
–5
–6
–7
–55 –35 –15
5
–6
0
1
2
3
4 5
6
7 8
输入电压 - 伏特
9
10
5
25
45
65
85 105 125
温度 -
°
C
0
10
11
12
13
14
15
V
DD
- 伏特
16
17
18
保持步 - 输入电压
保持步与温度
压摆率与V
DD
4
2
失调电压 - 毫伏
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
1
2
3
4 5
6
7 8
输入电压 - 伏特
9
10
R
L
= 20k
R
L
= 10k
R
L
=
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
失调电压 - 毫伏
20
15
10
5
R
L
=
0
–5
–10
–15
–20
0
1
2
R
L
= 10k
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
失调电压 - 毫伏
T
A
= +85
°
C
4
2
0
–2
–4
–6
–8
–10
R
L
= 10k
R
L
=
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
T
A
= –40
°
C
∞
T
A
= +25
°
C
∞
R
L
= 20k
∞
R
L
= 20k
3
4 5
6
7 8
输入电压 - 伏特
9
10
0
1
2
3
4 5
6
7 8
输入电压 - 伏特
9
10
失调电压与输入电压
失调电压与输入电压
失调电压与输入电压
–4–
版本C
典型性能特征， SMP18
0
–1
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
14
12
V
SS
= 0V
空载
90
80
抑制比 - 分贝
70
60
50
40
30
20
10
14
16
18
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
+ PSRR
V
IN
= +6V
T
A
= +25
°
C
空载
-PSRR
失调电压 - 毫伏
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
–55 –35 –15
电源电流 - 毫安
V
I N
= +5V
R
L
= 10k
10
+85
°
C
8
+25
°
C
6
–40
°
C
4
2
5
25
45
65
85 105 125
4
6
8
12
V
DD
- 伏特
10
温度 -
°
C
0
10
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
失调电压与温度
电源电流与V
DD
采样模式电源抑制
2
1
0
增益 - 分贝
V
DD
= +6V
V
SS
= –6V
T
A
= +25
°
C
空载
90
45
相移 - 度
35
30
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
T
A
= +25
°
C
空载
0
–45
输出阻抗 -
25
20
15
10
5
0
10
–1
相
–2
–3
–4
–5
100
收益
–90
–135
–180
–225
10M
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
增益，相移与频率的关系
输出阻抗与频率的关系
15
峰至峰输出 - 伏
V
DD
= +6V
V
SS
= –6V
T
A
= +25
°
C
空载
抑制比 - 分贝
60
50
+ PSRR
40
V
DD
= +12V
30 V
SS
= 0V
T
A
= +25
°
C
20空载
10保持电容器
参考V
SS
0
-PSRR
12
9
6
3
0
10k
100k
1M
频率 - 赫兹
10M
–10
10
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
最大输出电压 -
频率
HOLD模式电源抑制
版本C
–5–
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