SMG1332E
公司Bauelemente
600毫安, 20V ,R
DS ( ON)
600m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
描述
该SMG1332E为设计者提供了最好的
快速swirching的组合,低导通电阻
和成本效益。
S
2
A
L
3
顶视图
SC-59
暗淡
A
B
1
民
2.70
1.40
1.00
0.35
1.70
0.00
0.10
0.20
0.85
2.40
最大
3.10
1.60
1.30
0.50
2.10
0.10
0.26
0.60
1.15
2.80
B
C
D
G
H
J
K
D
特点
*
简单的栅极驱动器
*
2KV ESD额定值(每MIL -STD- 883D )
*小封装外形
H
G
C
J
K
L
S
漏
门
来源
单位:mm外形尺寸
D
G
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1,2
3
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
C
o
o
o
评级
20
±
5
600
470
2.5
1.0
0.008
单位
V
V
mA
mA
A
W
W /
o
C
o
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ , TSTG
-55~+150
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
马克斯。
Rthj -A
评级
125
单位
o
C / W
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SMG1332E
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600毫安, 20V ,R
DS ( ON)
600m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性( TJ = 25℃
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流( TJ = 70
o
C
)
静态漏源导通电阻
o
o
除非另有规定编)
符号
BV
DSS
分钟。
20
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
uA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
参考至25℃ ,我
D
=1m
A
V
DS
=V
GS ,
I
D
=250uA
V
GS
=
±5V
V
DS
=20V,V
GS
=0
V
DS
=16V,V
GS
=0
V
GS
= 4.5V ,我
D
=600mA
o
BV
DS
/ TJ
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
0.02
_
_
_
_
_
_
0.5
_
_
_
_
1.2
±
10
1
10
600
R
DS ( ON)
Qg
QGS
QGD
Td
(上)
Tr
Td
(关闭)
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
Ω
1200
2
_
_
_
V
GS
= 2.5V ,我
D
=400mA
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
NPUT电容
I
输出电容
反向传输电容
正向跨导
1.3
0.3
0.5
4
10
15
2
38
17
12
1
nC
I
D
=600mA
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
_
_
_
_
_
_
_
V
DD
=10V
I
D
=600mA
nS
V
GS
=10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=16.7
Ω
_
_
_
60
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=10V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= 5V ,我
D
=600mA
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
DS
分钟。
_
典型值。
_
马克斯。
1.2
单位
V
测试条件
I
S
= 300毫安,V
GS
=0V.
注: 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ,占空比
≦
2%.
3.表面安装
FR4板,T
≦
10sec.
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特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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