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SMG2309
-3.7A ， -30V ，R
DS （ ON）
75m
Ω
公司Bauelemente
P沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
描述
L
A
SC-59
暗淡
A
民
2.70
1.40
1.00
0.35
1.70
0.00
0.10
0.20
0.85
2.40
最大
3.10
1.60
1.30
0.50
2.10
0.10
0.26
0.60
1.15
2.80
该SMG2309为设计者提供了最好的
快速切换的组合，低导通电阻
和成本效益。
该SMG2309普遍首选的所有商业
工业表面贴装应用程序，并适用于低
电压应用，如DC / DC转换器。
S
2
3
顶视图
B
1
B
C
D
D
G
C
H
漏
门
G
H
J
K
特点
*简单的驱动要求
*小封装外形
J
K
L
S
应用
*在笔记本电脑的电源管理
*的Protable设备
*电池供电系统
来源
D
单位：mm外形尺寸
G
标记： 2309
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
C
o
o
o
评级
-30
±20
-3.7
-3.0
-12
1.38
0.01
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
Rthj -A
评级
90
o
单位
C / W
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
4
SMG2309
公司Bauelemente
-3.7A ， -30V ，R
DS （ ON）
75m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
o
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
o
C
)
静态漏源导通电阻
2
2
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
-30
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V/
o
C
V
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25
o
C，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=-30V,V
GS
=0
V
DS
=-24V,V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-3A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.6A
-0.02
_
_
_
_
_
_
-1.0
_
_
_
_
-3.0
±
100
-1
-25
75
120
8
_
_
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
5
1
3
8
5
20
7
412
91
62
5.0
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
2
nC
I
D
=-3A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
_
_
_
_
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
nS
V
GS
=-10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=15
Ω
660
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= -10V ，我
D
=-3A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
SD
分钟。
_
_
典型值。
_
马克斯。
-1.2
_
单位
V
测试条件
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0V.
是= 3.0A ，V
GS
=0
dl/dt=100A/uS
反向恢复时间
2
TRR
QRR
20
nS
反向恢复电荷
_
15
_
nC
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面安装在1英寸
2
FR4电路板的铜垫; 270
° C / W
安装在最小的时候。铜垫。
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SMG2309
-3.7A ， -30V ，R
DS （ ON）
75m
Ω
公司Bauelemente
P沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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SMG2309
公司Bauelemente
-3.7A ， -30V ，R
DS （ ON）
75m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
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图12.栅极电荷波形
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