SMN0250F
热特性
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
等级
马克斯。 4.27
马克斯。 62.5
单位
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
(注3,4 )
(注3,4 )
(注3,4 )
(注3)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
测试条件
I
D
= 250uA ,V
GS
=0V
I
D
= 250uA ,V
DS
=V
GS
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
GS
= 10V ,我
D
=1A
V
DS
= 10V ,我
D
=1A
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
f=1.0MHz
分钟。
500
3
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
4
-
-
2.8
4
270
36
7
33
70
56
27
7
3
2
马克斯。
-
5
1
100
3.4
-
371
50
9
77
155
124
60
10
-
-
单位
V
V
uA
nA
S
pF
打开-O FF延迟时间
下降时间
(注3,4 )
V
DD
= 250V ,我
D
=2A,
R
G
=25
-
-
-
-
ns
总栅极电荷
(注3,4 )
(注3,4 )
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=400V, V
GS
=10V,
I
D
=2A
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
nC
(注3,4 )
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
源电流( DC)的
源电流(脉冲)
正向电压
反向恢复时间
(注3,4 )
(注3,4 )
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时,我
S
=2A
I
S
= 2A ,V
GS
=0V
dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
276
0.85
马克斯。
2
8
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
反向恢复电荷
注意:
1.反复评级:脉冲宽度有限的安全工作区
2, L = 33mH ,我
AS
= 2A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25C
3.脉冲测试:脉冲width≤300us ,职务cycle≤2 %
4.基本上是独立的工作温度典型特征
修订日期: 03- FEB- 12
KSD-T0O107-001
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