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SMK2050CI
先进的N沟道功率MOSFET
开关稳压器的应用
特点
高压: BV
DSS
=500V(Min.)
低C
RSS
: C
RSS
=27pF(Typ.)
低栅极电荷:的Qg = 65nC (典型值)
低R
DS ( ON)
: R
DS ( ON)
=0.26(Max.)
G
封装代码
TO-3P
g DS的
TO-3P
引脚连接
D
订购信息
型号
SMK2050CI
记号
SMK2050
S
标记图
专栏1 :制造商
AUK
GYMDD
SMK2050
专栏2 :生产信息
例如) GYMDD
- 。 G:工厂管理代码
- 。 YMDD :日期代码(年,月,日)
专栏3 :设备代码
绝对最大额定值
(
T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
*
漏电流(脉冲)
*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
(Tc=25℃)
(Tc=100℃)
I
DM
P
D
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
等级
500
30
20
12.6
80
150
20
1000
20
28
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
W
A
mJ
A
mJ
C
漏极功耗
雪崩电流(单人)
单脉冲雪崩能量
雪崩电流(重复)
重复性雪崩能量
结温
存储温度范围
*受最高结温
特征
阻力
结案件
结到环境
符号
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
典型值。
-
-
马克斯。
0.83
40
单位
° C / W
KSD-T0V002-001
1
SMK2050CI
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
I
D
= 250μA ,V
DS
=V
GS
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
=400V, V
GS
=0V
T
C
=125
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
GS
= 10V ,我
D
=10A
V
DS
= 10V ,我
D
=10A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
分钟。典型值。马克斯。
500
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.21
24.6
3120
355
27
95
375
100
105
65
17.6
18.4
-
4
1
100
100
0.26
-
-
-
-
-
-
-
-
85
-
-
单位
V
V
uA
nA
S
pF
V
DD
= 250V ,我
D
=20A
R
G
=25
-
-
-
-
-
ns
V
DS
=400V, V
GS
=10V
I
D
=20A
nC
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
源电流( DC)的
源电流(脉冲)
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
S
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时,我
S
=20A
I
S
= 20A ,V
GS
=0V
dI
S
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
507
7.2
20
80
1.4
-
-
A
V
ns
uC
注意;
重复评价:脉冲宽度由最大结温的限制
L = 4.5mH ,我
AS
= 20A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25℃
脉冲测试:脉冲宽度= 300US ,占空比= 2 %
基本上是独立工作温度
KSD-T0V002-001
2
SMK2050CI
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
图。 2我
D
- V
GS
-
图。 3 R
DS ( ON)
- I
D
图。 4我
S
- V
SD
图。 5电容 - V
DS
图6 V
GS
- Q
G
KSD-T0V002-001
3
SMK2050CI
电气特性曲线
图。 7 V
DSS
- T
J
图8
DS ( ON)
- T
J
C
C
图。 9我
D
- T
C
图。 10安全工作区
*
KSD-T0V002-001
4
图。 11栅极电荷测试电路波形&
SMK2050CI
图。 12电阻开关测试电路波形&
图。 12 E
AS
测试电路波形&
KSD-T0V002-001
5
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