UVEPROM
奥斯汀半导体公司
512K UVEPROM
紫外线可擦除可编程
只读存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-87648
MIL -STD- 883
SMJ27C512
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28引脚DIP （J ） 600密耳
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
摹\\ / V
PP
A10
E\
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
特点
有组织65,536 ×8
高可靠性MIL -PRF- 38535处理
单+ 5V ± 10 ％电源
与现有512K只读存储器（ROM ）引脚兼容
和电可编程ROM的（ EPROM中）
所有输入/输出完全兼容TTL
省电CMOS技术
超高速SNAP ！脉冲编程
三态输出缓冲器
400mV的最小直流噪声抗扰度标准TTL负载
为250mA的所有输入和输出线闭锁抗扰度
低功耗（ CMOS输入电平）
PACTIVE
- 193mW （ MAX）的
PStandby
- 1.7MW （ MAX）的
引脚名称
A0 - A15
DA0-DQ7
E\
GND
摹\\ / V
PP
V
CC
功能
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能/关机
地
输出使能/ 13V编程
5V电源
选项
定时
为150ns访问
200ns的访问
250ns的访问
包（ S）
陶瓷DIP （ 600mils ）
记号
-15
-20
-25
概述
该SMJ27C512是一组65536由8位（ 524288位） ，
紫外（UV）光可擦除电可编程
只读存储器。这些设备都使用制造
省电CMOS技术用于高速和简单
接口与MOS和双极性电路。所有输入
（包括程序数据输入可以通过54系列TTL驱动
电路无需使用外部上拉电阻。每
输出可驱动一台54系列TTL电路，无需外部
电阻器。的数据输出是三态，用于连接
多个设备到一个共同的总线上。该SMJ27C512是
引脚兼容现有的28引脚512K ROM和
EPROM中。
因为这EPROM从单一5V电源供电（在
读取模式）时，它是非常适合于使用基于微处理器的
系统。一个其它电源（ 13V ） ，需要进行编程。
所有的编程信号是TTL电平。该装置是
通过SNAP编程！脉冲编程算法。
在SNAP ！脉冲编程算法采用的是V
PP
13V的
之间的V型
CC
6.5V的七个标称的编程时间
秒。到体系外的编程，现有
EPROM编程器都可以使用。位置可以是
单独地编程，以块或随机的。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
J
第110号
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
M
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
SMJ27512
1.0版9/01
1
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
功能框图*
EPROM 65,536 ×8
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
E\
摹\\ / V
PP
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
21
23
2
26
27
1
20
22
0
SMJ27C512
A
0
65,535
A
A
A
A
A
A
A
A
11
12
13
15
16
17
18
19
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
15
[ PWR DWN ]
＆放大器;
EN
*这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
手术
在7种工作模式的SMJ27C512列于表1中。读模式需要一个单一的5V电源。所有
输入是TTL电平，除了V
PP
在程序设计（ 13V为SNAP ！脉冲） ， 12V和A9上签字模式。
表1.操作模式
功能
（ PINS）
E\ (20)
摹\\ / V
PP
(22)
V
CC
(28)
A9 (24)
A0 (10)
模式*
读
V
IL
V
IL
V
CC
X
X
产量
节目
签名模式
STANDBY编程校验
关闭
抑制
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
CC
X
X
高-Z
X
V
CC
X
X
高-Z
V
PP
V
CC
X
X
DATA IN
V
IL
V
CC
X
X
数据输出
V
PP
V
CC
X
X
高-Z
V
ID
V
IL
V
IL
V
CC
V
ID
V
IH
DQ0-DQ7
数据输出
(11-13, 15-19)
* X可以是V
IL
或V
IH
SMJ27512
1.0版9/01
CODE
MFG
设备
97h
85h
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
读/输出禁止
当两种或更多种SMJ27C512的输出端被连接
在同一总线上，任何特定设备的输出上平行
在电路中可以被读，没有从干扰
竞争的其他设备的输出。要读取的输出
所选SMJ27C512 ，一个低电平信号被施加到
\\和G \\ / V
PP
。在电路中的所有其他设备应具有
禁止通过施加高电平信号到一个其输出
这些引脚。输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
SMJ27C512
SNAP ！脉冲编程
该SMJ27C512编程使用SNAP ！脉冲
如所示的流程图编程算法
图1中的7的标称时该算法的程序
秒。实际编程时间变化作为一个功能
程序员使用。
数据被呈现在并行（8位）上的引脚DQ0到DQ7的。
一旦地址和数据是稳定的，E \\是脉冲的。在SNAP ！
脉冲编程算法使用为100μs的初始脉冲
随后一个字节的验证，以确定当处理
字节已被成功编程。截至10 100μS
提供每字节脉冲之前失败是公认的。
编程模式，实现当G \\ / V
PP
= 13V,
V
CC
= 6.5V ，和E \\ = V
IL
。一个以上的装置可为
编程时，器件被并联连接。
位置可以按照任何顺序进行编程。当SNAP ！
脉冲编程程序完成，所有位被验证
随着V
CC
= 5V ，G \\ / V
PP
= V
IL
和E \\ = V
IL
.
闭锁抗扰度
在SMJ27C512闭锁免疫力最低为250mA
对所有的输入和输出。此功能提供闭锁
免疫之外在印刷任何潜在的瞬态
当EPROM接口至电路板级
工业标准的TTL或MOS逻辑器件。输入/输出
布局方式控制闭锁不影响
性能或堆积密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可从35毫安减少到
500μA （TTL电平输入）或300μA （ CMOS电平输入），通过
应用高TTL / CMOS信号到E \\销。在此模式下
所有输出处于高阻抗状态。
禁止程序
编程可通过维持较高的水平被抑制
输入关于电子商务\\ 。
删除
在编程之前，所述SMJ27512通过曝光擦除
通过透明盖到一个高强度的芯片超
紫外（ UV）光（波长2537埃） 。 EPROM擦除
前编程是必需的，以确保所有位都在
逻辑高电平状态。逻辑低点被编入
所需的位置。编程的逻辑低电平可擦除
仅通过紫外光。建议的最低
曝光剂量（紫外线强度X曝光时间）是15瓦
.
秒/厘米
2
.
一个典型的12兆瓦/厘米
2
，滤波紫外线灯擦除设备
21分钟。该灯应放置约2.5cm以上
擦除期间的芯片。擦除之后，所有位都在高
状态。但是应当注意的是，在正常环境光包含
该
正确的波长擦除;因此，当使用
在SMJ27C512 ，窗口应覆盖不透明
标签。
程序校验
编程位可以使用G \\ / V验证
PP
和E \\ = V
IL
.
签名模式
签名模式提供了访问一个二进制码
识别制造商和设备类型。此模式是
当A9 （端子24 ）被强制为12V ±0.5V激活。两
标识字节由A0 （端子10 ）进行访问;即，
A0 = V
IL
访问该制造商代码，并输出上
DQ0 - DQ7 ; A0 = V
IH
访问设备的代码，这也是
在输出DQ0 - DQ7 。所有其他地址必须在V举行
IL
.
每个字节上拥有DQ7位奇校验。该
制造商代码，这些设备是97H和设备
代码为85H 。
SMJ27512
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3
UVEPROM
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SMJ27C512
图1. SNAP ！脉冲编程流程图
开始
ADDRESS =第一个位置
V
CC
= 6.5V ± 0.25V ，G \\ / V
PP
= 13V ± 0.25V
方案一脉冲= T
W
= 100s
增量地址
节目
模式
LAST
地址？
No
是的
ADDRESS =第一个位置
X=0
方案一脉冲= T
W
= 100s
No
VERIFY
字
增量
地址
失败
X = X+1
X = 10?
通
LAST
地址？
互动
模式
No
是的
V
CC
= 5V ± 0.5V ，G \\ / V
PP
= V
IL
是的
设备失败
比较
所有字节
原
数据
失败
最终科幻
验证
通
设备传递
SMJ27512
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4
UVEPROM
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绝对最大额定值*
电源电压范围，V
CC
** ...........................- 0.6V至+ 7.0V
电源电压范围，V
pp
** .........................- 0.6V至+ 14.0V
输入电压范围，除A9所有输入
**
....- 0.6V至6.5V
A9 ....- 0.6V至+ 13.5V
输出电压范围** ...............................- 0.6V至V
CC
+1V
工作凯奇温度范围，T
C
.........- 55 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
.....................- 65 ℃至150 ℃的
SMJ27C512
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
**所有电压值相对于GND 。
推荐工作条件
V
CC
电源电压
1
摹\\ / V
PP
电源电压
2
在A9的电压电平的签名模式
V
ID
V
IH
V
IL
T
C
高电平直流输入电压
低电平直流输入电压
工作温度
读取模式
SNAP ！脉冲编程算法
SNAP ！脉冲编程算法
民
4.5
6.25
12.75
11.5
喃
5
6.5
13
最大
5.5
6.75
13.25
12.5
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2
125
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
TTL
CMOS
TTL
CMOS
2
V
CC
-0.2
-0.5
-0.5
-55
注意事项：
1. V
CC
之前或同时为G \\ / V必须施加
PP
和之后或同时为G \\ / V除去
PP
。该deivce不能插入或移除
从电路板当G \\ / V
PP
或V
CC
被施加。
2。G \\ / V
PP
可以连接到V
CC
直接（除了在程序模式）。 V
CC
在这种情况下，电源电流是我
CC
+ I
PP
.
电气特性超过推荐范围
工作条件
V
OH
V
OL
I
I
I
O
I
PP
I
CC1
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
输入电流（泄漏）
输出电流（泄漏）
摹\\ / V
PP
电源电流（编程脉冲期间）
V
CC
电源电流（待机）
2
测试条件
I
OH
= -400A
I
OL
= 2.1毫安
V
I
= 0V至5.5V
V
O
= 0V至V
CC
摹\\ / V
PP
= 13V
V
CC
= 5.5V ，E \\ = V
IH
\\ = V
IL
, V
CC
=5.5V
民
2.4
典型值
1
最大
0.4
10
10
35
70
500
325
TTL输入电平
CMOS输入电平V
CC
= 5.5V ，E \\ = V
CC
t
周期
=最小周期时间，
输出打开
35
I
CC2
V
CC
电源电流（有源）
50
注意事项：
1.典型值是在T
C
= 25 ° C和标称电压。
2.此参数的特点，在25℃ ，不生产测试。
SMJ27512
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5
TMS27C512 65536 ×8位紫外线擦除
TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 65 536 8位
采用5 V单电源供电
引脚兼容现有的512K MOS
ROM， PROM中，与EPROM的
所有输入/输出完全兼容TTL
最大接入/最小周期时间
V
CC
±
10%
’27C/PC512-10
100纳秒
’27C/PC512-12
120纳秒
’27C/PC512-15
150纳秒
’27C/PC512-20
200纳秒
’27C/PC512-25
250纳秒
省电的CMOS技术
非常高速的SNAP ！脉冲
程序设计
3态输出缓冲器
400 mV的最小DC抗噪性
标准TTL负载
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出线
低功耗（V
CC
= 5.25 V )
- 主动。 。 。 158 mW的最坏情况
- 待机。 。 。 1.4毫瓦最坏情况
（ CMOS输入电平）
温度范围选项
512K EPROM可提供符合MIL -STD- 883C
B级的高可靠性处理
(SMJ27C512)
套餐
（顶视图）
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
G / V
PP
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
FM包装
（顶视图）
描述
该TMS27C512系列65 536 ×8位
（ 524 288位） ，紫外（ UV）光可擦除，
电可编程只读存储器
（ EPROM中） 。
该TMS27PC512系列65 536 ×8位
（ 524 288位） ，一次性可编程（ OTP ）
电可编程只读存储器
（ PROM中） 。
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ0
A7
A12
A15
NU
VCC
A14
A13
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
G / V
PP
A10
E
DQ7
DQ6
PIN NOMENCLATURE
A0 – A15
E
DQ0 - DQ7
G / VPP
GND
NC
NU
VCC
地址输入
芯片使能/关机
输入（编程） /输出
13 -V编程电源
地
无内部连接
不作任何外部连接
5 V电源
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
GND
NU
DQ3
DQ4
DQ5
1
TMS27C512 65536 ×8位紫外线擦除
TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
描述（续）
这些设备所使用的省电CMOS技术为高速且简单的界面捏造
MOS和双极性电路。所有的投入（包括程序数据输入）可以通过74系列TTL电路驱动
无需使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个74系列TTL电路，无需外部
电阻器。
的数据输出是三态，用于连接多个设备到一个共同的总线上。该TMS27C512和
TMS27PC512的引脚与28引脚512K MOS ROM， PROM中，与EPROM的兼容。
该TMS27C512 EPROM是提供在一个双列直插式陶瓷封装（J后缀）在设计用于插
安装孔排在15.2毫米（ 600密耳）中心。该TMS27PC512 OTP PROM是在一个32引脚提供
采用1.25毫米（ 50密耳）引线间距（ FM后缀）塑料有引线芯片载体封装。
该TMS27C512和TMS27PC512提供两种选择的0 ℃的温度范围内，以70℃（ JL和
FML后缀）和 - 40 ° C至85°C （ JE和FME后缀） 。见表1 。
所有封装形式符合JEDEC标准。
表1.温度范围后缀
EPROM
和
OTP PROM
TMS27C512-xxx
TMS27PC512-xxx
后缀操作
自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
JL
FML
- 40 ° C至85°C
JE
FME
这些的EPROM和OTP PROM中从单一5V电源（在读模式）操作，因此非常适合使用
在基于微处理器的系统。另外一个13 - V电源需要进行编程。所有的编程信号
是TTL电平。对器件进行编程使用SNAP ！脉冲编程算法。在SNAP ！脉冲
规划算法采用的是V
PP
13 V和V
CC
将6.5V为七秒的标称编程时间。
到体系外的编程中，现有的EPROM编程器都可以使用。位置可以是
单独地编程，以块或随机的。
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS27C512 65536 ×8位紫外线擦除
TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
手术
操作的七种模式列于表2中读出模式，需要一个单一的5V电源。所有的输入都是
除了V TTL电平
PP
在编程时（ 13 V的SNAP ！脉冲）和12 V的A9签字模式。
表2.操作模式
模式？
功能
E
G / VPP
VCC
A9
A0
DQ0 - DQ7
X可以为VIL或VIH 。
VH = 12 V
±
0.5 V.
读
VIL
VIL
VCC
X
X
数据输出
产量
关闭
VIL
VIH
VCC
X
X
高阻
待机
VIH
X
VCC
X
X
高阻
程序设计
VIL
VPP
VCC
X
X
DATA IN
VERIFY
VIL
VIL
VCC
X
X
数据输出
节目
抑制
VIH
VPP
VCC
X
X
高阻
VH ？
VIL
CODE
MFG
97
设备
85
签名
模式
VIL
VIL
VCC
VH ？
VIH
读/输出禁止
当两种或更多种TMS27C512s或TMS27PC512s的输出并联连接在同一总线上，
在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰
的其它设备。读取单个装置的输出端，一个低电平信号被施加到E和G / V
PP
销。
在电路中的所有其他设备应禁用通过施加高电平信号的输出，以这些中的一个
销。输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
闭锁抗扰度
在TMS27C512和TMS27PC512闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。
此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时设备
接口是业界标准的TTL或MOS逻辑器件。输入输出的布局方式控制闭锁
而不会影响性能或包装密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可以减少为30 mA至500
A
（TTL电平输入）或250
A
（ CMOS电平
输入），通过施加高TTL / CMOS信号到E销。在这种模式下的所有输出处于高阻抗
状态。
擦除（ TMS27C512 ）
在编程之前，所述TMS27C512 EPROM是通过在透明盖露出芯片擦除
到高强度的紫外光（波长2537埃） 。 EPROM擦除之前编程
必要的，以确保所有的位是在逻辑高状态。逻辑低点被编程到所希望的位置。
编程的逻辑低电平只能通过紫外线擦除。建议的最低照射剂量
（紫外线强度
×
曝光时间）是15 Ws /厘米
2
。一个典型的12毫瓦/平方厘米
2
，滤波紫外线灯擦除设备
21分钟。该灯应放置约2.5cm擦除在芯片上方。但是应当注意的是
正常的环境光中包含了正确的波长擦除。因此，在使用TMS27C512时，该
窗口应覆盖不透明的标签。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TMS27C512 65536 ×8位紫外线擦除
TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
初始化（ TMS27PC512 ）
一次性可编程TMS27PC512 PROM具备了逻辑高电平状态的所有位，那么逻辑低点
被编程到所希望的位置。编程到一个PROM的逻辑低点不能被擦除。
SNAP ！脉冲编程
512K的EPROM和OTP PROM使用TI SNAP编程的！脉冲编程算法
由图1中的流程图，其中在七秒的标称时间的程序所示。实际编程
时间变化所使用的程序装置的功能。
在SNAP ！脉冲编程算法使用100微秒（ μs）内，接着一个字节的初始脉冲
验证，以确定何时寻址的字节已被成功编程。多达10 （ 10 ）100- μs的
提供每字节脉冲之前失败是公认的。
编程模式实现了与G / V
PP
= 13 V, V
CC
= 6.5 V ，和E = V
IL
。数据被呈现在平行
（ 8位）引脚DQ0到DQ7 。一旦地址和数据是稳定的，E是脉冲的。
多个设备可以与该设备连接在并行编程。位置可以是
以任意顺序进行编程。当SNAP ！脉冲编程程序完成后，所有的位与验证
V
CC
= 5 V ，G / V
PP
= V
白细胞介素，
和E = V
IL
.
禁止程序
编程可以通过保持在E引脚高电平输入被禁止。
程序校验
位编程可以验证当G / V
PP
和E = V
IL
.
签名模式
签名方式提供访问二进制代码，用于识别生产商和类型。此模式是
当A9被迫12 V.两个标志字节激活是通过切换A0访问。必须所有其他地址
保持低电平。对这些设备的签名代码是9785. A0选择的制造商代码97 （十六进制） ，并
A0高选择设备代码85 ，如表3所示。
表3.签名模式
标识符
制造商代码
器件代码
引脚
A0
VIL
VIH
DQ7
1
1
DQ6
0
0
DQ5
0
0
DQ4
1
0
DQ3
0
0
DQ2
1
1
DQ1
1
0
DQ0
1
1
（十六进制）
97
85
E = G = VIL ， A9 = VH ， A1 - A8 = VIL ， A10 - A15 = VIL ， PGM = VIH或VIL 。
4
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TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
开始
ADDRESS =第一个位置
VCC = 6.5 V
±
0.25 V， G / VPP = 13 V
±
0.25 V
方案一脉冲= TW = 100
s
增量地址
节目
模式
LAST
地址
?
是的
No
ADDRESS =第一个位置
X=0
方案一脉冲= TW = 100
s
No
增量
地址
VERIFY
一个字节
失败
X=X+1
X = 10?
互动
模式
通
No
LAST
地址
?
是的
是的
设备失败
VCC = 5 V
±
0.5 V ， G / VPP = VIL
比较
所有字节
原
数据
通
设备传递
失败
最终科幻
验证
图1. SNAP ！脉冲编程流程图
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5
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D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 65 536 8位
采用5 V单电源供电
引脚兼容现有的512K MOS
ROM， PROM中，与EPROM的
所有输入/输出完全兼容TTL
最大接入/最小周期时间
V
CC
±
10%
’27C/PC512-10
100纳秒
’27C/PC512-12
120纳秒
’27C/PC512-15
150纳秒
’27C/PC512-20
200纳秒
’27C/PC512-25
250纳秒
省电的CMOS技术
非常高速的SNAP ！脉冲
程序设计
3态输出缓冲器
400 mV的最小DC抗噪性
标准TTL负载
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出线
低功耗（V
CC
= 5.25 V )
- 主动。 。 。 158 mW的最坏情况
- 待机。 。 。 1.4毫瓦最坏情况
（ CMOS输入电平）
温度范围选项
512K EPROM可提供符合MIL -STD- 883C
B级的高可靠性处理
(SMJ27C512)
套餐
（顶视图）
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
G / V
PP
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
FM包装
（顶视图）
描述
该TMS27C512系列65 536 ×8位
（ 524 288位） ，紫外（ UV）光可擦除，
电可编程只读存储器
（ EPROM中） 。
该TMS27PC512系列65 536 ×8位
（ 524 288位） ，一次性可编程（ OTP ）
电可编程只读存储器
（ PROM中） 。
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ0
A7
A12
A15
NU
VCC
A14
A13
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
G / V
PP
A10
E
DQ7
DQ6
PIN NOMENCLATURE
A0 – A15
E
DQ0 - DQ7
G / VPP
GND
NC
NU
VCC
地址输入
芯片使能/关机
输入（编程） /输出
13 -V编程电源
地
无内部连接
不作任何外部连接
5 V电源
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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DQ1
DQ2
GND
NU
DQ3
DQ4
DQ5
1
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描述（续）
这些设备所使用的省电CMOS技术为高速且简单的界面捏造
MOS和双极性电路。所有的投入（包括程序数据输入）可以通过74系列TTL电路驱动
无需使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个74系列TTL电路，无需外部
电阻器。
的数据输出是三态，用于连接多个设备到一个共同的总线上。该TMS27C512和
TMS27PC512的引脚与28引脚512K MOS ROM， PROM中，与EPROM的兼容。
该TMS27C512 EPROM是提供在一个双列直插式陶瓷封装（J后缀）在设计用于插
安装孔排在15.2毫米（ 600密耳）中心。该TMS27PC512 OTP PROM是在一个32引脚提供
采用1.25毫米（ 50密耳）引线间距（ FM后缀）塑料有引线芯片载体封装。
该TMS27C512和TMS27PC512提供两种选择的0 ℃的温度范围内，以70℃（ JL和
FML后缀）和 - 40 ° C至85°C （ JE和FME后缀） 。见表1 。
所有封装形式符合JEDEC标准。
表1.温度范围后缀
EPROM
和
OTP PROM
TMS27C512-xxx
TMS27PC512-xxx
后缀操作
自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
JL
FML
- 40 ° C至85°C
JE
FME
这些的EPROM和OTP PROM中从单一5V电源（在读模式）操作，因此非常适合使用
在基于微处理器的系统。另外一个13 - V电源需要进行编程。所有的编程信号
是TTL电平。对器件进行编程使用SNAP ！脉冲编程算法。在SNAP ！脉冲
规划算法采用的是V
PP
13 V和V
CC
将6.5V为七秒的标称编程时间。
到体系外的编程中，现有的EPROM编程器都可以使用。位置可以是
单独地编程，以块或随机的。
2
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手术
操作的七种模式列于表2中读出模式，需要一个单一的5V电源。所有的输入都是
除了V TTL电平
PP
在编程时（ 13 V的SNAP ！脉冲）和12 V的A9签字模式。
表2.操作模式
模式？
功能
E
G / VPP
VCC
A9
A0
DQ0 - DQ7
X可以为VIL或VIH 。
VH = 12 V
±
0.5 V.
读
VIL
VIL
VCC
X
X
数据输出
产量
关闭
VIL
VIH
VCC
X
X
高阻
待机
VIH
X
VCC
X
X
高阻
程序设计
VIL
VPP
VCC
X
X
DATA IN
VERIFY
VIL
VIL
VCC
X
X
数据输出
节目
抑制
VIH
VPP
VCC
X
X
高阻
VH ？
VIL
CODE
MFG
97
设备
85
签名
模式
VIL
VIL
VCC
VH ？
VIH
读/输出禁止
当两种或更多种TMS27C512s或TMS27PC512s的输出并联连接在同一总线上，
在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰
的其它设备。读取单个装置的输出端，一个低电平信号被施加到E和G / V
PP
销。
在电路中的所有其他设备应禁用通过施加高电平信号的输出，以这些中的一个
销。输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
闭锁抗扰度
在TMS27C512和TMS27PC512闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。
此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时设备
接口是业界标准的TTL或MOS逻辑器件。输入输出的布局方式控制闭锁
而不会影响性能或包装密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可以减少为30 mA至500
A
（TTL电平输入）或250
A
（ CMOS电平
输入），通过施加高TTL / CMOS信号到E销。在这种模式下的所有输出处于高阻抗
状态。
擦除（ TMS27C512 ）
在编程之前，所述TMS27C512 EPROM是通过在透明盖露出芯片擦除
到高强度的紫外光（波长2537埃） 。 EPROM擦除之前编程
必要的，以确保所有的位是在逻辑高状态。逻辑低点被编程到所希望的位置。
编程的逻辑低电平只能通过紫外线擦除。建议的最低照射剂量
（紫外线强度
×
曝光时间）是15 Ws /厘米
2
。一个典型的12毫瓦/平方厘米
2
，滤波紫外线灯擦除设备
21分钟。该灯应放置约2.5cm擦除在芯片上方。但是应当注意的是
正常的环境光中包含了正确的波长擦除。因此，在使用TMS27C512时，该
窗口应覆盖不透明的标签。
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初始化（ TMS27PC512 ）
一次性可编程TMS27PC512 PROM具备了逻辑高电平状态的所有位，那么逻辑低点
被编程到所希望的位置。编程到一个PROM的逻辑低点不能被擦除。
SNAP ！脉冲编程
512K的EPROM和OTP PROM使用TI SNAP编程的！脉冲编程算法
由图1中的流程图，其中在七秒的标称时间的程序所示。实际编程
时间变化所使用的程序装置的功能。
在SNAP ！脉冲编程算法使用100微秒（ μs）内，接着一个字节的初始脉冲
验证，以确定何时寻址的字节已被成功编程。多达10 （ 10 ）100- μs的
提供每字节脉冲之前失败是公认的。
编程模式实现了与G / V
PP
= 13 V, V
CC
= 6.5 V ，和E = V
IL
。数据被呈现在平行
（ 8位）引脚DQ0到DQ7 。一旦地址和数据是稳定的，E是脉冲的。
多个设备可以与该设备连接在并行编程。位置可以是
以任意顺序进行编程。当SNAP ！脉冲编程程序完成后，所有的位与验证
V
CC
= 5 V ，G / V
PP
= V
白细胞介素，
和E = V
IL
.
禁止程序
编程可以通过保持在E引脚高电平输入被禁止。
程序校验
位编程可以验证当G / V
PP
和E = V
IL
.
签名模式
签名方式提供访问二进制代码，用于识别生产商和类型。此模式是
当A9被迫12 V.两个标志字节激活是通过切换A0访问。必须所有其他地址
保持低电平。对这些设备的签名代码是9785. A0选择的制造商代码97 （十六进制） ，并
A0高选择设备代码85 ，如表3所示。
表3.签名模式
标识符
制造商代码
器件代码
引脚
A0
VIL
VIH
DQ7
1
1
DQ6
0
0
DQ5
0
0
DQ4
1
0
DQ3
0
0
DQ2
1
1
DQ1
1
0
DQ0
1
1
（十六进制）
97
85
E = G = VIL ， A9 = VH ， A1 - A8 = VIL ， A10 - A15 = VIL ， PGM = VIH或VIL 。
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TMS27C512 65536 ×8位紫外线擦除
TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
开始
ADDRESS =第一个位置
VCC = 6.5 V
±
0.25 V， G / VPP = 13 V
±
0.25 V
方案一脉冲= TW = 100
s
增量地址
节目
模式
LAST
地址
?
是的
No
ADDRESS =第一个位置
X=0
方案一脉冲= TW = 100
s
No
增量
地址
VERIFY
一个字节
失败
X=X+1
X = 10?
互动
模式
通
No
LAST
地址
?
是的
是的
设备失败
VCC = 5 V
±
0.5 V ， G / VPP = VIL
比较
所有字节
原
数据
通
设备传递
失败
最终科幻
验证
图1. SNAP ！脉冲编程流程图
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