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SMJ320C30KGDB

浮点数字信号处理器

已知合格芯片

SGUS019B - 1995年11月 - 修订1998年12月

军用工作温度范围

-55 ° C至125°C ， QML处理

50 ns的快速的指令周期时间和

40纳秒

两个1K字

32位单周期

双访问片内RAM块

32位指令和数据字，

24位地址

整数，浮点和逻辑

操作

40位或32位浮点/整数

乘法器和算术逻辑单元（ ALU ）

24位整数乘法器， 32位产品

32位浮点乘法器，

40位产品

并行ALU和乘法器执行中

单曲循环

32位桶式移位器

八扩展精度寄存器

（蓄电池）

圆形和位反转寻址

能力

两个独立的双向串行端口

随着支持8 - ， 16 - ， 24 - 或32位

转帐

2个32位定时器，具有控制和

计数器寄存器

验证阿达编译

64-Word

32位指令缓存

片上直接存储器访问（DMA）

控制器并行I / O和CPU

手术

一个4K

32位单周期双接入

片上ROM块

两个32位外部端口（ 24和13位

地址）

两个地址发生器与八

辅助寄存器和两个辅助

注册运算单元（ ARAUs ）

零开销循环利用单周期

分支机构

联锁说明

多支持

两个和三个操作数指令

有条件的调用和返回

块重复功能

制作采用0.72微米增强

性能注入CMOS （ EPIC ）

技术由德州仪器

描述

该SMJ320C30KGDB数字信号处理器（DSP）是一种高性能的32位浮点处理器

在0.72微米，双级金属CMOS工艺制造。

该SMJ320C30KGDB内部总线连接和专用数字信号处理指令集具有的速度和

灵活地执行高达每秒5000万次浮点运算（ MFLOPS ）。该SMJ320C30KGDB

在硬件上实现功能优化速度等处理器通过软件或实施

微码。此硬件密集型方法提供性能先前在单个芯片上不可用。

该SMJ320C30KGDB可以在一个整数或浮点数据进行并行乘法和ALU操作

单周期。每个处理器还具有一个通用寄存器文件中，一个程序的高速缓存，专门

ARAUs ，内部双存取存储器，一个DMA通道支持并发I / O，以及一个短

机器的循环时间。高的性能和易用性是这些特征的结果。

大的地址空间，多接口，内部和外部产生的等待状态，两个外部

接口端口，两个定时器，两个串行端口，以及多个中断结构，增强通用

应用程序。该SMJ320C30KGDB支持各种各样的系统的应用程序从主处理器向

专用的协处理器。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

EPIC是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1998年，德州仪器

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休斯敦，得克萨斯州77251-1443

SMJ320C30KGDB

浮点数字信号处理器

已知合格芯片

SGUS019B - 1995年11月 - 修订1998年12月

描述

（续）

高级语言的支持是很容易通过一个基于寄存器的架构实现的，大的地址空间，

强大的寻址模式，灵活的指令集，并支持良好的浮点运算。

已知良好芯片（KGD ）技术

KGD的选项可用于在多芯片模块和芯片上的电路板（COB）的应用程序中使用。趋势/涌流

支持KGD要求为SMJ320C30KGDB验证技术是一个热门的卡盘头

流程。这一过程将使用在晶圆形式在速度和高温测试的标准探测产品

温度完整的数据表规格。每个单独的管芯被再锯成，检查和包装用于

出货。

电气规格

电气和时序规范，请参阅

SMJ320C30数字信号处理器

数据表，文学

数SGUS014 。

SMJ

320

KGD

PREFIX

SMJ =

MIL-PRF-38535

裸片修订

’C30

B = 7.4修订版

器件系列

320 = DSP系列

速度范围

40 = 40 MHz的

50 = 50 MHz的

温度范围

M = - 55 ° C至125°C

L =

0 ° C至70℃

技术

C = CMOS

设备

30 =浮点DSP

套餐类型

KGD =已知合格芯片

图1. SMJ320C30KGDB器械命名

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JEDEC标准

模具厚度是约15密耳

背侧表面光洁度是硅。

＆ QUOT ;

1密耳。

最大允许管芯结工作温度为175℃ 。

玻璃钝化材料为压氮化物。

接合焊盘金属组成的铜掺杂的铝。

百分之缺陷允许烧屏模为5％。

寿命试验的数据是可用的。

配置控制的通知

A组属性的摘要可（仅SMJ ）。

建议的模片连接材料是Silverglass （ QMI 3555 ）。

建议焊线规模为1.25万。

ESD额定值为II类。

允许的最小峰值工艺温度的芯片连接为325 ° C（ QMI为3555 ）。

锯缝取决于所用刀片的尺寸。

管芯的背面电位接地。

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SMJ320C30KGDB （ REV 7.x中）已知良好芯片焊盘信息

图2示出了SMJ320C30KGDB芯片编号格式。见表1 SMJ320C30KGDB模垫

信息。

204

垫一号

侧模数4

TMS320C30FW

155

154

芯片代号

侧模数1

侧模数3

零 - 零

（产地）

侧模数2

103

104

图2. “ 320C30KGD压铸编号格式

（见表1）

表1提供了以下参考：

有关的“ C30信号标识的数字垫

在' C30的X，Y坐标，其中，键合焊盘52作为原点（0,0）的

此外，显著规格包括：

的X，Y坐标数据是在微米。

坐标原点位于（0,0）（结合焊盘52的中心）。

有源硅尺寸为7 779.60

m ×

9 453.10

（ 306.28密尔

372.17密耳）。

芯片尺寸是约7 950.20

m ×

9 779.00

（ 313.00密尔

385.00密耳）。

焊盘尺寸为103.50

m ×

103.50

（ 4.07密尔

4.07密耳）。

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表1. “ 320C30KGD芯片焊盘资料：修订版7.4 （ 0,72

DIE SIDE ＃ 1

“ C30芯片接合垫

地点

DIE / TAB焊盘

身分

PDVDD

DR0

FSR0

CLKR0

CLKX0

FSX0

DX0

TCLK0

TCLK1

PADTOG

IOD0

IOD1

IOD2

IODVDD

IOD3

IOD4

IOD5

IOD6

IOD7

IOD8

IOD9

IOD10

VDDL

DVSS

VSSL

CVSS

IOD11

IOD12

IOD13

IOD14

IOD15

IOD16

IOD17

IOD18

IOD19

IOD20

IOD21

IOD22

IOD23

IOD24

IOD25

IOD26

IOD27

IOD28

IOD29

IOD30

IODVDD

的x坐标

芯片接合垫

的y坐标

芯片接合垫

7165.35

7029.99

6895.42

6760.42

6625.42

6490.42

6355.42

6220.42

6085.42

5950.42

5815.42

5673.22

5538.22

5403.22

5268.22

5133.22

4998.22

4863.22

4728.22

4593.22

4458.22

4323.22

4188.22

4053.22

3918.22

3783.22

3644.08

3504.04

3369.04

3234.04

3099.04

2964.04

2829.04

2694.04

2559.04

2424.04

2289.04

2154.04

2019.04

1884.04

1749.04

1614.04

1479.04

1344.04

1209.04

1074.04

939.04

804.04

669.04

529.54

394.56

铅间距

135.36

134.57

135.00

142.20

135.00

139.14

140.04

135.00

139.50

134.98

– 614.16

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