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半导体
SMK0860P
先进的N沟道功率MOSFET
开关稳压器的应用
特点
高压: BV
DSS
=600V(Min.)
低C
RSS
: C
RSS
=9.7pF(Typ.)
低栅极电荷:的Qg = 22nC (典型值)
低R
DS ( ON)
:R
DS ( ON)
=1.2Ω(Max.)
引脚连接
D
G
订购信息
型号
SMK0860P
记号
SMK0860
封装代码
TO-220AB-3L
GDS
TO-220AB-3L
S
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
*
漏电流(脉冲)
*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
(Tc=25℃)
(Tc=100℃)
I
DM
P
D
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
等级
600
±30
7.5
4.7
30
90
7.5
325
7.5
21.7
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
W
A
mJ
A
mJ
°C
漏极功耗
雪崩电流(单人)
单脉冲雪崩能量
雪崩电流(重复)
重复性雪崩能量
结温
存储温度范围
*受最高结温
特征
阻力
结案件
结到环境
符号
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
典型值。
-
-
最大
1.38
62.5
单位
℃/W
KSD-T0P024-000
1
SMK0860P
电气特性
(
T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
I
D
= 250μA ,V
DS
= V
GS
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
GS
= 10V ,我
D
=3.75A
V
DS
= 10V ,我
D
=3.75A
V
GS
=0V, V
DS
=25V
f=1MHz
分钟。
600
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
1.0
7.3
968
105
9.7
18
19
72
28
22
5.2
6.3
马克斯。
-
4.0
1
±100
1.2
-
1210
131
12.1
-
-
-
-
27
-
-
单位
V
V
μA
nA
Ω
S
pF
V
DD
= 300V ,我
D
=7.5A
R
G
=25
-
-
-
ns
V
DS
=480V, V
GS
=10V
I
D
=7.5A
-
-
-
nC
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(
T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
源电流( DC)的
源电流(脉冲)
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时,我
S
=7.5A
I
s
= 7.5A ,V
GS
=0,
di
S
/dt=100A/us
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
365
3.4
最大
7.5
30
1.4
-
-
单位
A
V
ns
uC
注意;
重复评价:脉冲宽度由最大结温的限制
L = 10.6mH ,我
AS
= 7.5A ,V
DD
= 50V ,R
G
=27
脉冲测试:脉冲宽度\u003c 300US ,职务cycle≤ 2 %
基本上是独立工作温度
KSD-T0P024-000
2
SMK0860P
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
V
GS
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
BUTTOM : 4.0V
顶部
图。 2我
D
- V
GS
-
图。 3 R
DS ( ON)
- I
D
图。 4我
S
- V
SD
图。 5电容 - V
DS
图6 V
GS
- Q
G
KSD-T0P024-000
3
SMK0860P
电气特性曲线
图。 7 V
DSS
- T
J
图8
DS ( ON)
- T
J
C
C
图。 9我
D
- T
C
图。 10安全工作区
*
KSD-T0P024-000
4
SMK0860P
图。 10栅极电荷测试电路波形&
图。 11电阻开关测试电路波形&
图。 11 E
AS
测试电路波形&
KSD-T0P024-000
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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