碳化硅功率
肖特基整流器器
二极管桥
SML010FBDH06
600V ,10A整流全桥配置
高温作业环境温度为200℃
有效的零反向和正向恢复
高速低开关损耗
高频率运行
提供高可靠性筛选选项
绝对最大额定值
(每个芯片,TC = 25 ° C除非另有说明)
VRRM
VRSM
VDC
中频(AVG)
IFSM
TJ
TSTG
重复峰值反向击穿电压
浪涌峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流
非重复峰值正向浪涌电流, TP = 10微秒
结温范围
存储温度范围
600V
600V
600V
10A
45A
-55 + 200℃
-55 + 225℃
热性能
(每模)
符号
R
θJC
参数
热阻,结到外壳
马克斯。
2.0
单位
° C / W
电气特性
(每个芯片,TC = 25 ° C除非另有说明)
符号
VF
IR
(1)
参数
正向电压
测试条件
IF = 10A
TC = 175℃
VR = VRRM
TC = 175℃
分钟。
典型值。
1.8
2.0
10
马克斯。
2.2
2.7
100
1000
单位
V
反向电流
A
动态特性
QC
总库容
收费
IF = 10A
的di / dt = 500A / μs的
VR = 600V
TJ = 25°C
32
nC
笔记
(1 )脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
Semelab有限公司保留随时更改测试条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠,在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
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Semelab
考文垂路,拉特沃思,莱斯特郡, LE17 4JB
电话:+44( 0 ) 1455 556565
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文档编号8966
第1期
第1页1
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超快恢复
电源整流二极管
SML010FBDH06
机械数据
尺寸mm (英寸)
TO258D ( MO- 078AA )
销1
销2
3脚
引脚4
5脚
- 整流后的直流
+ AC
N / C
- AC
整流+ DC
2
1
5
4
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第1期
第2页2
SiC肖特基二极管
SML05SC06D3A / SML05SC06D3B
VR (最大值) = 600V
IF ( AVG) = 5A
VF (典型值) = 1.5V
DLCC3密封陶瓷表面贴装封装设计为
随时可替换的“D - 5B ” / “E - MELF ”套餐
没有反向恢复
无远期恢复
提供高可靠性筛选选项
绝对最大额定值
( TA = 25° C除非另有说明)
VRRM
VRSM
中频(AVG)
IFSM
PD
TJ
TSTG
反向重复峰值电压
浪涌峰值反向电压
(1)
平均正向电流
非重复峰值正向浪涌电流
(3,4)
在TA总功耗= 25°C
减免上述TA = 25°C
结温范围
存储温度范围
600V
600V
5A
60A
2.96
(2)
14.8mW/°C
(2)
-55 + 225℃
-55 + 225℃
热性能
符号
R
θJSP (IN)的
R
θJA (PCB)的
(2)
R
θJA (PCB)的
(3)
参数
热阻,结点到焊点垫TSP = 25°C
热阻,结到环境,在PCB上
热阻,结到环境,在PCB上
马克斯。
29
67.5
123
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
( 1 ) IO1的额定功率为1.75A @ TA = 25 ℃, PC板,其中从安装点到环境的热阻是充分控制的地方
TJ(MAX)不超过175 ℃;这等同于R
θJA (PCB)的
≤
68°C/W.
(2)
(3)
PCB = FR4 , 0.0625英寸( 1.59毫米)厚,单层, 1.0盎司铜,垫尺寸( 1.0 “× 1.0” ) , ( 25.4毫米X 25.4毫米) ,水平在静止空气中。
PCB = FR4 , 0.0625英寸( 1.59毫米)厚,单层, 1.0盎司铜,焊盘尺寸( 0.070 “× 0.155 ” ) , ( 1.78毫米X 3.94毫米) ,横在静止空气中。
IO1的额定电压为1.0A @ TA = 25 ℃, PC板,其中R
θJA (PCB)的
≤
125 ° C / W 。减额在7.33毫安/ ° C以上TA = 25 ℃,在这种情况下。
MIL- STD- 750方法4066.4条件A1 。我
O
= 1A ,V
RWM
= 600V, V
RSM
= 600V , 8.3ms的十浪涌各以1分钟的间隔, TA = 25 ℃。
(4)
推荐焊盘布局尺寸为这个设备,这个数据表的D- 5A装置内详述。
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问题2
第1页6
SiC肖特基二极管
SML05SC06D3A / SML05SC06D3B
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
VF
(1)
参数
二极管的正向电压
测试条件
IF = 5A
IF = 5A
VR = 600V
VR = 600V
TJ = 25°C
TJ = 175℃
TJ = 25°C
TJ = 175℃
分钟。
典型值。
1.5
2.0
50
100
马克斯。
1.8
2.4
200
1000
单位
V
IR
漏电流
A
动态特性
QC
总容性充电
VR = 600V
的di / dt = 500A / μs的
VR = 0V
CT
结电容
( F = 1.0MHz的)
VR = 200V
VR = 400V
笔记
(1 )脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
IF = 5A
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
28
550
65
50
nC
pF
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问题2
第2 6
SiC肖特基二极管
SML05SC06D3A / SML05SC06D3B
典型表现整个温度范围内
600V D3A二极管的正向特性
12.0
10.0
IF - 正向电流( A)
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
0.5
-55
25
1
1.5
175
225
2
2.5
Vf
dV
100
- 西澳
125
OL吨的通用电气(V )
150
600V D3A二极管的反向漏电流特性
18.0E-6
16.0E-6
14.0E-6
反向电流(A)
12.0E-6
10.0E-6
8.0E-6
6.0E-6
4.0E-6
2.0E-6
000.0E+
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
V R R EV ER发E V OL吨以下( V OL吨S)
-55
25
100
125
150
175
225
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问题2
第3页6
SiC肖特基二极管
SML05SC06D3A / SML05SC06D3B
SiC肖特基二极管,少数无
SML05SC06D3
因此,载流子复合为零
反向恢复。恢复时间
相当于反向恢复时间的设备
显示n是由于小的结
I
F
= 500毫安,我
R
= 1A ,我
RR
=250mA
电容的充电和为
独立的结
温度
1.000
0.500
0.000
④此T(A )
-0.500
-1.000
-1.500
-1 8
-1 6
-1 4
-1 2
-1 0
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
时间(纳秒)
-55°C
0°C
25°C
50°C
100°C
150°C
200°C
225°C
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第4 6
SiC肖特基二极管
SML05SC06D3A / SML05SC06D3B
机械数据
A
D
DLCC3变种A( D3A )
垫1
垫2
维
A
B
C
D
阳极
阴极
mm
7.00 ±0.10
3.75 ±0.10
1.60 ±0.10
1.76 ±0.10
英寸
0.275 ±0.004
0.143 ±0.004
0.063 ±0.004
0.069 ±0.004
SML
D3A
C
C
1
2
A
B
D
DLCC3变种B( D3B )
垫1
垫2
PAD 3
维
A
B
C
D
阳极
阴极
盖触点阴极*
mm
7.00 ±0.10
3.75 ±0.10
1.60 ±0.10
1.76 ±0.10
英寸
0.275 ±0.004
0.143 ±0.004
0.063 ±0.004
0.069 ±0.004
SML
D3B
C
C
1
2
3
*附加的接触提供了在应用到该盖的连接。连接的金属盖,以一个已知的电势停止深
介电放电空间应用;看到空间天气链接
www.semelab.co.uk/dlcc3.html
在Semelab网站。包装变
要在订单中指定。
该DLCC3包装设计充分利用了HTCC表面的经验证的高可靠性血统贴装封装技术,
这是很容易集成的自动化装配。 Semelab已经采取了陶瓷表面的现行标准贴装封装制造
并增加了额外的设计特点,以提高散热性能,提出了高可靠性的应用有竞争力的替代品。
焊盘布局
)
*
A
B
C
mm
7.32
1.78
3.94
英寸
0.288
0.070
0.155
+
B
钎焊温度应为260℃,一
最多10秒。
的物理尺寸为DLCC3陶瓷封装被设计
为从已公布的尺寸不同的“D -5B ”和“ E-
MELF “概括。该DLCC3设计充分利用了推荐
焊料足迹为“D -5B ”/“的E- MELF ”包,因此
呈现在更换下降为现有的电路板设计。
包装MASS
镀金焊盘表面处理= 150毫克
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