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SMK0460D
先进的N沟道功率MOSFET
开关稳压器的应用
特点
高压： BV
DSS
= 600V （最小）。
低栅极电荷：Q
g
= 12NC （典型值）。
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 2.5Ω （最大）
符合RoHS标准装置
无卤素封装
D
订购信息
产品型号
SMK0460D
记号
SMK0460
包
TO-252
G
S
TO-252
标识信息
SMK
0460
YWW ？
第1栏， 2 ：设备代码
专栏3 ：生产信息
例如） YWW □
- 。 YWW ：日期代码（年周）
-.
□:
工厂代码（ 'A' ： AUK ， 'S' ：SP半）
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
*
漏电流（脉冲）
*
雪崩电流
（注2 ）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩电流
（注1 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
功耗
结温
存储温度范围
*只限于最高结温
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
c
=25C
T
c
=100C
I
DM
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
T
J
T
英镑
等级
600
30
4
2.53
16
4
225
4
10
48
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
A
mJ
W
C
C
修订日期： 11 - AUG- 11
KSD-T6O015-002
www.auk.co.kr
1第8
SMK0460D
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
等级
MAX 。 2.6
马克斯。 62.5
单位
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
内部栅极电阻
正向传输导
（注3）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
（注3,4 ）
上升时间
（注3,4 ）
打开-O FF延迟时间
下降时间
（注3,4 ）
总栅极电荷
（注3,4 ）
栅极 - 源电荷
（注3,4 ）
栅极 - 漏极电荷
（注3,4 ）
（注3,4 ）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0
I
D
= 250uA ，V
DS
=V
GS
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
F = 1MHz时， V
DS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
f=1MHz
分钟。
600
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
12
典型值。
-
-
-
-
2.1
1.25
4.0
670
57
9.8
25
28
110
36
12
4
3
马克斯。
-
4.0
1
100
2.5
6.25
-
848
71
12.2
38
42
165
54
15
-
-
单位
V
V
uA
nA
S
pF
V
DD
= 300V ，我
D
=4A
R
G
=25
14
55
18
-
ns
V
DS
=480V, V
GS
=10V
I
D
=4A
-
-
nC
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
源电流（ DC）的
源电流（脉冲）
正向电压
反向恢复时间
（注3,4 ）
反向恢复电荷
（注3,4 ）
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时，我
S
=4A
I
S
= 4A ，V
GS
=0V
dI
S
/dt=-100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
300
2.2
马克斯。
4
16
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
注意：
1.反复评级：脉冲宽度有限的安全工作区
2， L = 25.9mH ，我
AS
= 4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25C
3.脉冲测试：脉冲width≤300us ，职务cycle≤2 ％
4.基本上是独立的工作温度典型特征
修订日期： 11 - AUG- 11
KSD-T6O015-002
www.auk.co.kr
2第8
SMK0460D
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
.0
: .5
图。 2我
D
– V
GS
℃
-
图。 3 R
DS （ ON）
- I
D
图。 4我
S
- V
SD
图。 5电容 - V
DS
图。 6 V
GS
- Q
G
℃
修订日期： 11 - AUG- 11
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3 8
SMK0460D
电气特性曲线
（续）
图。 7 BV
DSS
- T
J
图。 8 R
DS （ ON）
- T
J
C
C
图。 9我
D
- T
C
图。 10安全工作区
*
修订日期： 11 - AUG- 11
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4 8
SMK0460D
图。 11栅极电荷测试电路波形&
图。 12电阻开关测试电路波形&
图。 12 E
AS
测试电路波形&
修订日期： 11 - AUG- 11
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5 8
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