SMG2391P
公司Bauelemente
-0.9A , -150V ,R
DS ( ON)
1.2
P沟道增强型MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
特点
低R
DS ( ON)
沟槽技术
低热阻
开关速度快
1
SC-59
A
L
3
3
顶视图
2
C B
1
2
K
E
D
应用
的PoE供电设备
的PoE供电设备
电信DC / DC转换器
白光LED升压转换器
F
G
H
J
REF 。
A
B
C
D
E
F
包装信息
包
SC-59
MPQ
3K
负责人尺寸
7寸
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.25
3.00
1.30
1.70
1.00
1.40
1.70
2.30
0.35
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
顶视图
毫米
分钟。
马克斯。
0.10 REF 。
0.40 REF 。
0.10
0.20
0.45
0.55
0.85
1.15
1
3
2
绝对最大额定值
(
T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
1
2
1
符号
V
DS
V
GS
T
A
=25°
C
I
D
T
A
=70°
C
I
DM
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
P
D
I
S
T
J
, T
英镑
评级
-150
±20
-0.9
单位
V
V
A
-0.8
5
1.3
W
0.8
1.5
-55~150
A
°
C
A
连续源电流(二极管传导)
1
工作结存储温度范围
热阻率
最大结到环境
1
t< = 10秒
稳定状态
R
θJA
100
166
° /W
C
注意事项:
1.表面装在1 “×1 ” FR4板。
2.脉冲宽度有限的最大值。结温。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
27 - OCT- 2011版本A
第1页4
SMG2391P
公司Bauelemente
-0.9A , -150V ,R
DS ( ON)
1.2
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
乳头条件
STATIC
通态漏电流
门源阈值电压
门体漏电流
漏极 - 源极漏电流
I
D(上)
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
-0.5
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.2
-0.8
-
-
A
V
nA
A
V
DS
= -5V,V
GS
= -10V
V
DS
=V
GS
, I
D
= -250uA
V
DS
=0,V
GS
=
±
20V
V
DS
= -120V, V
GS
=0
V
DS
= -120V, V
GS
=0,T
J
=55°
C
V
GS
= -10V ,我
D
= -0.8A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -0.7A
±
100
-1
-10
1.2
1.3
-
-
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
-
-
-
S
V
V
DS
= -15V ,我
D
= -0.5A
I
S
= -0.75A ,V
GS
=0
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.4
1.3
1.6
3
10
15
11
334
41
23
-
-
-
-
-
nS
-
-
-
-
-
pF
nC
V
DS
= -75V,
V
GS
= -4.5V,
I
D
= -0.8A
V
DD
= -75V,
V
根
= -10V,
R
根
=6 ,
R
L
=93.8 ,
I
D
= -0.8A
V
DS
= -15V,
V
GS
=0,
f=1.0MHz
注意事项:
1.脉冲测试: PW ≦ 300μS ,占空比≦ 2 % 。
2.设计保证,不受生产测试。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
27 - OCT- 2011版本A
第2页4
SMG2391P
公司Bauelemente
-0.9A , -150V ,R
DS ( ON)
1.2
P沟道增强型MOSFET
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
27 - OCT- 2011版本A
第3页4
SMG2391P
公司Bauelemente
-0.9A , -150V ,R
DS ( ON)
1.2
P沟道增强型MOSFET
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
27 - OCT- 2011版本A
第4页4