SMG5406
公司Bauelemente
3.6A , 30V ,R
DS ( ON)
65 m
N沟道增强型MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
描述
该SMG5406利用先进的加工
技术,以实现尽可能低的导通电阻,
非常有效和符合成本效益的设备。该
SMG5406普遍适用于所有商业工业
应用程序。
A
L
3
SC-59
3
顶视图
1
2
C B
1
2
K
E
D
特点
简单的驱动要求
封装尺寸小
F
G
H
J
REF 。
记号
5406
包装信息
包
SC-59
MPQ
3K
负责人尺寸
7寸
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.25
3.00
1.30
1.70
1.00
1.40
1.70
2.30
0.35
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.10 REF 。
0.40 REF 。
0.10
0.20
0.45
0.55
0.85
1.15
顶视图
1
3
2
绝对最大额定值
(
T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@10V
T
A
=70°
C
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
T
j
, T
英镑
1
2
符号
V
DS
V
GS
T
A
=25°
C
I
D
评级
30
±20
3.6
单位
V
V
A
2.8
I
DM
10
1.38
0.01
-55~150
A
W
W/°
C
°
C
T
A
=25°
C
P
D
热阻率
最大结到环境
2
R
θJA
90
° /W
C
注意事项:
1.脉冲宽度有限的最大。结温。
2.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 270 ℃ / W安装在最小的时候。铜垫。
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规范的任何更改将不个别通知。
15月- 2011版本A
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3.6A , 30V ,R
DS ( ON)
65 m
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
乳头条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏电流
漏极 - 源极漏电流
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
30
1
-
-
-
-
R
DS ( ON)
g
fs
-
-
-
-
-
-
-
-
-
11
-
3
V
V
nA
A
10
65
m
90
-
S
V
GS
=0, I
D
=250A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=
±
20V
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=3.6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=2.8A
V
DS
= 5V ,我
D
=3.6A
±
100
1
漏源导通电阻
正向跨导
1
动态
总栅极电荷
1
Q
g
Q
gs
Q
gd
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
0.8
1.8
5
9
11
2
120
62
24
3.5
5
-
-
-
-
nS
-
-
290
-
-
-
pF
nC
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
=24V,
V
GS
=4.5V,
I
D
=2.5A
V
DS
=15V,
V
GS
=10V,
R
G
=3.3 ,
R
D
=15 ,
I
D
=1A
V
GS
=0,
V
DS
=25V,
f=1.0MHz
f=1.0MHz
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
西塞
科斯
CRSS
Rg
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
1
1
V
SD
T
RR
Q
RR
-
-
-
-
7.5
2.5
1.0
-
-
V
ns
nC
I
S
= 1A ,V
GS
=0
I
S
= 3.5A ,V
GS
=0
dI/dt=100A/s
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
1.脉冲宽度≦ 300US ,占空比≦ 2 % 。
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特性曲线
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