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SML30J130
SOT- 227封装外形。
尺寸mm （英寸）
3 1 .5 (1 .2 4 0 )
3 1 .7 (1 .2 4 8 )
7 .8 (0 .3 0 7 )
8 .2 (0 .3 2 2 )
1 1 .8 (0 .4 6 3 )
1 2 .2 (0 .4 8 0 )
W = 4 .1 (0 .1 6 1 )
4 .3 (0 .1 6 9 )
H=
4 .8 (0 .1 8 7 )
4 .9 (0 .1 9 3 )
（4处）
1 2 .6 (0 .4 9 6 )
1 2 .8 (0 .5 0 4 )
2 5 .2 (0 .9 9 2 )
2 5 .4 (1 .0 0 0 )
8 .9 (0 .3 5 0 )
9 .6 (0 .3 7 8 )
六角螺母M 4使用
（4处）
1
R
2
4 .0 (0 .1 5 7 )
4 .2 (0 .1 6 5 )
0 .7 5 (0 .0 3 0 )
0 .8 5 (0 .0 3 3 )
N沟道
增强型
高压
功率MOSFET
4
3.3 (0 .1 2 9)
3.6 (0.14 3 )
1 4 .9 (0.58 7 )
1 5 .1 (0.59 4 )
3 0 .1 (1 .1 8 5 )
3 0 .3 (1 .1 9 3 )
3 8 .0 (1.4 9 6 )
3 8 .2 (1.5 0 4 )
3
5 .1 (0 .2 0 1 )
5 .9 (0 .2 3 2 )
1 .9 5 (0 .0 7 7 )
2 .1 4 (0 .0 8 4 )
R =
4 .0 (0 .1 57 )
（ 2 P LAC （E S） ）
S
D
V
DSS
300V
130A
I
D（续）
R
DS （ ON）
0.019
更快的开关
低漏
100％的雪崩测试
热门SOT -227封装
S
G
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的
无论是源端。
D
G
S
StarMOS是新一代高电压
N沟道增强型功率MOSFET 。
这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了
导通电阻。 StarMOS也实现了较快
开关门，通过优化布局的速度。
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
漏 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
栅 - 源电压
栅 - 源电压瞬态
总功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063 “从案例10秒。
雪崩电流
1
（重复，不重复）
重复性雪崩能量
1
单脉冲雪崩能量
2
300
130
520
±30
±40
700
5.6
-55到150
300
130
50
3600
V
A
A
V
W
W / ℃，
°C
A
mJ
1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。
2 ）起始物为
J
= 25℃时，L = 426μH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 130A
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
网址：
http://www.semelab.co.uk
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
5/99
SML30J130
静电额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
特征
漏极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0V)
门 - 源极漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
2
漏极 - 源极导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
DSS
V
DS
= 0.8V
DSS
, T
C
= 125°C
V
GS
= ±30V , V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D
[续]
2
130
0.019
分钟。
300
典型值。
MAX 。 UNIT
V
100
500
±100
4
A
nA
V
A
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
分钟。
典型值。马克斯。单位
18000
3250
900
630
100
310
24
33
80
10
ns
nC
pF
源 - 漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
（体二极管）
（体二极管）
V
GS
= 0V时，我
S
= – I
D
[续]
I
S
= – I
D
[续] ， DL
s
/ DT = 100A / μs的
I
S
= – I
D
[续] ， DL
s
/ DT = 100A / μs的
620
14
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
130
A
520
1.3
V
ns
C
热特性
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。
2 ）脉冲测试：脉冲宽度< 380μS ，占空比< 2 ％
3 ）看MIL -STD- 750方法3471
注意 - 静电敏感的设备。防静电程序必须遵循。
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
0.18
° C / W
40
Semelab PLC 。
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