BL
特点
银河电子
1N6267- - -1N6303A
击穿电压： 6.8 --- 200伏
峰值脉冲功率： 1500 W
瞬态电压抑制器
塑料包装
有
美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
玻璃钝化结
有10 / 1000μs 1500W峰值脉冲功率能力
波形，重复率（占空比） ： 0.05％
出色的钳位能力
低增量浪涌电阻
快速响应时间：通常小于1.0ps从0伏特至
V
（ BR ）
对于单向和5.0ns的双向类型
对于V器件
（ BR ）
10V ， ID通常比小于1.0μA
/ 10秒
高tem温度焊接保证： 265
DO-201AE
0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 51bs 。 （ 2.3千克）张力
机械数据
案例： JEDEC DO - 201AE ，模压塑料
极性：色环表示正端
（阴极），除了用于双向
重量： 0.032盎司，
0.9
克
安装位置：任意
对于双向应用的器件
对于双向使用C或CA后缀类型1N6267直通类型1N6303A （如1N6267 ， 1N6303A ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值和特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
符号
山顶POW ER消耗瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ，图1 ）
峰值脉冲电流瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ）
稳态POW ER功耗在T
L
=75
fffff
铅长度0.375"设计（9.5mm ） （注2 ）
山顶FORW ARD浪涌电流， 8.3ms单半
ffffsine -W
AVE叠加在额定负荷（ JEDEC的方法） （注3 ）
在最大瞬时FORW ARD电压
100
一种单向止（注4 ）
典型热阻结到引线
典型热阻结到环境
工作结存储温度范围
价值
最低1500
参照表1
6.5
200.0
3.5/5.0
20
75
-50---+175
单位
W
A
W
A
V
/W
/W
P
PPM
I
PPM
P
M（ AV）在
I
FSM
V
F
R
θ
JL
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
注：（1）非重复性电流pules ，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25元图。 2
（ 2 ）安装在1.6" X 1.6" （ 40 x40mm铜焊盘面积
2
）每图。五
（ 3 ）测量8.3ms经单半正弦波-W AVE或equare瓦特大街，占空比= 4个脉冲每分钟最高
(4) V
F
= 3.5伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
200V ，而V
F
= 5.0伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
>200V
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文档编号0285011
BL
银河电子
1.
在（T电气特性
A
=25
Breakdow
电压V
（ BR ）
(V)
(NOTE1)
民
1N6286
1N6286A
1N6287
1N6287A
1N6288
1N6288A
1N6289
1N6289A
1N6290
1N6290A
1N6291
1N6291A
1N6292
1N6292A
1N6293
1N6293A
1N6294
1N6294A
1N6295
1N6295A
1N6296
1N6296A
1N6297
1N6297A
1N6298
1N6298A
1N6299
1N6299A
1N6300
1N6300A
1N6301
1N6301A
1N6302
1N6302A
1N6303
1N6303A
38.7
40.9
42.3
44.7
45.9
48.5
50.4
53.2
55.8
58.9
61.2
64.6
67.5
71.3
73.8
77.9
81.9
86.5
90.0
95.0
99.0
105
108
114
117
124
136
143
144
152
153
162
162
171
180
190
最大
47.3
45.2
51.7
49.4
56.1
53.6
61.8
58.8
68.2
65.1
74.8
71.4
82.5
78.8
90.2
86.1
100
95.5
110
105
121
116
132
126
143
137
165
158
176
168
187
179
198
189
220
210
除非另有说明）
最大
反向
LEAKGE
在V
WM
I
D（注3） （ μ
A
)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.
0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
高峰普尔斯ê
I
PPM(NOTE2)
(A)
24.2
25.3
22.1
23.1
20.4
21.4
18.6
19.5
16.9
17.6
15.3
16.3
13.9
14.6
12.7
13.3
11.5
12.0
10.4
10.9
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
7.0
7.2
6.5
6.8
6.1
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
表1 （续'D ）
最大
夹紧
电压
I
PPM
V
C
(V)
61.9
59.3
67.8
64.8
73.5
70.1
80.5
77.0
89.0
85.0
98.0
92.0
109
104
118
113
131
125
144
137
158
152
173
165
187
179
215
207
230
219
244
234
258
246
287
274
最大
温度
系数
V的
（ BR ）
(%/ )
0.101
0.101
0.101
0.101
0.102
0.102
0.103
0.103
0.104
0.104
0.104
0.104
0.105
0.105
0.105
0.105
0.106
0.106
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.108
0.106
0.106
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
设备类型
试验台客
电流电压
在我
T
V
WM
（MA ）
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
34.8
36.8
38.1
40.2
41.3
43.6
45.4
47.8
50.2
53.0
55.1
58.1
60.7
64.1
66.4
70.1
73.7
77.8
81.0
85.5
89.2
94.0
97.2
102
105
111
121
128
130
136
138
145
146
154
162
171
注：对于双向使用C或CA后缀类型
1N6267
直通型
1N6303A(e.g.1N6267,1N6303A).
电动
特征适用于两个方向。
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BL
银河电子
3.
收视率和特性曲线
峰值脉冲功率（P ）或电流
PP
1N6267- -
-1N6303A
图1 - 额定峰值脉冲功率曲线
P
PPM
，峰值脉冲功率，千瓦
100
不重复
脉冲波形
如果如图3所示
T
A
=25
10
图2 - 脉冲降额曲线
降额百分比， ％
100
75
50
1.0
25
0.1
0.1μ
s
1.0μ
s
10μ
s
100μ
s
1ms
10ms
(I
PPM
)
TOL ，脉宽，美国证券交易委员会。
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
FIG.3
- 脉冲波形
150
PULES宽度（ TD ）
是DEFINDE作为
地步
峰值电流
衰减到50％的
I
PPM
TA ，环境温度。
I
PPM
，峰值脉冲电流， ％
tr=10
Μ
S EC
峰值
I
PPM
图4 - 典型结电容
HHHHHHHH HUNIDIRECTIONAL
100
半值 - 我
PPM
2
6.000
T
J
=25
f=1.0MH
Z
Vsig=50mVp-p
在测
ZEROBIAS
50
C
J
，结电容， pF的
10/1000
Μ
EC 。
波形
DEFINDE由R.E.A.
10.000
td
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
T，时间，ms
图5 - 稳态功率降额曲线
P
M（ AV）在
， STRADY国家电力
1.00
1000
在测
对峙
电压，V
WM
L=0.375"(9.5mm)
导线长度
耗散，W
0.75
60 H
Z
RESISTIVEOR
感性负载
10
1.0
10
100
200
0.50
0.25
1.6 ×1.6× 0.040"
（ 40 ×40× 1毫米。 ）
铜散热器
V
（ BA ）
，击穿电压，V
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
L
，焊接温度，
I
D
，瞬时反向
I
FSM
，峰值正向浪涌
图7 - 典型的反向漏
JJJJJJJJJJJJJJJJJJCHARACTERISTICS
1 .0 0 0
图6 - 最高可非重复正向
HHHHHH HSURGE
电流单向只
200
漏电流，
mA
100
M E A S ü - [R E D为T D E V IC （E S）
S T A N - O F F V L T A G E，
V女男
目前，A
100
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单正弦半MAVE
（ JEDEC的方法）
10
1
0 .1
T
A
= 25
℃
0 .0 1
0 .0 0 1
0
100
200
300
400
440
500
10
1
10
100
V
（ BR ）
，击穿电压，V
循环次数在60赫兹
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BL
银河电子
4.
SMF5V0A到SMF51A
www.vishay.com
威世半导体
表面贴装ESD保护二极管
特点
17249
1
2
20278
22623
记号
（例如只）
巴=正极标志
YY =类型代码（见下表）
XX =日期代码
对于表面安装应用程序
薄型封装
优化网络保护应用
理想的数据线ESD保护
符合IEC 61000-4-2 （ IEC 801-2 ）
理想的数据线在EFT保护
符合IEC 61000-4-4 （ IEC 801-4 ）
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 30 kV接触放电
± 30 kV空气放电
低增量浪涌电阻，优异的钳位
能力
与10/1000微秒200瓦峰值脉冲功率能力
波形，重复率（占空比） ：0.01％
非常快的响应时间
高温焊接保证： 260 ℃/ 10秒的
码头
E3 - 锡
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
订购信息
SMF5V0A-GSxx
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30K /盒GS08 = 3K
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50K /盒GS18 = 10K
产品型号
包数据
设备名称
SMF5V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
SMF20A
SMF22A
SMF24A
修订版2.6 ， 11月30日 - 11
SMF
包
型号代码
名字
AE
AK
AM
AP
AR
AT
AV
AX
AZ
BE
BG
BK
BM
BP
BR
BT
BV
BX
BZ
15毫克
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
260 ℃/ 10秒，在终端
重量
造型
复合
FL可燃性
等级
湿气敏感度
水平
焊接条件
文档编号： 85811
1
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
XX
YY
SMF5V0A到SMF51A
www.vishay.com
包数据
设备名称
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
SMF
包
型号代码
名字
CE
CG
CK
CM
CP
CR
CT
CV
CX
CZ
15毫克
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
260 ℃/ 10秒，在终端
重量
造型
复合
FL可燃性
等级
湿气敏感度
水平
焊接条件
威世半导体
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
峰值正向浪涌电流
静电放电抗扰度
热阻
正向电压钳位
工作温度
储存温度
测试条件
t
p
= 10/1000微秒波形ACC 。 IEC 61000-4-5
t
p
= 8/20 μs的波形ACC 。 IEC 61000-4-5
t
p
= 10/1000微秒波形ACC 。 IEC 61000-4-5
8.3ms单一正弦半波
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板用3毫米x 3毫米，
铜垫（
40
微米厚）
I
F
= 12 A
结温
符号
I
PPM
P
PP
I
FSM
V
ESD
R
thJA
V
F
T
J
T
英镑
价值
参见“电气
特色」
1000
200
20
± 30
± 30
180
3.5
- 55至+ 150
- 55至+ 150
单位
A
W
W
A
kV
kV
K / W
V
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
反向
击穿
电压
在我
T
, t
p
5毫秒
V
BR
分钟。
(V)
SMF5V0A
SMF6V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
修订版2.6 ， 11月30日 - 11
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20
反转反转
TEST
对峙CURRENT
电流电压
在V
RWM
I
T
（MA ）
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
RWM
(V)
5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
I
R
(μA)
400
400
250
100
50
25
10
5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
最大
反向
峰值脉冲钳位电容保护
当前
电压
在V
R
= 0 V,
路径
t
p
= 10/1000 μs
在我
PPM
F = 1 MHz的
I
PPM
(A)
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.5
11.8
11
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
5.8
V
C
(V)
9.2
10.3
11.2
12
12.9
13.6
14.4
15.4
17
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26
27.6
29.2
C
D
典型值。
（PF ）
1030
1010
850
750
730
670
660
620
570
460
440
420
370
350
340
310
305
N
通道
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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产品型号
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SMF5V0A到SMF51A
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威世半导体
最大
反向
峰值脉冲钳位电容保护
当前
电压
在V
R
= 0 V,
路径
t
p
= 10/1000 μs
在我
PPM
F = 1 MHz的
I
PPM
(A)
6.2
5.6
5.1
4.8
4.4
4.1
3.8
3.4
3.1
2.9
2.8
2.6
2.4
V
C
(V)
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
C
D
典型值。
（PF ）
207
265
240
225
210
205
190
180
165
160
155
150
145
N
通道
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
反向
击穿
电压
在我
T
, t
p
5毫秒
V
BR
分钟。
(V)
SMF20A
SMF22A
SMF24A
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
47.8
50
53.3
56.7
反转反转
TEST
对峙CURRENT
电流电压
在V
RWM
I
T
（MA ）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
RWM
(V)
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
I
R
(μA)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
产品型号
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
10
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
P
PP
- 峰值脉冲功率（kW ）
非重复脉冲
波形如图。 3
T
A
= 25 °C
150
t
r
=10 s
T
J
= 25 °C
脉冲宽度（T
d
）是
DEFINED作为点
在峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
100
峰值
I
PPM
半值我
PPM
I
PPM
2
1
50
10/100 s的波形
界定的R.E.A.
0.1
0.1微秒1.0微秒10微秒100微秒1.0毫秒10毫秒
17250
0
0
17252
t
d
1
2
吨 - 时间（ms ）
3
4
t
d
- 脉冲宽度（S ）
图。 1 - 额定峰值脉冲功率
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PPM
)
降额百分比（ ％ ）
100
图。 3 - 脉冲波形
75
50
25
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
17251
T
A
- 环境温度
图。 2 - 脉冲降额曲线
修订版2.6 ， 11月30日 - 11
文档编号： 85811
3
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SMF5V0A到SMF51A
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包装尺寸
以毫米（英寸）：
SMF
威世半导体
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
0.25 (0.010)
0.05 (0.002)
0.1 (0.004)
5
1.9 (0.075)
1.7 (0.067)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
0 (0.000)
详细
扩大
1.08 (0.043)
2.9 (0.114)
2.7 (0.106)
3.9 (0.154)
3.5 (0.138)
0.88 (0.035)
足迹推荐：
1.3 (0.051)
1.3 (0.051)
创建 - 日期：2005年15月
第3版 - 日期：2007年3月13日
文件编号： S8 -V - 3915.01-001 （ 4 ）
17247
1.4 (0.055)
2.9 (0.114)
修订版2.6 ， 11月30日 - 11
文档编号： 85811
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Blistertape尺寸
毫米（英寸）
威世半导体
PS
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18513
修订版2.6 ， 11月30日 - 11
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SMF5V0A-SMF51A
表面贴装ESD保护二极管
击穿电压： 6.40 - 56.70 V
峰值脉冲功率： 200瓦
特点
◇
◇
◇
◇
对于表面安装应用程序
低廓包
SOD - 123FL
阴极带
顶视图
1.8 0.1
1.0 0.2
低增量浪涌电阻，卓越的
钳位能力
用200W峰值脉冲功率能力
10 / 1000μs的，重复率波（占空比
5
5°
2.8 0.1
0.05 0.30
0.98 0.1
0.60 0.25
周期） ：0.01％
◇
高温焊接保证：
260 ℃ / 10秒，终端
3.7 0.2
机械数据
◇
◇
◇
◇
◇
案例： JEDEC SOD- 123FL ，模压塑料
极性：色环表示正端
（阴极），除了用于双向
标记代号：见表1
重量： 0.006盎司， 0.02克
安装位置：任意
尺寸以英寸（毫米）
绝对最大额定值和特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级
符号
价值
单位
非重复性峰值脉冲功率耗散
用10 / 1000μs波形（注1 ）
峰值脉冲电流10/1000
s
李沙（注1 ）
FORW ARD电压@ I
F
=12A
热阻结到环境
工作温度范围交界处
存储温度范围
注： （1）非重复性的电流脉冲和上述降额
A
=25℃
P
PPM
I
PPM
V
F
R
θJA
T
J
T
英镑
200
SEE
Table1
3.5
180
- 55 + 150
- 55 + 150
W
A
V
K / W
℃
℃
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
SMF5V0A-SMF51A
表面贴装ESD保护二极管
电气特性
（额定值在T
J
= 25 ℃除非另有规定）单只birectional
记号
CODE
UNI
AE
AG
AK
AM
AP
AR
AT
AV
AX
AZ
BE
BG
BK
BM
BP
BR
BT
BV
BX
BZ
CE
CG
CK
CM
CP
CR
CT
CV
CX
CZ
V
(BR)1)
V
民
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
I
T
mA
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
WM
V
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
I
D
@V
WM
A
400
400
250
100
50
25
10
5.0
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
I
PPM
A
2)
VC @我
PPM
V
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
TYPE
SMF5V0A
SMF6V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
SMF20A
SMF22A
SMF24A
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.5
11.8
11.0
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
5.8
6.2
5.6
5.1
4.8
4.4
4.1
3.8
3.4
3.1
2.9
2.8
2.6
2.4
注：（ 1 ）脉冲测试tp≤5.0ms
（ 2 ）浪涌电流波形10/1000
s
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
表面贴装ESD保护二极管
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
优化网络保护应用
理想的数据线ESD保护
按照
同
IEC
61000-4-2
（ IEC 801-2 ）
理想的数据线在EFT保护
符合IEC 61000-4-4 （ IEC 801-4 ）
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）
低增量浪涌电阻，卓越的
钳位能力
用200瓦峰值脉冲功率能力
10/1000 μs的波形，重复率（占空比） ：
0.01 %
非常快的响应时间
高
温度
焊接
保证：
260 ℃/ 10秒，在终端
AEC Q101标准
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
无卤符合IEC 61249-2-21
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
终端：
SOLDER
镀
可焊
每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
的频带为即阴极
相对于在正常TVS阳极正
手术
安装位置：
任何
重量：
约。 15毫克
订购信息/包装代码
SMF5V0A-GSxx
每7"卷轴GS08 = 3K （8毫米磁带）
每13"卷轴GS18 = 10K （8毫米磁带）
产品型号
SMF5V0A-M-xx
每7"卷轴08 = 3K （8毫米磁带）
每13"卷轴18 = 10K （8毫米磁带）
环境的后缀-M-定义无卤
产品型号
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值脉冲功率耗散
峰值脉冲电流
峰值正向浪涌电流
测试条件
10/1000微秒波形
1)
8/20微秒波形
1)
10/1000微秒波形
1)
8.3ms单一正弦半波
符号
P
PPM
P
PPM
I
PPM
I
FSM
价值
200
1000
邻桌
20
单位
W
W
A
A
记
1)
非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 °C
文档编号85811
修订版2.3 ， 27 -OCT- 08
如需技术支持，请联系： ESD-Protection@vishay.com
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1
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻
1)
工作结存储
温度范围
记
1)
安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（
≥
40μm厚）
测试条件
符号
R
thJA
T
英镑
, T
J
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
电气特性
评分在25℃ ，除非另有规定的环境温度下进行。 V
F
= 3.5 V ，在我
F
= 12 A
击穿
电压
部分号码
记号
CODE
1)
测试电流
对峙
电压
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
A
400
400
250
100
50
25
10
5.0
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大峰值
脉冲浪涌
当前
2, 3)
I
PPM
A
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.5
11.8
11.0
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
5.8
6.2
5.6
5.1
4.8
4.4
4.1
3.8
3.4
3.1
2.9
2.8
2.6
2.4
最大
夹紧
电压
在我
PPM
V
C
V
连接点
电容
C
j
at
V
R
= 0 V,
F = 1 MHz的
pF
典型值。
V
（ BR ）
V
分钟。
在我
T
mA
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
WM
V
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
SMF5V0A
SMF6V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
SMF20A
SMF22A
SMF24A
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
AE
AG
AK
AM
AP
AR
AT
AV
AX
AZ
BE
BG
BK
BM
BP
BR
BT
BV
BX
BZ
CE
CG
CK
CM
CP
CR
CT
CV
CX
CZ
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
1030
1010
850
750
730
670
660
620
570
460
440
420
370
350
340
310
305
207
265
240
225
210
205
190
180
165
160
155
150
145
笔记
1)
脉冲测试吨
p
≤
5.0毫秒
2)
浪涌电流波形10/1000微秒
3)
所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
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修订版2.3 ， 27 -OCT- 08
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威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
10
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
非重复脉冲
波形如图。 3
T
A
= 25 °C
1
0.1
0.1 s
17250
1.0 s
10 s
100 s
1.0毫秒
10毫秒
t
d
- 脉冲宽度（S ）
图1.额定峰值脉冲功率
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PPM
)
降额百分比， ％
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
17251
T
A
- 环境温度（ ° C）
图2.脉冲降额曲线
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
TR = 10微秒
峰值
I
PPM
100
T
J
= 25 °C
脉冲宽度（ TD ）
被定义为点
在峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
半值 - IPP
2
I
PPM
50
10/1000 s的波形
界定的R.E.A.
td
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
17252
吨 - 时间（ms ）
图3.脉冲波形
文档编号85811
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包装尺寸
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0.85 [0.033]
0.35 [0.014]
0.25 [0.010]
0.05 [0.002]
0.1 [0.004]
1.2 [0.047]
0.8 [0.031]
5
0 [0.000]
详细
扩大
1.9 [0.075]
1.7 [0.067]
2.9 [0.114]
2.7 [0.106]
3.9 [0.154]
3.5 [0.138]
1.08 [0.043]
0.88 [0.035]
足迹推荐：
1.3 [0.051]
1.3 [0.051]
创建 - 日期：2005年15月
第3版 - 日期：2007年3月13日
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