UVEPROM
奥斯汀半导体公司
256K UVEPROM
紫外线可擦除可编程
只读存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-86063
MIL -STD- 883
SMJ27C256
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP （J ）
（ 600密耳）
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
G\
A10
E\
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
特点
有组织32,768 ×8
单+ 5V ± 10 ％电源
与现有引脚兼容256K ROM的和
EPROM的
所有输入/输出完全兼容TTL
省电CMOS技术
超高速SNAP ！脉冲编程
三态输出缓冲器
400 mV的直流保证抗噪性与standarad
TTL负载
250 mA的所有输入和输出闭锁抗扰度
引脚
低功耗（ CMOS输入电平）
PACTIVE
- 165mW最坏情况
PStandby
- 1.7MW最坏情况（ CMOS输入电平）
引脚名称
A0 - A14
DA0-DQ7
E\
G\
GND
V
CC
V
PP
功能
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能/关机
OUTPUT ENABLE
地
5V电源
13V编程电源
概述
该SMJ27C256系列是一组262,144位，紫外 -
光可擦除电可编程只读
回忆。这些器件采用省电制造
CMOS技术对于高速且简单的界面
MOS和双极性电路。所有的投入（包括程序数据
输入），可以通过系列54 TTL电路不被驱动
使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个
54系列TTL电路，无需外部电阻器。数据
输出是三态，用于连接多个设备到一个
常见的总线。该SMJ27C256是引脚兼容
28引脚256K ROM和EPROM中。它提供了600mil
双列直插式陶瓷pagackage （J后缀）的额定工作
从-55°C至125°C 。
因为这EPROM从单一5V电源供电（在
读取模式）时，它是非常适合于使用基于微处理器的
系统。一个其它电源（ 13V ） ，需要进行编程。
所有的编程信号是TTL电平。该装置是
通过SNAP编程！脉冲编程算法。
在SNAP ！脉冲编程算法采用的是V
PP
13V的
之间的V型
CC
6.5V的四标称的编程时间
秒。到体系外的编程，现有
EPROM编程器都可以使用。位置可以是
单独地编程，以块或随机的。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
选项
时机
为150ns访问
170ns的访问
200ns的访问
250ns的访问
300ns的访问
包（ S）
陶瓷DIP （ 600mils ）
记号
-15
-17
-20
-25
-30
J
第110号
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
M
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
SMJ27C256
1.0版9/01
1
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
功能框图*
EPROM 32,768 ×8
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
E\
G\
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
21
23
2
26
27
20
22
0
SMJ27C256
A
0
32,767
A
A
A
A
A
A
A
A
11
12
13
15
16
17
18
19
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
[ PWR DWN ]
＆放大器;
EN
*这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
手术
在7种工作模式的SMJ27C256列于表1中。读模式需要一个单一的5V电源。所有
输入是TTL电平，除了V
PP
在程序设计（ 13V为SNAP ！脉冲） ，和（ 12V）的A9签字模式。
表1.操作模式
功能
（ PINS）
E\ (20)
G\ (22)
V
PP
(1)
V
CC
(28)
A9 (24)
A0 (10)
模式*
读
V
IL
V
IL
V
CC
V
CC
X
X
产量
节目
签名模式
STANDBY编程校验
关闭
抑制
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
CC
V
CC
X
X
高-Z
X
V
CC
V
CC
X
X
高-Z
V
IH
V
PP
V
CC
X
X
DATA IN
V
IL
V
PP
V
CC
X
X
数据输出
X
V
PP
V
CC
X
X
高-Z
V
ID
V
IL
V
IL
V
CC
V
CC
V
ID
V
IH
DQ0-DQ7
数据输出
(11-13, 15-19)
* X可以是V
IL
或V
IH
.
SMJ27C256
1.0版9/01
CODE
MFG
设备
97
04
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
读/输出禁止
当两种或更多种SMJ27C256s的输出端被连接
在同一总线上，任何特定设备的输出上平行
在电路中可以被读，没有来自干扰
竞争的其他设备的输出。要读取的输出
所选SMJ27C256 ，一个低电平信号被施加到E \\
和G \\ 。在电路中的所有其他设备应具有其
禁止通过施加一个高电平信号输出到其中的一个
销。输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
SMJ27C256
SNAP ！脉冲编程
该SMJ27C256 EPROM是通过使用SNAP编程！
如所示的流程图脉冲编程算法
在图1中的标称该算法的程序的设备
4秒的时间。实际编程时间变化的
功能使用的程序员。
数据被呈现在并行（8位）上的引脚DQ0到DQ7的。
一旦地址和数据是稳定的，E \\是脉冲的。
在SNAP ！脉冲编程算法使用初始脉冲
为100微秒（ μs）内后跟一个字节的验证步骤
来确定何时处理字节已成功
编程。提供每字节多达10 100μs的脉冲
前一个故障被识别。
编程模式，实现当V
PP
= 13V,
V
CC
= 6.5V ，G \\ = V
IH
和E \\ = V
IL
。多单可装置
当设备连接在并行编程。
位置可以按照任何顺序进行编程。当SNAP ！
脉冲编程例程完成，所有位都被验证
随着V
CC
= V
PP
= 5V.
闭锁抗扰度
在SMJ27C256闭锁免疫力最低为250mA
对所有的输入和输出。此功能提供闭锁
免疫之外在印刷任何潜在的瞬态
当EPROM接口采用工业电路板级
标准TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局
方法控制闭锁而不会影响性能
或堆积密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可从25毫安减少
（ SMJ27C256-15通过SMJ27C256-25 ）为500μA （与TTL
电平输入）或300μA （ CMOS电平输入）通过施加高
TTL / CMOS信号到E \\销。在这种模式下所有的输出都
在高阻抗状态。
禁止程序
编程可通过保持一个高水平地抑制
输入关于电子商务\\ 。
删除
在编程之前，所述SMJ27C256通过曝光擦除
通过透明盖到一个高强度的芯片超
紫色光（波长2537埃） 。 EPROM擦除前
编程是必需的，以确保所有的位都在
逻辑高电平状态。逻辑低点被编程到所希望的
位置。编程的逻辑低电平只能通过擦除
紫外光。建议的最低照射剂量
（紫外线强度X曝光时间）为15W 秒/厘米
2
。一个典型的
12mW/cm
2
，滤波紫外线灯擦除设备
21分钟。该灯应放置约2.5cm以上
擦除期间的芯片。擦除之后，所有位都在高
状态。但是应当注意的是，在正常环境光包含
正确的波长进行删除;因此，当使用
SMJ27C256 ，窗口应覆盖有不透明
标签。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 13V时，
摹\\ = V
IL
和E \\ = V
IH
.
签名模式
签名模式提供了访问一个二进制码
识别制造商和设备类型。此模式是
当A9被迫12V ±0.5V激活。两个标识符
字节由A0 （端子10）的访问;即A0 = V
IL
访问
制造商代码，这是DQ0 - DQ7输出; A0 = V
IH
访问设备的代码，这也是对DQ0 - DQ7输出。
所有其他地址必须在VIL举行。每个字节包含
奇校验位上DQ7 。的制造商代码，这些
设备是97H和设备代码为04H 。
SMJ27C256
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3
UVEPROM
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SMJ27C256
图1. SNAP ！脉冲编程流程图
开始
ADDRESS =第一个位置
V
CC
= 6.5V, V
PP
= 13V
方案一脉冲= T
W
= 100s
增量地址
节目
模式
LAST
地址？
No
是的
ADDRESS =第一个位置
X=0
方案一脉冲= T
W（ E） PR
= 100s
No
VERIFY
字节
增量
地址
失败
X = X+1
X = 10?
通
LAST
地址？
互动
模式
No
是的
V
CC
= V
PP
= 5V ± 10%
是的
设备失败
比较
所有字节
原
数据
失败
最终科幻
验证
通
设备传递
SMJ27C256
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4
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电源电压范围，V
CC
** ...........................- 0.6V至+ 7.0V
电源电压范围，V
pp
** .........................- 0.6V至+ 14.0V
输入电压范围，除A9所有输入
**
..- 0.6V至+ 6.5V
A9 .....- 0.6V至+ 13.5V
输出电压范围** ...............................- 0.6V至V
CC
+1V
最小工作自由空气的温度，T
A
..............-55°C
最大工作温度，T
C
...................125°C
存储温度范围，T
英镑
.....................- 65 ℃至150 ℃的
SMJ27C256
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
**所有电压值相对于GND 。
推荐工作条件
V
CC
V
PP
V
IH
V
IL
V
ID
T
A
T
C
电源电压
电源电压
读取模式
SNAP ！脉冲编程算法
读取模式
SNAP ！脉冲编程算法
TTL输入
2
1
民
4.5
6.25
12.75
2
典型值
5
6.5
13
高电平输入电压
低电平输入电压
在A9的电压电平的签名模式
工作自由空气的温度
工作温度
最大
5.5
6.75
V
CC
-0.6
13.25
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2
13
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
CMOS输入V
CC
-0.2
TTL输入
-0.5
CMOS输入
-0.5
11.5
-55
+125
°C
注意事项：
1. V
CC
之前或同时为V必须施加
PP
和之后或同时为V除去
PP
。该deivce不能被插入或从除去
板时， V
PP
或V
CC
被施加。
2. V
PP
可以连接到V
CC
直接（除了在程序模式）。 V
CC
在这种情况下的电源电流将是我
CC2
+ I
PP1
.
电气特性电源电压和推荐范围
工作自由空气的温度
V
OH
V
OL
I
I
I
O
I
PP1
I
PP2
I
CC1
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
输入电流（泄漏）
输出电流（泄漏）
V
PP
电源电流
V
PP
电源电流（编程脉冲期间）
V
CC
电源电流（待机）
2
测试条件
I
OH
= -400A
I
OL
= 2.1毫安
V
I
= 0V至5.5V
V
O
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
= 5.5V
V
PP
= 13V
V
CC
= 5.5V ，E \\ = V
IH
民
2.4
典型值
1
最大
0.4
±1
±1
10
单位
V
V
A
A
A
mA
A
A
35
50
500
300
TTL输入电平
CMOS输入电平V
CC
= 5.5V ，E \\ = V
CC
'27C256-15
'27C256-17
'27C256-20
'27C256-25
\\ = V
IL
, V
CC
=5.5V
t
周期
=最小，输出
开放
15
I
CC2
V
CC
电源电流（有源）
25
mA
输出电流（泄漏）
I
OS
注意事项：
1.典型值是在T
A
= 25 ° C和标称电压。
2.此参数的特点，在25℃ ，未经测试。
SMJ27C256
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100
mA
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5
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256K UVEPROM
紫外线可擦除可编程
只读存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-86063
MIL -STD- 883
SMJ27C256
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP （J ）
（ 600密耳）
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
G\
A10
E\
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
特点
有组织32,768 ×8
单+ 5V ± 10 ％电源
与现有引脚兼容256K ROM的和
EPROM的
所有输入/输出完全兼容TTL
省电CMOS技术
超高速SNAP ！脉冲编程
三态输出缓冲器
400 mV的直流保证抗噪性与standarad
TTL负载
250 mA的所有输入和输出闭锁抗扰度
引脚
低功耗（ CMOS输入电平）
PACTIVE
- 165mW最坏情况
PStandby
- 1.7MW最坏情况（ CMOS输入电平）
引脚名称
A0 - A14
DA0-DQ7
E\
G\
GND
V
CC
V
PP
功能
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能/关机
OUTPUT ENABLE
地
5V电源
13V编程电源
概述
该SMJ27C256系列是一组262,144位，紫外 -
光可擦除电可编程只读
回忆。这些器件采用省电制造
CMOS技术对于高速且简单的界面
MOS和双极性电路。所有的投入（包括程序数据
输入），可以通过系列54 TTL电路不被驱动
使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个
54系列TTL电路，无需外部电阻器。数据
输出是三态，用于连接多个设备到一个
常见的总线。该SMJ27C256是引脚兼容
28引脚256K ROM和EPROM中。它提供了600mil
双列直插式陶瓷pagackage （J后缀）的额定工作
从-55°C至125°C 。
因为这EPROM从单一5V电源供电（在
读取模式）时，它是非常适合于使用基于微处理器的
系统。一个其它电源（ 13V ） ，需要进行编程。
所有的编程信号是TTL电平。该装置是
通过SNAP编程！脉冲编程算法。
在SNAP ！脉冲编程算法采用的是V
PP
13V的
之间的V型
CC
6.5V的四标称的编程时间
秒。到体系外的编程，现有
EPROM编程器都可以使用。位置可以是
单独地编程，以块或随机的。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
选项
时机
为150ns访问
170ns的访问
200ns的访问
250ns的访问
300ns的访问
包（ S）
陶瓷DIP （ 600mils ）
记号
-15
-17
-20
-25
-30
J
第110号
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
M
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SMJ27C256
1.0版9/01
1
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
功能框图*
EPROM 32,768 ×8
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
E\
G\
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
21
23
2
26
27
20
22
0
SMJ27C256
A
0
32,767
A
A
A
A
A
A
A
A
11
12
13
15
16
17
18
19
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
[ PWR DWN ]
＆放大器;
EN
*这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
手术
在7种工作模式的SMJ27C256列于表1中。读模式需要一个单一的5V电源。所有
输入是TTL电平，除了V
PP
在程序设计（ 13V为SNAP ！脉冲） ，和（ 12V）的A9签字模式。
表1.操作模式
功能
（ PINS）
E\ (20)
G\ (22)
V
PP
(1)
V
CC
(28)
A9 (24)
A0 (10)
模式*
读
V
IL
V
IL
V
CC
V
CC
X
X
产量
节目
签名模式
STANDBY编程校验
关闭
抑制
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
CC
V
CC
X
X
高-Z
X
V
CC
V
CC
X
X
高-Z
V
IH
V
PP
V
CC
X
X
DATA IN
V
IL
V
PP
V
CC
X
X
数据输出
X
V
PP
V
CC
X
X
高-Z
V
ID
V
IL
V
IL
V
CC
V
CC
V
ID
V
IH
DQ0-DQ7
数据输出
(11-13, 15-19)
* X可以是V
IL
或V
IH
.
SMJ27C256
1.0版9/01
CODE
MFG
设备
97
04
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
读/输出禁止
当两种或更多种SMJ27C256s的输出端被连接
在同一总线上，任何特定设备的输出上平行
在电路中可以被读，没有来自干扰
竞争的其他设备的输出。要读取的输出
所选SMJ27C256 ，一个低电平信号被施加到E \\
和G \\ 。在电路中的所有其他设备应具有其
禁止通过施加一个高电平信号输出到其中的一个
销。输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
SMJ27C256
SNAP ！脉冲编程
该SMJ27C256 EPROM是通过使用SNAP编程！
如所示的流程图脉冲编程算法
在图1中的标称该算法的程序的设备
4秒的时间。实际编程时间变化的
功能使用的程序员。
数据被呈现在并行（8位）上的引脚DQ0到DQ7的。
一旦地址和数据是稳定的，E \\是脉冲的。
在SNAP ！脉冲编程算法使用初始脉冲
为100微秒（ μs）内后跟一个字节的验证步骤
来确定何时处理字节已成功
编程。提供每字节多达10 100μs的脉冲
前一个故障被识别。
编程模式，实现当V
PP
= 13V,
V
CC
= 6.5V ，G \\ = V
IH
和E \\ = V
IL
。多单可装置
当设备连接在并行编程。
位置可以按照任何顺序进行编程。当SNAP ！
脉冲编程例程完成，所有位都被验证
随着V
CC
= V
PP
= 5V.
闭锁抗扰度
在SMJ27C256闭锁免疫力最低为250mA
对所有的输入和输出。此功能提供闭锁
免疫之外在印刷任何潜在的瞬态
当EPROM接口采用工业电路板级
标准TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局
方法控制闭锁而不会影响性能
或堆积密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可从25毫安减少
（ SMJ27C256-15通过SMJ27C256-25 ）为500μA （与TTL
电平输入）或300μA （ CMOS电平输入）通过施加高
TTL / CMOS信号到E \\销。在这种模式下所有的输出都
在高阻抗状态。
禁止程序
编程可通过保持一个高水平地抑制
输入关于电子商务\\ 。
删除
在编程之前，所述SMJ27C256通过曝光擦除
通过透明盖到一个高强度的芯片超
紫色光（波长2537埃） 。 EPROM擦除前
编程是必需的，以确保所有的位都在
逻辑高电平状态。逻辑低点被编程到所希望的
位置。编程的逻辑低电平只能通过擦除
紫外光。建议的最低照射剂量
（紫外线强度X曝光时间）为15W 秒/厘米
2
。一个典型的
12mW/cm
2
，滤波紫外线灯擦除设备
21分钟。该灯应放置约2.5cm以上
擦除期间的芯片。擦除之后，所有位都在高
状态。但是应当注意的是，在正常环境光包含
正确的波长进行删除;因此，当使用
SMJ27C256 ，窗口应覆盖有不透明
标签。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 13V时，
摹\\ = V
IL
和E \\ = V
IH
.
签名模式
签名模式提供了访问一个二进制码
识别制造商和设备类型。此模式是
当A9被迫12V ±0.5V激活。两个标识符
字节由A0 （端子10）的访问;即A0 = V
IL
访问
制造商代码，这是DQ0 - DQ7输出; A0 = V
IH
访问设备的代码，这也是对DQ0 - DQ7输出。
所有其他地址必须在VIL举行。每个字节包含
奇校验位上DQ7 。的制造商代码，这些
设备是97H和设备代码为04H 。
SMJ27C256
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
SMJ27C256
图1. SNAP ！脉冲编程流程图
开始
ADDRESS =第一个位置
V
CC
= 6.5V, V
PP
= 13V
方案一脉冲= T
W
= 100s
增量地址
节目
模式
LAST
地址？
No
是的
ADDRESS =第一个位置
X=0
方案一脉冲= T
W（ E） PR
= 100s
No
VERIFY
字节
增量
地址
失败
X = X+1
X = 10?
通
LAST
地址？
互动
模式
No
是的
V
CC
= V
PP
= 5V ± 10%
是的
设备失败
比较
所有字节
原
数据
失败
最终科幻
验证
通
设备传递
SMJ27C256
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4
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电源电压范围，V
CC
** ...........................- 0.6V至+ 7.0V
电源电压范围，V
pp
** .........................- 0.6V至+ 14.0V
输入电压范围，除A9所有输入
**
..- 0.6V至+ 6.5V
A9 .....- 0.6V至+ 13.5V
输出电压范围** ...............................- 0.6V至V
CC
+1V
最小工作自由空气的温度，T
A
..............-55°C
最大工作温度，T
C
...................125°C
存储温度范围，T
英镑
.....................- 65 ℃至150 ℃的
SMJ27C256
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
**所有电压值相对于GND 。
推荐工作条件
V
CC
V
PP
V
IH
V
IL
V
ID
T
A
T
C
电源电压
电源电压
读取模式
SNAP ！脉冲编程算法
读取模式
SNAP ！脉冲编程算法
TTL输入
2
1
民
4.5
6.25
12.75
2
典型值
5
6.5
13
高电平输入电压
低电平输入电压
在A9的电压电平的签名模式
工作自由空气的温度
工作温度
最大
5.5
6.75
V
CC
-0.6
13.25
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2
13
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
CMOS输入V
CC
-0.2
TTL输入
-0.5
CMOS输入
-0.5
11.5
-55
+125
°C
注意事项：
1. V
CC
之前或同时为V必须施加
PP
和之后或同时为V除去
PP
。该deivce不能被插入或从除去
板时， V
PP
或V
CC
被施加。
2. V
PP
可以连接到V
CC
直接（除了在程序模式）。 V
CC
在这种情况下的电源电流将是我
CC2
+ I
PP1
.
电气特性电源电压和推荐范围
工作自由空气的温度
V
OH
V
OL
I
I
I
O
I
PP1
I
PP2
I
CC1
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
输入电流（泄漏）
输出电流（泄漏）
V
PP
电源电流
V
PP
电源电流（编程脉冲期间）
V
CC
电源电流（待机）
2
测试条件
I
OH
= -400A
I
OL
= 2.1毫安
V
I
= 0V至5.5V
V
O
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
= 5.5V
V
PP
= 13V
V
CC
= 5.5V ，E \\ = V
IH
民
2.4
典型值
1
最大
0.4
±1
±1
10
单位
V
V
A
A
A
mA
A
A
35
50
500
300
TTL输入电平
CMOS输入电平V
CC
= 5.5V ，E \\ = V
CC
'27C256-15
'27C256-17
'27C256-20
'27C256-25
\\ = V
IL
, V
CC
=5.5V
t
周期
=最小，输出
开放
15
I
CC2
V
CC
电源电流（有源）
25
mA
输出电流（泄漏）
I
OS
注意事项：
1.典型值是在T
A
= 25 ° C和标称电压。
2.此参数的特点，在25℃ ，未经测试。
SMJ27C256
1.0版9/01
100
mA
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5
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
256K UVEPROM
紫外线可擦除可编程
只读存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-86063
MIL -STD- 883
SMJ27C256
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP （J ）
（ 600密耳）
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
G\
A10
E\
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
特点
有组织32,768 ×8
单+ 5V ± 10 ％电源
与现有引脚兼容256K ROM的和
EPROM的
所有输入/输出完全兼容TTL
省电CMOS技术
超高速SNAP ！脉冲编程
三态输出缓冲器
400 mV的直流保证抗噪性与standarad
TTL负载
250 mA的所有输入和输出闭锁抗扰度
引脚
低功耗（ CMOS输入电平）
PACTIVE
- 165mW最坏情况
PStandby
- 1.7MW最坏情况（ CMOS输入电平）
引脚名称
A0 - A14
DA0-DQ7
E\
G\
GND
V
CC
V
PP
功能
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能/关机
OUTPUT ENABLE
地
5V电源
13V编程电源
概述
该SMJ27C256系列是一组262,144位，紫外 -
光可擦除电可编程只读
回忆。这些器件采用省电制造
CMOS技术对于高速且简单的界面
MOS和双极性电路。所有的投入（包括程序数据
输入），可以通过系列54 TTL电路不被驱动
使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个
54系列TTL电路，无需外部电阻器。数据
输出是三态，用于连接多个设备到一个
常见的总线。该SMJ27C256是引脚兼容
28引脚256K ROM和EPROM中。它提供了600mil
双列直插式陶瓷pagackage （J后缀）的额定工作
从-55°C至125°C 。
因为这EPROM从单一5V电源供电（在
读取模式）时，它是非常适合于使用基于微处理器的
系统。一个其它电源（ 13V ） ，需要进行编程。
所有的编程信号是TTL电平。该装置是
通过SNAP编程！脉冲编程算法。
在SNAP ！脉冲编程算法采用的是V
PP
13V的
之间的V型
CC
6.5V的四标称的编程时间
秒。到体系外的编程，现有
EPROM编程器都可以使用。位置可以是
单独地编程，以块或随机的。
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选项
时机
为150ns访问
170ns的访问
200ns的访问
250ns的访问
300ns的访问
包（ S）
陶瓷DIP （ 600mils ）
记号
-15
-17
-20
-25
-30
J
第110号
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
M
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请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
SMJ27C256
1.0版9/01
1
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
功能框图*
EPROM 32,768 ×8
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
E\
G\
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
21
23
2
26
27
20
22
0
SMJ27C256
A
0
32,767
A
A
A
A
A
A
A
A
11
12
13
15
16
17
18
19
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
[ PWR DWN ]
＆放大器;
EN
*这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
手术
在7种工作模式的SMJ27C256列于表1中。读模式需要一个单一的5V电源。所有
输入是TTL电平，除了V
PP
在程序设计（ 13V为SNAP ！脉冲） ，和（ 12V）的A9签字模式。
表1.操作模式
功能
（ PINS）
E\ (20)
G\ (22)
V
PP
(1)
V
CC
(28)
A9 (24)
A0 (10)
模式*
读
V
IL
V
IL
V
CC
V
CC
X
X
产量
节目
签名模式
STANDBY编程校验
关闭
抑制
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
CC
V
CC
X
X
高-Z
X
V
CC
V
CC
X
X
高-Z
V
IH
V
PP
V
CC
X
X
DATA IN
V
IL
V
PP
V
CC
X
X
数据输出
X
V
PP
V
CC
X
X
高-Z
V
ID
V
IL
V
IL
V
CC
V
CC
V
ID
V
IH
DQ0-DQ7
数据输出
(11-13, 15-19)
* X可以是V
IL
或V
IH
.
SMJ27C256
1.0版9/01
CODE
MFG
设备
97
04
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2
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
读/输出禁止
当两种或更多种SMJ27C256s的输出端被连接
在同一总线上，任何特定设备的输出上平行
在电路中可以被读，没有来自干扰
竞争的其他设备的输出。要读取的输出
所选SMJ27C256 ，一个低电平信号被施加到E \\
和G \\ 。在电路中的所有其他设备应具有其
禁止通过施加一个高电平信号输出到其中的一个
销。输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
SMJ27C256
SNAP ！脉冲编程
该SMJ27C256 EPROM是通过使用SNAP编程！
如所示的流程图脉冲编程算法
在图1中的标称该算法的程序的设备
4秒的时间。实际编程时间变化的
功能使用的程序员。
数据被呈现在并行（8位）上的引脚DQ0到DQ7的。
一旦地址和数据是稳定的，E \\是脉冲的。
在SNAP ！脉冲编程算法使用初始脉冲
为100微秒（ μs）内后跟一个字节的验证步骤
来确定何时处理字节已成功
编程。提供每字节多达10 100μs的脉冲
前一个故障被识别。
编程模式，实现当V
PP
= 13V,
V
CC
= 6.5V ，G \\ = V
IH
和E \\ = V
IL
。多单可装置
当设备连接在并行编程。
位置可以按照任何顺序进行编程。当SNAP ！
脉冲编程例程完成，所有位都被验证
随着V
CC
= V
PP
= 5V.
闭锁抗扰度
在SMJ27C256闭锁免疫力最低为250mA
对所有的输入和输出。此功能提供闭锁
免疫之外在印刷任何潜在的瞬态
当EPROM接口采用工业电路板级
标准TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局
方法控制闭锁而不会影响性能
或堆积密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可从25毫安减少
（ SMJ27C256-15通过SMJ27C256-25 ）为500μA （与TTL
电平输入）或300μA （ CMOS电平输入）通过施加高
TTL / CMOS信号到E \\销。在这种模式下所有的输出都
在高阻抗状态。
禁止程序
编程可通过保持一个高水平地抑制
输入关于电子商务\\ 。
删除
在编程之前，所述SMJ27C256通过曝光擦除
通过透明盖到一个高强度的芯片超
紫色光（波长2537埃） 。 EPROM擦除前
编程是必需的，以确保所有的位都在
逻辑高电平状态。逻辑低点被编程到所希望的
位置。编程的逻辑低电平只能通过擦除
紫外光。建议的最低照射剂量
（紫外线强度X曝光时间）为15W 秒/厘米
2
。一个典型的
12mW/cm
2
，滤波紫外线灯擦除设备
21分钟。该灯应放置约2.5cm以上
擦除期间的芯片。擦除之后，所有位都在高
状态。但是应当注意的是，在正常环境光包含
正确的波长进行删除;因此，当使用
SMJ27C256 ，窗口应覆盖有不透明
标签。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 13V时，
摹\\ = V
IL
和E \\ = V
IH
.
签名模式
签名模式提供了访问一个二进制码
识别制造商和设备类型。此模式是
当A9被迫12V ±0.5V激活。两个标识符
字节由A0 （端子10）的访问;即A0 = V
IL
访问
制造商代码，这是DQ0 - DQ7输出; A0 = V
IH
访问设备的代码，这也是对DQ0 - DQ7输出。
所有其他地址必须在VIL举行。每个字节包含
奇校验位上DQ7 。的制造商代码，这些
设备是97H和设备代码为04H 。
SMJ27C256
1.0版9/01
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3
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
SMJ27C256
图1. SNAP ！脉冲编程流程图
开始
ADDRESS =第一个位置
V
CC
= 6.5V, V
PP
= 13V
方案一脉冲= T
W
= 100s
增量地址
节目
模式
LAST
地址？
No
是的
ADDRESS =第一个位置
X=0
方案一脉冲= T
W（ E） PR
= 100s
No
VERIFY
字节
增量
地址
失败
X = X+1
X = 10?
通
LAST
地址？
互动
模式
No
是的
V
CC
= V
PP
= 5V ± 10%
是的
设备失败
比较
所有字节
原
数据
失败
最终科幻
验证
通
设备传递
SMJ27C256
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UVEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电源电压范围，V
CC
** ...........................- 0.6V至+ 7.0V
电源电压范围，V
pp
** .........................- 0.6V至+ 14.0V
输入电压范围，除A9所有输入
**
..- 0.6V至+ 6.5V
A9 .....- 0.6V至+ 13.5V
输出电压范围** ...............................- 0.6V至V
CC
+1V
最小工作自由空气的温度，T
A
..............-55°C
最大工作温度，T
C
...................125°C
存储温度范围，T
英镑
.....................- 65 ℃至150 ℃的
SMJ27C256
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
**所有电压值相对于GND 。
推荐工作条件
V
CC
V
PP
V
IH
V
IL
V
ID
T
A
T
C
电源电压
电源电压
读取模式
SNAP ！脉冲编程算法
读取模式
SNAP ！脉冲编程算法
TTL输入
2
1
民
4.5
6.25
12.75
2
典型值
5
6.5
13
高电平输入电压
低电平输入电压
在A9的电压电平的签名模式
工作自由空气的温度
工作温度
最大
5.5
6.75
V
CC
-0.6
13.25
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2
13
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
CMOS输入V
CC
-0.2
TTL输入
-0.5
CMOS输入
-0.5
11.5
-55
+125
°C
注意事项：
1. V
CC
之前或同时为V必须施加
PP
和之后或同时为V除去
PP
。该deivce不能被插入或从除去
板时， V
PP
或V
CC
被施加。
2. V
PP
可以连接到V
CC
直接（除了在程序模式）。 V
CC
在这种情况下的电源电流将是我
CC2
+ I
PP1
.
电气特性电源电压和推荐范围
工作自由空气的温度
V
OH
V
OL
I
I
I
O
I
PP1
I
PP2
I
CC1
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
输入电流（泄漏）
输出电流（泄漏）
V
PP
电源电流
V
PP
电源电流（编程脉冲期间）
V
CC
电源电流（待机）
2
测试条件
I
OH
= -400A
I
OL
= 2.1毫安
V
I
= 0V至5.5V
V
O
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
= 5.5V
V
PP
= 13V
V
CC
= 5.5V ，E \\ = V
IH
民
2.4
典型值
1
最大
0.4
±1
±1
10
单位
V
V
A
A
A
mA
A
A
35
50
500
300
TTL输入电平
CMOS输入电平V
CC
= 5.5V ，E \\ = V
CC
'27C256-15
'27C256-17
'27C256-20
'27C256-25
\\ = V
IL
, V
CC
=5.5V
t
周期
=最小，输出
开放
15
I
CC2
V
CC
电源电流（有源）
25
mA
输出电流（泄漏）
I
OS
注意事项：
1.典型值是在T
A
= 25 ° C和标称电压。
2.此参数的特点，在25℃ ，未经测试。
SMJ27C256
1.0版9/01
100
mA
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
QQ：2880707522 复制
