【SMK0460I高级电源N沟道MOSFET开关稳压器的应用特点高压： BVDSS=600V(Min.】,IC型号SMK0460I,SMK0460I PDF资料,SMK0460I经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMK0460I

高级电源N沟道MOSFET

开关稳压器的应用

特点

高压： BV

DSS

=600V(Min.)

低C

RSS

: C

RSS

=9.8pF(Typ.)

低栅极电荷：的Qg = 12NC （典型值）

低R

DS （ ON）

=2.5Ω(Max.)

型号

SMK0460I

记号

SMK0460

封装代码

I- PAK

GD S

I- PAK

引脚连接

订购信息

标记图

SMK0460I

YWW

第1列2 ：设备代码

专栏3 ：生产信息

例如） YWW

- 。 Y：年份代码

- 。 WW ：周码

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

符号

DSS

GSS

(Tc=25℃)

(Tc=100℃)

②

①

英镑

等级

600

±30

2.53

225

150

-55~150

单位

°C

漏极功耗

雪崩电流（单人）

单脉冲雪崩能量

雪崩电流（重复）

重复性雪崩能量

结温

存储温度范围

*受最高结温

特征

热

阻力

结案件

结到环境

符号

日（J -C ）

号（j -a）的

典型值。

最大

2.6

62.5

单位

℃/W

KSD-T6Q006-001

SMK0460I

电气特性

(

= 25 ° C除非另有说明）

特征

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极漏电流

栅源漏

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

④

符号

DSS

GS （ TH）

DSS

GSS

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

测试条件

= 250μA ，V

= V

=600V, V

=0V

=0V, V

=±30V

= 10V ，我

=2.0A

= 10V ，我

=2.0A

=0V, V

= 25V ， F = 1MHz的

分钟。

600

2.0

典型值。

2.1

4.0

670

9.8

马克斯。

4.0

±100

2.5

848

12.2

单位

μA

= 300V ，我

=4A

=25

③

④

=480V, V

=10V

=4A

③

④

源极 - 漏极二极管额定值和特性

(

= 25 ° C除非另有说明）

特征

连续源电流

源电流（脉冲）

正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

①

④

符号

测试条件

积分反向二极管

在MOSFET

= 0V时，我

=4A

/dt=100A/us

民

典型值

300

2.2

最大

1.4

单位

注意;

①

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

②

L = 25.9mH ，我

= 4A ，V

= 50V ，R

= 27Ω ，起始物为

= 25℃

③

脉冲测试：脉冲宽度\u003c 300US ，职务cycle≤ 2 ％

④

基本上是独立工作温度

KSD-T6Q006-001

SMK0460I

电气特性曲线

图。 1 I

- V

7.5

7.0

6.5

6.0

5.5

: .5

图。 2我

- V

℃

图。 3 R

DS （ ON）

- I

图。 4我

- V

图。 5电容 - V

图。 6 V

- Q

℃

KSD-T6Q006-001

SMK0460I

电气特性曲线

图。 7 V

DSS

- T

图。 8 R

DS （ ON）

- T

图。 9

- T

图。 10安全工作区

KSD-T6Q006-001

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图。 11栅极电荷测试电路波形&

图。 12电阻开关测试电路波形&

图。 12 E

测试电路波形&

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