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SMN0250F
先进的N沟道功率MOSFET
开关稳压器的应用
特点
漏源击穿电压: BV
DSS
= 500V (最小)。
低栅极电荷:Q
g
= 7nC (典型值)。
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 3.4Ω (最大)
100%的雪崩测试
符合RoHS标准装置
订购信息
产品型号
SMN0250F
记号
SMN0250
TO-220F-3L
GDS
TO-220F-3L
标识信息
专栏1 :制造商
专栏2 :生产信息
例如) GFYMDD
- 。 G:选项代码( H:无卤)
- 。 F:工厂管理规则
- 。 YMDD :日期代码(年,月,日)
专栏3 :设备代码
AUK
AUK
GFYMDD
Δ
YMDD
SMN0250
SDB20D45
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
*
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
c
=25C
T
c
=100C
I
DM
等级
500
30
2
1.26
8
2
73
2
2.9
29
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
A
mJ
W
C
C
漏电流(脉冲)
*
(注2 )
(注2 )
单雪崩电流
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
T
J
T
英镑
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
功耗
结温
存储温度范围
(注1 )
(注1 )
*只限于最高结温
修订日期: 03- FEB- 12
KSD-T0O107-001
www.auk.co.kr
1第8
SMN0250F
热特性
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
等级
马克斯。 4.27
马克斯。 62.5
单位
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
(注3,4 )
(注3,4 )
(注3,4 )
(注3)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
测试条件
I
D
= 250uA ,V
GS
=0V
I
D
= 250uA ,V
DS
=V
GS
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
GS
= 10V ,我
D
=1A
V
DS
= 10V ,我
D
=1A
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
f=1.0MHz
分钟。
500
3
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
4
-
-
2.8
4
270
36
7
33
70
56
27
7
3
2
马克斯。
-
5
1
100
3.4
-
371
50
9
77
155
124
60
10
-
-
单位
V
V
uA
nA
S
pF
打开-O FF延迟时间
下降时间
(注3,4 )
V
DD
= 250V ,我
D
=2A,
R
G
=25
-
-
-
-
ns
总栅极电荷
(注3,4 )
(注3,4 )
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=400V, V
GS
=10V,
I
D
=2A
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
nC
(注3,4 )
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
源电流( DC)的
源电流(脉冲)
正向电压
反向恢复时间
(注3,4 )
(注3,4 )
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时,我
S
=2A
I
S
= 2A ,V
GS
=0V
dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
276
0.85
马克斯。
2
8
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
反向恢复电荷
注意:
1.反复评级:脉冲宽度有限的安全工作区
2, L = 33mH ,我
AS
= 2A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25C
3.脉冲测试:脉冲width≤300us ,职务cycle≤2 %
4.基本上是独立的工作温度典型特征
修订日期: 03- FEB- 12
KSD-T0O107-001
www.auk.co.kr
2第8
SMN0250F
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
图。 2我
D
– V
GS
图。 3 R
DS ( ON)
- I
D
图。 4我
S
- V
SD
图。 5电容 - V
DS
图。 6 V
GS
- Q
G
修订日期: 03- FEB- 12
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3 8
SMN0250F
图。 7 BV
DSS
- T
J
图。 8 R
DS ( ON)
– T
J
图。 9我
D
- T
C
图。 10安全工作区
图。 11瞬态热阻抗
修订日期: 03- FEB- 12
KSD-T0O107-001
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4 8
SMN0250F
图。 12栅极电荷测试电路波形&
图。 13电阻开关测试电路波形&
图。 13 E
AS
测试电路波形&
修订日期: 03- FEB- 12
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5 8
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SMN0250F
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    -
    -
    -
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:李先生
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