a
特点
四个独立的采样保持电路
内部保持电容
高精度： 12位
非常低转差率： 2毫伏/秒（典型值）
输出缓冲器稳定对C
L
≤
500 pF的
TTL / CMOS兼容逻辑输入
单电源或双电源应用
单片低功耗CMOS设计
应用
信号处理系统
多通道数据采集系统
自动测试设备
医疗和分析仪器
事件分析
DAC去毛刺
CMOS QUAD
采样和保持放大器
SMP04*
功能框图
V
DD
SMP04
V
IN1
S / H
1
V
SS
V
IN2
S / H
2
V
SS
V
IN3
S / H
3
V
SS
V
IN4
S / H
4
V
SS
V
OUT4
V
OUT3
V
OUT2
V
OUT1
V
SS
DGND
概述
该SMP04是单片四采样和保持;它具有四个
内部精密缓冲放大器和内部保持电容。
这是ADI公司先进的氧化物隔离CMOS制造
技术获得的高精度，低下降率和快速
需要通过数据采集和信号处理采集时间
荷兰国际集团的系统。该装置可以取得一个8位的输入信号，以
±
1/2 LSB在不到4毫秒。该SMP04可以
从单电源或双电源与TTL / CMOS操作
逻辑兼容。它的输出摆幅包括负电源。
该SMP04非常适合于各种各样的采样和
保持应用，包括放大器失调或VCA增益调整
求。的一个或多个可以与一个或多个DAC的使用
提供一种系统中的多个设定点。
该SMP04提供显著的成本和尺寸降低了
相当于模块或分立式设计。它是一个可
16引脚密封或塑料DIP和表面贴装SOIC
包。它工作在扩展工业级温
温度范围内的-40 ° C至+ 85°C 。
*受保护
由美国专利号4739281 。
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1998年
SMP04–SPECIFICATIONS
(@ V
DD
= +12.0 V, V
SS
= DGND = 0 V ，R
L
=空载，T
A
工作温度范围
在绝对最大额定值规定，除非另有说明。 ）
参数
线性误差
缓冲区偏移电压
保持步
下降率
输出源电流
1
输出灌电流
1
输出电压范围
逻辑特征
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
逻辑输入电流
动态性能
采集时间
3
采集时间
3
保持模式的稳定时间
压摆率
4
容性负载稳定性
模拟串扰
电源特性
电源抑制比
电源电流
功耗
2
电气特性
符号
V
OS
V
HS
ΔV / ΔT
I
来源
I
SINK
OVR
条件
V
IN
= 6 V
V
IN
= 6 V ，T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
V
IN
= 6 V ，T
A
= –40°C
V
IN
= 6 V ，T
A
= +25°C
V
IN
= 6 V
V
IN
= 6 V
R
L
= 20 k
R
L
= 10 k
民
–10
典型值
0.01
±
2.5
2.5
2
最大
+10
4
5
25
10.0
9.5
单位
%
mV
mV
mV
毫伏/秒
mA
mA
V
V
V
V
A
s
s
s
s
V / μs的
pF
dB
dB
mA
mW
1.2
0.5
0.06
0.06
2.4
0.5
V
INH
V
INL
I
IN
t
AQ
t
AQ
t
H
SR
C
L
T
A
= + 25 ° C， 0 V至10 V步至0.1％
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
T
A
= + 25 ° C， 0 V至10 V步至0.01 ％
到1毫伏
R
L
= 20 k
<30 ％过冲
0 V至10 V步骤
10.8 V
≤
V
DD
≤
13.2 V
0.8
1
4.25
5.25
3
3.5
3.75
9
1
4
500
–80
75
4
PSRR
I
DD
P
DIS
60
7
84
= +5.0 V, V
SS
= -5.0 V， DGND = 0.0 V ，R
L
=空载，T
A
工作温度
范围指定在绝对最大额定值，除非另有说明。 ）
DD
电气特性
(@ V
参数
符号
V
OS
V
HS
ΔV / ΔT
R
OUT
I
来源
I
SINK
OVR
V
INH
V
INL
I
IN
t
AQ
t
AQ
t
H
SR
C
L
PSRR
I
DD
P
DIS
条件
V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V ，T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
V
IN
= 0 V ，T
A
= –40°C
V
IN
= 0 V ，T
A
= +25°C
V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V
R
L
= 20 k
民
–10
典型值
0.01
±
2.5
2.5
2
1
最大
+10
4
5
25
单位
%
mV
mV
mV
毫伏/秒
mA
mA
V
V
V
A
s
s
s
V / μs的
pF
dB
mA
mW
线性误差
缓冲区偏移电压
保持步
下降率
输出电阻
输出源电流
1
输出灌电流
1
输出电压范围
逻辑特征
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
逻辑输入电流
动态性能
采集时间
3
采集时间
3
保持模式的稳定时间
压摆率
5
容性负载稳定性
2
1.2
0.5
–3.0
2.4
0.5
+3.0
0.8
1
11
-3 V至+3 V步至0.1％
-3 V至+3 V步至0.01 ％
到1毫伏
R
L
= 20 k
<30 ％过冲
±
5 V
≤
V
DD
≤ ±
6 V
3.6
9
1
3
500
60
75
3.5
电源特性
电源抑制比
电源电流
功耗
5.5
55
笔记
1
输出能够下沉和采购超过20毫安，但线性度和偏移，保证在规定的负载水平。
2
所有的输入控制信号与T指定
R
= t
F
= 5纳秒（10％至90％的5 V）和从1.6V的电压电平的定时
3
此参数是保证没有测试。
4
压摆率测量中的采样模式与0 V至10 V的步骤由20％至80％。
5
压摆率是衡量与-3 V至+ 3V步骤从20 ％至80％的样本模式。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
Rev. D的
SMP04
绝对最大额定值
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
套餐类型
16引脚CERDIP
16引脚塑料DIP
16引脚SO
*
JA
JA
*
JC
单位
° C / W
° C / W
° C / W
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ， 17 V
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.7 V, 17 V
V
逻辑
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
V
IN
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
, V
DD
V
OUT
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
, V
DD
模拟输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
20毫安
（不短路保护）
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
EQ ， EP ， ES 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
94
76
92
12
33
27
被指定为最坏的情况下的安装条件下，即
JA
被指定为设备
在插座CERDIP和塑料DIP封装;
JA
被指定为设备焊接
印刷电路板的SO封装。
小心
1 ，超出上述绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。功能操作
达到或超过本规范是不是暗示。暴露于上述最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2.数字输入和输出保护;然而，永久性的损害可能
发生在从高能量静电场无保护单位。保持单位
在所有时间，直到准备导电泡沫或包装使用。使用适当的防静电
处理程序。
3.插入或从插槽取出单元前断开电源。
引脚连接
16引脚CERDIP
16引脚塑料DIP
16引脚SO
V
OUT2
1
V
OUT1
2
V
IN1
3
NC 4
16 V
DD
15 V
OUT3
14 V
OUT4
订购指南
模型
SMP04EQ
SMP04EP
SMP04ES
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
Cerdip-16
PDIP-16
SO-16
包
选项*
Q-16
N-16
R-16A
13 V
SS
顶视图
V
IN2
5 （不按比例） 12 V
IN4
S / H
1
6
S / H
2
7
DGND 8
11 V
IN3
10
S / H
4
9
S / H
3
SMP04
* Q = CERDIP ; N =塑料DIP ; R =小外形。
NC =无连接
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然SMP04具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
Rev. D的
–3–
SMP04
V
OUT1
V
OUT2
V
DD
V
OUT3
V
OUT4
V
IN1
V
IN2
V
SS
V
IN4
V
IN3
S / H
1
S / H
2
DGND
S / H
3
S / H
4
DICE特性
芯片尺寸： 0.80× 0.120万= 9600万平方米
（ 2.032 X 3.048毫米= 6.193平方毫米）
晶圆测试极限
参数
缓冲区偏移电压
保持步
下降率
输出源电流
输出灌电流
输出电压范围
(@ V
DD
= +12 V, V
SS
= DGND = 0 V ，R
L
=空载，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
符号
V
OS
V
HS
ΔV / ΔT
I
来源
I
SINK
OVR
条件
V
IN
= +6 V
V
IN
= +6 V
V
IN
= +6 V
V
IN
= +6 V
V
IN
= +6 V
R
L
= 20 k
R
L
= 10 k
SMP04G
范围
±
10
±
4
25
1.2
0.5
0.06/10.0
0.06/9.5
2.4
0.8
1
10.8 V
≤
V
DD
≤
13.2 V
60
7
84
单位
毫伏最大
毫伏最大
毫伏/秒最大
毫安分钟
毫安分钟
V最小/最大
V最小/最大
V分钟
V最大
A
最大
分贝分钟
最大mA
毫瓦MAX
逻辑特征
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
逻辑输入电流
电源特性
电源抑制比
电源电流
功耗
V
INH
V
INL
I
IN
PSRR
I
DD
P
DIS
记
电气测试在晶片探针进行到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常产量损失，包装后产率，不能保证
对于标准产品的骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资格洽谈规格。
–4–
Rev. D的
QQ：2880707522 复制
