【SMK830D先进的N沟道功率MOSFET开关稳压器的应用特点高压： BVDSS=500V(Min.】,IC型号SMK830D,SMK830D PDF资料,SMK830D经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMK830D

先进的N沟道功率MOSFET

开关稳压器的应用

特点

高压： BV

DSS

=500V(Min.)

低C

RSS

: C

RSS

=33pF(Typ.)

低栅极电荷：的Qg = 16nC （典型值）

低R

DS （ ON）

: R

DS （ ON）

=1.5Ω(Max.)

引脚连接

封装代码

TO-252

订购信息

型号

SMK830D

记号

SMK830

标记图

SMK

830

YWW

列1,2 ：设备代码

专栏3 ：生产信息

例如） YWW

- 。 YWW ：日期代码（年周）

绝对最大额定值

(

= 25 ° C除非另有说明）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

功耗

雪崩电流（单人）

单脉冲雪崩能量

雪崩电流（重复）

重复性雪崩能量

结温

存储温度范围

*受最高结温

②

①

符号

DSS

GSS

(Tc=25℃)

(Tc=100℃)

英镑

等级

500

±30

4.5

2.9

4.5

250

4.5

5.0

150

-55~150

单位

°C

特征

热

阻力

结案件

结到环境

符号

日（J -C ）

号（j -a）的

典型值。

马克斯。

2.6

单位

° C / W

**当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

KSD-T6O010-001

SMK830D

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极截止电流

栅极漏电流

漏源导通电阻

正向传输导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

④

符号

DSS

GS （ TH）

DSS

GSS

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

测试条件

= 250uA ，V

=500V, V

=0V

=0V, V

=±30V

= 10V ，我

=2.25A

= 10V ，我

=2.25A

=0V, V

=25V,

f=1MHz

分钟。典型值。马克斯。

500

2.0

1.2

5.2

745

5.5

4.0

±100

1.5

930

102

单位

= 250V ，我

=4.5A

=25

③

④

=400V, V

=10V

=4.5A

③

④

源极 - 漏极二极管额定值和特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

源电流（ DC）的

源电流（脉冲）

正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意;

①

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

②

L = 22.2mH ，我

= 4.5A ，V

= 50V ，R

= 25Ω ，起始物为

=25℃

③

脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％

④

基本上是独立工作温度

①

④

符号

测试条件

积分反向二极管

在MOSFET

= 0V时，我

=4.5A

= 4.5A ，V

=0V

/dt=100A/us

分钟。

典型值。马克斯。单位

263

1.9

4.5

1.4

KSD-T6O010-001

SMK830D

电气特性曲线

图。 1 I

- V

图。 2我

- V

图。 3 R

DS （ ON）

- I

图。 4我

- V

图。 5电容 - V

图。 6 V

- Q

℃

KSD-T6O010-001

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图。 7 V

（ BR ） DSS

- T

图。 8 R

DS （ ON）

- T

图。 9我

- T

图。 10安全工作区

KSD-T6O010-001

图。 11栅极电荷测试电路波形&

SMK830D

图。 12电阻开关测试电路波形&

图。 12 E

测试电路波形&

KSD-T6O010-001

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