LAB
TO247 -AD封装外形。
尺寸mm （英寸）
4.69
5.31
1.49
2.49
(0.185)
(0.209)
(0.059)
(0.098)
6.15
(0.242)
BSC
15.49 (0.610)
16.26 (0.640)
SEME
SML5020BN
第4代MOSFET
N沟道
增强型
高压
功率MOSFET
20.80 (0.819)
21.46 (0.845)
3.55 (0.140)
3.81 (0.150)
4.50
(0.177)
M AX 。
1
2
3
1.65 (0.065)
2.13 (0.084)
2.87 (0.113)
3.12 (0.123)
0.40 (0.016)
0.79 (0.031)
1.01 (0.040)
1.40 (0.055)
2.21 (0.087)
2.59 (0.102)
5.25 (0.215)
BSC
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
500V
28.0A
0.20
W
引脚1 - 门
PIN 2 - 漏
19.81 (0.780)
20.32 (0.800)
PIN 3 - 来源
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
栅 - 源电压
总功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063 “从案例10秒。
500
28
112
±30
360
2.9
-55到150
300
V
A
A
V
W
W / ℃，
°C
静电额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
特征
漏极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0V)
门 - 源极漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
2
漏极 - 源极导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250
m
A
V
DS
= V
DSS
V
DS
= 0.8V
DSS
, T
C
= 125°C
V
GS
= ±30V , V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D
[续]
2
28
0.20
分钟。
500
典型值。
MAX 。 UNIT
V
250
1000
±100
4
m
A
nA
V
A
W
1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。
2 ）脉冲测试：脉冲宽度< 380
m
S，占空比< 2 ％
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
预赛。 6/94
LAB
动态特性
特征
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 1.8
W
分钟。
典型值。
2890
590
230
140
18
75
19
43
85
56
MAX 。 UNIT
3500
830
350
210
27
110
38
86
125
112
ns
nC
pF
SEME
SML5020BN
源 - 漏二极管额定值和特性
特征
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
（体二极管）
（体二极管）
I
S
= – I
D
[续] ， DL
s
/ DT = 100A /
m
s
V
GS
= 0V时，我
S
= – I
D
[续]
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
28
112
1.3
215
3
430
7
860
14
A
V
ns
I
S
= – I
D
[续] ， DL
s
/ DT = 100A /
m
s
m
C
安全工作区特性
特征
SOA1
安全工作区
测试条件
V
DS
= 0.4V
DSS
， t为1秒。
I
DS
= P
D
/ 0.4V
DSS
V
DS
= P
D
/ I
D
[续]
I
DS
= I
D
[续] ，T = 1秒。
分钟。
360
典型值。
MAX 。 UNIT
W
SOA2
I
LM
安全工作区
感应电流钳位
360
112
W
A
热特性
R
q
JC
R
q
JA
特征
结到外壳
结到环境
1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。
2 ）脉冲测试：脉冲宽度< 380
m
S，占空比< 2 ％
3 ）看MIL -STD- 750方法3471
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
0.34
° C / W
40
注意 - 静电敏感的设备。防静电程序必须遵循。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
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LAB
TO247 -AD封装外形。
尺寸mm （英寸）
4.69
5.31
1.49
2.49
(0.185)
(0.209)
(0.059)
(0.098)
6.15
(0.242)
BSC
15.49 (0.610)
16.26 (0.640)
SEME
SML5020BN
第4代MOSFET
N沟道
增强型
高压
功率MOSFET
20.80 (0.819)
21.46 (0.845)
3.55 (0.140)
3.81 (0.150)
4.50
(0.177)
M AX 。
1
2
3
1.65 (0.065)
2.13 (0.084)
2.87 (0.113)
3.12 (0.123)
0.40 (0.016)
0.79 (0.031)
1.01 (0.040)
1.40 (0.055)
2.21 (0.087)
2.59 (0.102)
5.25 (0.215)
BSC
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
500V
28.0A
0.20
W
引脚1 - 门
PIN 2 - 漏
19.81 (0.780)
20.32 (0.800)
PIN 3 - 来源
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
栅 - 源电压
总功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063 “从案例10秒。
500
28
112
±30
360
2.9
-55到150
300
V
A
A
V
W
W / ℃，
°C
静电额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
特征
漏极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0V)
门 - 源极漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
2
漏极 - 源极导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250
m
A
V
DS
= V
DSS
V
DS
= 0.8V
DSS
, T
C
= 125°C
V
GS
= ±30V , V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D
[续]
2
28
0.20
分钟。
500
典型值。
MAX 。 UNIT
V
250
1000
±100
4
m
A
nA
V
A
W
1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。
2 ）脉冲测试：脉冲宽度< 380
m
S，占空比< 2 ％
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
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LAB
动态特性
特征
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 1.8
W
分钟。
典型值。
2890
590
230
140
18
75
19
43
85
56
MAX 。 UNIT
3500
830
350
210
27
110
38
86
125
112
ns
nC
pF
SEME
SML5020BN
源 - 漏二极管额定值和特性
特征
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
（体二极管）
（体二极管）
I
S
= – I
D
[续] ， DL
s
/ DT = 100A /
m
s
V
GS
= 0V时，我
S
= – I
D
[续]
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
28
112
1.3
215
3
430
7
860
14
A
V
ns
I
S
= – I
D
[续] ， DL
s
/ DT = 100A /
m
s
m
C
安全工作区特性
特征
SOA1
安全工作区
测试条件
V
DS
= 0.4V
DSS
， t为1秒。
I
DS
= P
D
/ 0.4V
DSS
V
DS
= P
D
/ I
D
[续]
I
DS
= I
D
[续] ，T = 1秒。
分钟。
360
典型值。
MAX 。 UNIT
W
SOA2
I
LM
安全工作区
感应电流钳位
360
112
W
A
热特性
R
q
JC
R
q
JA
特征
结到外壳
结到环境
1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。
2 ）脉冲测试：脉冲宽度< 380
m
S，占空比< 2 ％
3 ）看MIL -STD- 750方法3471
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
0.34
° C / W
40
注意 - 静电敏感的设备。防静电程序必须遵循。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
预赛。 6/94
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