MUN2116 ， MMUN2116L ，
MUN5116 ， DTA143TE ，
DTA143TM3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 4.7千瓦，R 2 =
8
kW
PNP晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线
发射极电阻。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。
特点
销1
BASE
（输入）
http://onsemi.com
引脚连接
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC59
CASE 318D
风格1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101标准
和PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
30
5
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
XX MG
G
1
XXX MG
G
1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
XXX
M
G
SOT23
CASE 318
类型6
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
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包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第1版
1
出版订单号：
DTA143T/D
MUN2116 ， MMUN2116L ， MUN5116 ， DTA143TE ， DTA143TM3
表1.订购信息
设备
MUN2116T1G
MMUN2116LT1G ， SMMUN2116LT1G
SMMUN2116LT3G
MUN5116T1G
DTA143TET1G
DTA143TM3T5G
最热
6F
A6F
6F
6F
6F
6F
包
SC59
SOT23
SOT23
SC70/SOT323
SC75
SOT723
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1) (2) (3) (4)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT- 323 ;最小焊盘
（ 2 ） SC- 59 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 23 ;最小焊盘
（ 4 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
http://onsemi.com
2
MUN2116 ， MMUN2116L ， MUN5116 ， DTA143TE ， DTA143TM3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 59 ） （ MUN2116 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SOT -23 ） （ MUNN2116L ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5116 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTA143TE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTA143TM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
246
400
2.0
3.2
508
311
174
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
230
338
1.8
2.7
540
370
264
287
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
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3
MUN2116 ， MMUN2116L ， MUN5116 ， DTA143TE ， DTA143TM3
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注3）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 10 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
3.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
160
4.9
3.3
250
0.58
1.0
4.7
0.25
0.2
6.1
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
1.9
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
MUN2116 ， MMUN2116L ， MUN5116 ， DTA143TE ， DTA143TM3
典型特征
MUN2116 ， MMUN2116L ， MUN5116 ， DTA143TE ， DTA143TM3
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
电压（V）的
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
1000
150°C
25°C
100
55°C
0.1
150°C
25°C
55°C
10
V
CE
= 10 V
1
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
0.01
0
20
30
40
10
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
10
C
ob
，输出电容（ pF）的
I
C
，集电极电流（毫安）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
F = 10千赫
l
E
= 0 A
T
A
= 25°C
图3.直流电流增益
100
10
1
0.1
0.01
150°C
25°C
55°C
V
O
= 5 V
0
1
2
3
V
in
，输入电压（ V）
4
5
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
V
in
，输入电压（ V）
10 25°C
55°C
1
150°C
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
