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SMK630D
先进的N沟道功率MOSFET
DC- DC转换器应用
高电压开关应用
特点
高压： BV
DSS
=200V(Min.)
低C
RSS
: C
RSS
=24pF(Typ.)
低栅极电荷：的Qg = 12NC （典型值）
低R
DS （ ON）
: R
DS （ ON）
=0.4Ω(Max.)
引脚连接
D
D
G
封装代码
TO-252
G
S
S
TO-252
订购信息
型号
SMK630D
记号
SMK630
标记图
SMK
630
YWW
列1,2 ：设备代码
专栏3 ：生产信息
例如） YWW
- 。 YWW ：日期代码（年周）
绝对最大额定值
(
T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
*
漏电流（脉冲）
功耗
雪崩电流（单人）
单脉冲雪崩能量
雪崩电流（重复）
重复性雪崩能量
结温
存储温度范围
*受最高结温
②
②
①
①
*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
(Tc=25℃)
(Tc=100℃)
I
DM
P
D
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
等级
200
±30
9
5.7
36
45
9
232
9
9.5
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
W
A
mJ
A
mJ
°C
特征
热
阻力
结案件
结到环境
**
符号
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
典型值。
-
-
马克斯。
2.77
50
单位
° C / W
**当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
KSD-T6O014-001
1
SMK630D
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
④
④
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0
I
D
= 250uA ，V
DS
=V
GS
V
DS
=200V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
DS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
分钟。典型值。马克斯。
200
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.34
5.5
420
99
24
11
92
70
72
12
2.4
3.5
-
4.0
1
±100
0.40
-
525
128
28
-
-
-
-
17
-
-
单位
V
V
uA
nA
Ω
S
pF
V
DD
= 100V ，我
D
=9A
R
G
=25
-
③
④
-
-
-
-
ns
V
DS
=160V, V
GS
=10V
I
D
=9A
nC
③
④
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
源电流（ DC）的
源电流（脉冲）
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意;
①
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
②
L = 4.3mH ，我
AS
= 9A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25℃
③
脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
④
基本上是独立工作温度
①
④
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时，我
S
=9A
I
S
= 9A ，V
GS
=0V
dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
158
0.97
9
36
1.4
-
-
A
V
ns
uC
KSD-T6O014-001
2
SMK630D
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
图。 2我
D
- V
GS
图。 3 R
DS （ ON）
- I
D
图。 4我
S
- V
SD
图。 5电容 - V
DS
图。 6 V
GS
- Q
G
℃
KSD-T6O014-001
3
SMK630D
图。 7 V
DSS
- T
J
图。 8 R
DS （ ON）
- T
J
C
C
图。 9
I
D
- T
C
图。 10安全工作区
*
KSD-T6O014-001
4
图。 11栅极电荷测试电路波形&
SMK630D
图。 12电阻开关测试电路波形&
图。 12 E
AS
测试电路波形&
KSD-T6O014-001
5
SMK630D
先进的N沟道功率MOSFET
DC- DC转换器应用
高电压开关应用
特点
高压： BV
DSS
=200V(Min.)
低C
RSS
: C
RSS
=24pF(Typ.)
低栅极电荷：的Qg = 12NC （典型值）
低R
DS （ ON）
: R
DS （ ON）
=0.4(Max.)
D
订购信息
型号
SMK630D
记号
SMK630
封装代码
TO-252
G
S
TO-252
标记图
SMK
630
YWW
列1,2 ：设备代码
专栏3 ：生产信息
例如） YWW
- 。 YWW ：日期代码（年周）
绝对最大额定值
(
T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
*
漏电流（脉冲）
功耗
雪崩电流（单人）
单脉冲雪崩能量
雪崩电流（重复）
重复性雪崩能量
结温
存储温度范围
*受最高结温
②
②
①
①
*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
(Tc=25℃)
(Tc=100℃)
I
DM
P
D
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
等级
200
30
9
5.7
36
45
9
232
9
9.5
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
W
A
mJ
A
mJ
C
特征
热
阻力
结案件
结到环境
**
符号
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
典型值。
-
-
马克斯。
2.77
50
单位
° C / W
**当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
KSD-T6O014-002
1
SMK630D
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
④
④
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0
I
D
= 250uA ，V
DS
=V
GS
V
DS
=200V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
DS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
分钟。典型值。马克斯。
200
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.34
5.5
420
99
24
11
92
70
72
12
2.4
3.5
-
4.0
1
100
0.40
-
525
128
28
-
-
-
-
17
-
-
单位
V
V
uA
nA
S
pF
V
DD
= 100V ，我
D
=9A
R
G
=25
-
③
④
-
-
-
-
ns
V
DS
=160V, V
GS
=10V
I
D
=9A
nC
③
④
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
源电流（ DC）的
源电流（脉冲）
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意;
①
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
②
L = 4.3mH ，我
AS
= 9A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25℃
③
脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
④
基本上是独立工作温度
①
④
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时，我
S
=9A
I
S
= 9A ，V
GS
=0V
dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
158
0.97
9
36
1.4
-
-
A
V
ns
uC
KSD-T6O014-002
2
SMK630D
典型特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
图。 2我
D
- V
GS
图。 3 R
DS （ ON）
- I
D
图。 4我
S
- V
SD
图。 5电容 - V
DS
图。 6 V
GS
- Q
G
℃
KSD-T6O014-002
3
SMK630D
图。 7 V
DSS
- T
J
图。 8 R
DS （ ON）
- T
J
C
C
图。 9
I
D
- T
C
图。 10安全工作区
*
KSD-T6O014-002
4
图。 11栅极电荷测试电路波形&
SMK630D
图。 12电阻开关测试电路波形&
图。 12 E
AS
测试电路波形&
KSD-T6O014-002
5
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S29PL129N65GFIW02
S-1172B50-E6T1G
SS0704181KL
S78L18
SN75DP130DSRGZR
SSM2335
SN54AC573J
SSI2N60A
SMA6J58A-TR
SD1100C25C
ST16C1550
SMK0170
供货商
型号
厂家
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封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SMK630D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：13008842056
联系人：张先生
地址：广东省深圳市福田区华强北上步工业区501栋406
SMK630D
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SMK630D
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21+
100000
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电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
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