【SMG111K公司Bauelemente640mA,55V,RDS （ ON）2ΩN沟道增强模式电源】,IC型号SMG111K,SMG111K PDF资料,SMG111K经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMG111K

公司Bauelemente

640mA,

55V,R

DS （ ON）

N沟道增强模式电源Mos.FET

描述

该SMG111K利用先进的加工

技术，以实现尽可能低的导通

性，极其高效和成本效益

装置。该SMG111K被普遍用于

所有商业工业应用。

顶视图

SC-59

暗淡

民

2.70

1.40

1.00

0.35

1.70

0.00

0.10

0.20

0.85

2.40

最大

3.10

1.60

1.30

0.50

2.10

0.10

0.26

0.60

1.15

2.80

特点

*符合RoHS标准

*简单的驱动要求

*小封装外形

漏

标记：

111E

门

来源

单位：mm外形尺寸

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@10V

连续漏电流， V

@10V

漏电流脉冲

1,2

符号

=25

=70

=25

评级

±20

640

500

950

1.38

0.01

单位

W /

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

TJ ， TSTG

-55~+150

热数据

参数

热阻结到环境

符号

马克斯。

Rthj -A

评级

单位

C / W

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55V,R

DS （ ON）

N沟道增强模式电源Mos.FET

电气特性（ TJ = 25℃

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度。系数

栅极阈值电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25

)

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70

)

静态漏源导通电阻

除非另有规定编）

符号

DSS

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V / C

测试条件

= 0V时，我

=250uA

参考至25℃ ，我

=1mA

GS ，

=250uA

±20V

=55V,V

=40V,V

= 10V ，我

=500mA

= 4.5V ，我

=500mA

/ TJ

GS （ TH）

GSS

DSS

0.06

0.5

2.0

100

1.6

DS （ ON）

QGS

QGD

（上）

（关闭）

西塞

科斯

CRSS

政府飞行服务队

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

正向跨导

0.5

600

=600mA

=50V

=4.5V

=30V

=600mA

=10V

=3.3

=52

=0V

=25V

f=1.0MHz

= 10V ，我

=600mA

源极 - 漏极二极管

参数

正向电压上

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

测试条件

=的200mA， V

=0V.

注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度

≦

300US ，占空比

≦

2%.

3.表面安装在1英寸

FR4电路板的铜垫; 270

° C / W

安装在最小的时候。铜垫。

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特性曲线

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

图5.正向特性

反向二极管

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图6.栅极阈值电压V.S.

结温

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图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

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