SMG2317P
公司Bauelemente
-0.9 A， -30 V ，R
DS （ ON）
300 m
P沟道增强型MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET采用高
细胞密度的过程。低R
DS （ ON）
保证最小的功率损耗
并节省能源，使该器件非常适用于电源使用
管理电路。典型的应用是低电压
应用，电源管理在便携式及电池供电的
产品，如计算机，打印机，PCMCIA卡，蜂窝
和无绳电话。
A
3
SC-59
L
3
顶视图
1
2
C B
1
2
K
E
D
特点
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和扩展
电池寿命。
低栅电荷
快速转换。
小型SC- 59表面贴装封装节省
电路板空间。
F
G
H
J
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.25
3.00
1.30
1.70
1.00
1.40
1.70
2.30
0.35
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.10 REF 。
0.40 REF 。
0.10
0.20
0.45
0.55
0.85
1.15
包装信息
包
SC-59
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸
1
3
2
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（二极管传导）
1
功耗
1
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
评级
-30
±20
-0.9
-0.75
-10
0.4
0.5
0.42
-55 ~ 150
250
285
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
/ W
I
D
I
DM
I
S
P
D
@ T
A
=25°C
P
D
@ T
A
=70°C
P
D
工作结存储温度范围
最大结到环境
1
注意事项：
1
2
TJ ， TSTG
热阻数据
t
≦
5秒
稳定状态
R
θJA
表面装在1 “×1” FR4板。
脉冲宽度有限的最高结温。
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DS （ ON）
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P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
测试条件
关机特性
漏源击穿电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
I
GSS
-30
-
-
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-10
-
-
-
-
±100
-1
μA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
nA
V
DS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
开关打开特性
栅极阈值电压
通态漏电流
1
V
GS （ TH）
I
D（上）
-0.8
-2
-
漏源导通电阻
1
R
DS （ ON）
-
-
正向跨导
1
二极管的正向电压
g
fs
V
SD
-
-
-1.7
-
250
530
450
2
-0.7
-2.6
-
300
660
500
-
-1.2
S
V
m
V
A
V
DS
=V
GS
, I
D
= -250uA
V
DS
= -5V, V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V ，我
D
= -1A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.9A ，T
J
= 55°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.9A
V
DS
= -5V ，我
D
= -1.1A
I
S
= -0.4A ，V
GS
= 0V
动态
2
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
-
-
-
2
0.5
1.1
3
-
-
nC
V
DS
= -10V, V
GS
= -5V,
I
D
= -0.9A
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项：
1
2
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
-
-
-
-
8
16
36
33
16
32
nS
93
94
V
DS
= -10V, V
根
= -10V,
R
G
= 50, I
D
= -0.9A
脉冲测试： PW
≦
300我们占空比
≦
2%.
通过设计保证，不受生产测试。
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