a
特点
内部保持电容
低转差率
TTL / CMOS兼容逻辑输入
单或双电源供电
先开后合式通道寻址
兼容CD4051引脚
低成本
应用
多路径的时序偏移校正的ATE
内存程序员
质量流量/过程控制系统
多通道数据采集系统
机器人和控制系统
医疗和分析仪器
事件分析
舞台灯光控制
输入
3
八通道采样和保持
具有多路输入
SMP08*
功能框图
（ LSB ）
A
11
B
10
（MSB）
C
9
INH
6
8 DGND
1第8解码器
16 V
DD
SW
13通道
0
OUT
SW
14 CH
1
OUT
SW
15 CH
2
OUT
SW
12通道
3
OUT
SW
1
CH
4
OUT
SW
5
CH
5
OUT
SW
2
CH
6
OUT
概述
该SMP08是单片八进制采样和保持;它有八个
内部缓冲放大器，输入多路转换器，以及内部保持
电容器。它是在一个先进的氧化物中分离制
CMOS技术来获得高精度，低下降率和
快速的采集时间。该SMP08具有一个典型的线性误差
只有0.01％ ，并且可以准确地获得一个10位的输入信号，以
±
1/2 LSB在不到7微秒。该SMP08的输出
挥杆包括负电源的单，双支持
层的操作。
该SMP08是专门为使用一个系统设计
校准周期来调整系统参数的整数倍。该
低成本和高集成度使SMP08理想
校准要求先前已要求一个
ASIC或成本高的多个D / A转换器。
*受保护
由美国专利号4739281 。
SW
HOLD CAPS
（内部）
4通道
7
OUT
7 V
SS
SMP08
该SMP08也非常适合于各种各样的样品 -
保持应用，包括放大器失调或VCA增益
调整。一个或多个SMP08s可以与单一使用或
多个DAC对一个系统内提供多个设置点。
该SMP08提供显著的成本和尺寸降低了显示
克里特岛的设计。它采用16引脚塑料DIP或surface-
安装SOIC封装。
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 617 / 326-8703
ADI公司， 1996年
SMP08–SPECIFICATIONS
(@ V
电气特性
参数
线性误差
缓冲区偏移电压
保持步
下降率
输出源电流
输出灌电流
输出电压范围
逻辑特征
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
逻辑输入电流
动态性能
2
采集时间
3
保持模式的稳定时间
通道选择时间
频道取消时间
抑制恢复时间
压摆率
容性负载稳定性
模拟串扰
电源特性
电源抑制比
电源电流
符号
V
OS
V
HS
V
CH
/t
I
来源
I
SINK
= +5 V, V
SS
= -5V ， DGND = 0 V ，R
L
=空载，T
A
= -40°C至+ 85°C的SMP08F ，
除非另有说明）
DD
条件
–3 V
≤
V
IN
≤
+3 V
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85 ？ C，V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V ，T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
V
IN
= 0 V ，T
A
= –40°C
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V
1
V
IN
= 0 V
1
R
L
= 20 k
民
典型值
0.01
2.5
3.5
2.5
2
最大
10
20
4
5
20
+3.0
1.2
0.5
–3.0
2.4
单位
%
mV
mV
mV
mV
毫伏/秒
mA
mA
V
V
V
A
s
s
ns
ns
ns
V / μs的
pF
dB
dB
mA
mA
V
INH
V
INL
I
IN
t
AQ
t
H
t
CH
t
DCS
t
IR
SR
V
IN
= 2.4 V
T
A
= + 25 ° C， -3 V至+3 V至0.1 ％
To
±
终值1毫伏
0.5
3.6
1
90
45
90
3
500
–72
60
75
4
5
0.8
1
7
<30 ％过冲
-3 V至+3 V步骤
PSRR
I
DD
V
S
=
±
5 V至
±
6 V
T
A
= +25°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
7.5
9.5
电气特性
参数
线性误差
缓冲区偏移电压
保持步
下降率
输出源电流
输出灌电流
输出电压范围
逻辑特征
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
逻辑输入电流
动态性能
2
采集时间
3
保持模式的稳定时间
通道选择时间
频道取消时间
抑制恢复时间
压摆率
容性负载稳定性
模拟串扰
电源特性
电源抑制比
电源电流
符号
V
OS
V
HS
V
CH
/t
I
来源
I
SINK
(@ V
DD
= +12 V, V
SS
= 0 V ， DGND = 0 V ，R
L
=空载，T
A
= -40°C至+ 85°C的SMP08F ，
除非另有说明）
条件
60毫伏
≤
V
IN
≤
10 V
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 6 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85 ？ C，V
IN
= 6 V
V
IN
= 6 V ，T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
V
IN
= 6 V ，T
A
= –40°C
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 6 V
V
IN
= 6 V
1
V
IN
= 6 V
1
R
L
= 20 k
R
L
= 10 k
民
典型值
0.01
2.5
3.5
2.5
2
1.2
0.5
0.06
0.06
2.4
V
IN
= 2.4 V
T
A
= + 25 ° C， 0 V至10 V至0.1 ％
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
To
±
终值1毫伏
0.5
3.5
3.75
1
90
45
90
4
500
–72
75
6.0
8.0
0.8
1
4.25
6.00
最大
10
20
4
5
20
10.0
9.5
单位
%
mV
mV
mV
mV
毫伏/秒
mA
mA
V
V
V
V
A
s
s
s
ns
ns
ns
V / μs的
pF
dB
dB
mA
mA
V
INH
V
INL
I
IN
t
AQ
t
H
t
CH
t
DCS
t
IR
SR
R
L
= 20 k
4
<30 ％过冲
0 V至10 V步骤
10.8 V
≤
V
DD
≤
13.2 V
T
A
= +25°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
3
PSRR
I
DD
60
8.0
10.0
笔记
1
输出能够下沉和采购超过20毫安，但偏移量保证在规定的负载水平。
2
所有的输入控制信号与T指定
r
= t
f
= 5纳秒（10％至90％的5 V）和从1.6V的电压电平的定时
3
此参数是保证没有测试。
4
压摆率测量中的采样模式向0 V至10 V步骤为20％至80％。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
Rev. D的
SMP08
绝对最大额定值
订购指南
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ， 17 V
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V, 17 V
V
逻辑
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
V
IN
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
, V
DD
V
OUT
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
, V
DD
模拟输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
20毫安
（不短路保护）
工作温度范围
FP ， FS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
套餐类型
16引脚塑料DIP （ P）
16引脚SOIC （ S）
JA
*
JC
模型
SMP08FP
SMP08FS
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
塑料DIP
SO-16
包
选项
N-16
R-16A
引脚连接
CH
4
出1
CH
6
输出2
输入3
CH
7
出4
16 V
DD
15 CH
2
OUT
14 CH
1
OUT
单位
° C / W
° C / W
76
92
33
27
13通道
0
OUT
顶视图
CH
5
5 （不按比例） 12 CH
3
OUT
INH 6
V
SS
7
DGND 8
11 A控制
10 B控制
9 C控制
SMP08
*θ
JA
被指定为最坏的情况下的安装条件下，即
θ
JA
被指定为设备
插座的塑料DIP封装;
θ
JA
被指定为设备焊接到印刷
电路板的SO封装。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然SMP08具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
Rev. D的
–3–
QQ：2881677436 复制
