SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
表面贴装ESD保护二极管
特点
17249
1
2
20278
记号
（例如只）
XY
巴=正极标志
Y =类型代码（见下表）
X =日期代码
20279
对于表面安装应用程序
薄型封装
优化网络保护应用
理想的数据线ESD保护
符合IEC 61000-4-2 （ IEC 801-2 ）
理想的数据线在EFT保护
符合IEC 61000-4-4 （ IEC 801-4 ）
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 30 kV接触放电
± 30 kV空气放电
低增量浪涌电阻，优异的钳位
能力
与10/1000微秒200瓦峰值脉冲功率能力
波形，重复率（占空比） ：0.01％
非常快的响应时间
高温焊接保证： 260 ℃/ 10秒的
码头
E3 - 锡
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
订购信息
SMF5V0A-GSxx
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30K /盒GS08 = 3K
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50K /盒GS18 = 10K
产品型号
包数据
设备名称
SMF5V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
SMF20A
SMF22A
SMF24A
SMF
包
型号代码
名字
AE
AK
AM
AP
AR
AT
AV
AX
AZ
BE
BG
BK
BM
BP
BR
BT
BV
BX
BZ
15毫克
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
260 ℃/ 10秒，在终端
重量
造型
复合
FL可燃性
等级
湿气敏感度
水平
焊接条件
文档编号： 85811
修订版2.5 ， 22月， 10
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
1
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
包数据
设备名称
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
SMF
包
型号代码
名字
CE
CG
CK
CM
CP
CR
CT
CV
CX
CZ
15毫克
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
260 ℃/ 10秒，在终端
重量
造型
复合
FL可燃性
等级
湿气敏感度
水平
焊接条件
表面贴装ESD保护
二极管
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
峰值正向浪涌电流
静电放电抗扰度
热阻
正向电压钳位
工作温度
储存温度
测试条件
t
p
= 10/1000微秒波形ACC 。 IEC 61000-4-5
t
p
= 8/20 μs的波形ACC 。 IEC 61000-4-5
t
p
= 10/1000微秒波形ACC 。 IEC 61000-4-5
8.3ms单一正弦半波
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板用3毫米x 3毫米，
铜垫（
40
微米厚）
I
F
= 12 A
结温
符号
I
PPM
P
PP
I
FSM
V
ESD
R
thJA
V
F
T
J
T
英镑
价值
参见“电气
特色」
1000
200
20
± 30
± 30
180
3.5
- 55至+ 150
- 55至+ 150
单位
A
W
W
A
kV
kV
K / W
V
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
反向
击穿
电压
在我
T
, t
p
5毫秒
V
BR
分钟。
(V)
SMF5V0A
SMF6V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
反转反转
TEST
工作电流
当前
在V
RWM
电压
I
T
（MA ）
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
RWM
(V)
5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
10
11
12
13
14
15
16
17
I
R
(A)
400
400
250
100
50
25
10
5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
反向
最大
峰值脉冲钳位电容保护
路径
电压
在V
R
= 0 V,
当前
在我
PPM
t
p
= 10/1000 s
F = 1 MHz的
I
PPM
(A)
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.5
11.8
11
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
V
C
(V)
9.2
10.3
11.2
12
12.9
13.6
14.4
15.4
17
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26
27.6
C
D
典型值。
（PF ）
1030
1010
850
750
730
670
660
620
570
460
440
420
370
350
340
310
N
通道
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
产品型号
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
文档编号： 85811
修订版2.5 ， 22月， 10
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
表面贴装ESD保护
二极管
包装尺寸
以毫米（英寸）：
SMF
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
0.25 (0.010)
0.05 (0.002)
0.1 (0.004)
5
1.9 (0.075)
1.7 (0.067)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
0 (0.000)
详细
扩大
1.08 (0.043)
2.9 (0.114)
2.7 (0.106)
3.9 (0.154)
3.5 (0.138)
0.88 (0.035)
足迹推荐：
1.3 (0.051)
1.3 (0.051)
创建 - 日期：2005年15月
第3版 - 日期：2007年3月13日
文件编号： S8 -V - 3915.01-001 （ 4 ）
17247
1.4 (0.055)
2.9 (0.114)
5
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
文档编号： 85811
修订版2.5 ， 22月， 10
SMF5V0A到SMF51A
表面贴装ESD保护
二极管
Blistertape尺寸
毫米（英寸）
威世半导体
PS
文档编号： S8 -V - 3717.02-001 （ 3 ）
18513
文档编号： 85811
修订版2.5 ， 22月， 10
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
5
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
SMF5.0(C)A
THRU
SMF170(C)A
200WATTS瞬态
电压抑制器
5.0到170伏
特点
对峙电压5-170伏
单向和双向型可用（ suffix"C"means双向）
表面贴装
低钳位电压
200瓦峰值功率耗散
小，热效率高
标记验证码：看电气特性表
SOD-123FL
A
B
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀
指定符合RoHS 。参见订购信息）
C
E
最大额定值
工作温度： -65 ℃ + 150℃
存储温度： -65 ℃ + 150℃
o
o
o
o
H
D
电气特性@ 25
o
C除非另有说明
峰值脉冲功率
（ 10 / 1000US波形）
P
P
P
200W
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
G
电压ESD （HBM ）
V
ESD
>16KV
注意：
1.
高温焊料豁免适用，见欧盟指令附件注7
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.140
.152
3.55
3.85
.100
.112
2.55
2.85
.055
.071
1.40
1.80
.037
.053
0.95
1.35
.020
.039
0.50
1.00
.010
-----
0.25
-----
-----
.008
----
.20
建议焊料
焊盘布局
0.093”
记
0.048”
0.036”
www.mccsemi.com
修订版：A
1 5
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel ：
2.5Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
5
2011/01/01
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
表面贴装ESD保护二极管
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
e3
优化网络保护应用
理想的数据线ESD保护
符合IEC 61000-4-2 （ IEC801-2 ）
适用于数据线的EFT保护
符合IEC 61000-4-4 （ IEC801-4 ）
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）
低增量浪涌电阻，卓越的
钳位能力
用200瓦峰值脉冲功率能力
10/1000
s
波形，重复率
（占空比） ：0.01％
非常快的响应时间
高温焊接保证：
260℃ / 10秒码头
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
终端：
焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：该
频带为阴极，这是
相对于在通常的阳极正
TVS操作
安装位置：
任何
重量：
约。 15毫克
包装代码/选项：
GS18 / 10％ 13 "卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒
GS08 / 3元7 "卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒
绝对最大额定值
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
峰值脉冲功率耗散
测试条件
10/1000
s
波形
1)
8/20
s
波形
1)
峰值脉冲电流
峰值正向浪涌电流
1)
符号
P
PPM
P
PPM
I
PPM
I
FSM
价值
200
1000
NEXT
表
20
单位
W
W
A
A
10/1000
s
波形
1)
8.3ms单一正弦半波
非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 °C
热特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
热阻
2)
工作结点和存储
温度范围
2）安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（
≥
40μm厚）
测试条件
符号
R
thJA
T
英镑
, T
J
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
文档编号85811
2.0版本， 29 -APR- 05
www.vishay.com
1
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。 V
F
= 3.5 V ，在我
F
= 12 A（单向只）
部分号码
记号
CODE
UNI
击穿
电压
1)
测试电流
对峙
电压
最大
反向
泄漏
@ V
WM
I
D
A
400
400
250
100
50
25
10
5.0
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
峰值脉冲
浪涌
当前
2,3)
I
PPM
最大
夹紧
电压
@ I
PPM
V
C
V
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
连接点
电容
V
（ BR ）
@ I
T
V
WM
C
j
@
V
R
= 0 V,
F = 1 MHz的
pF
典型值
1030
1010
850
750
730
670
660
620
570
460
440
420
370
350
340
310
305
207
265
240
225
210
205
190
180
165
160
155
150
145
V
民
SMF5V0A
SMF6V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
SMF20A
SMF22A
SMF24A
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
1)
2)
3)
mA
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
A
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.5
11.8
11.0
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
5.8
6.2
5.6
5.1
4.8
4.4
4.1
3.8
3.4
3.1
2.9
2.8
2.6
2.4
AE
AG
AK
AM
AP
AR
AT
AV
AX
AZ
BE
BG
BK
BM
BP
BR
BT
BV
BX
BZ
CE
CG
CK
CM
CP
CR
CT
CV
CX
CZ
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
脉冲测试吨
p
≤
5.0毫秒
浪涌电流波形10/1000
s
所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
www.vishay.com
2
文档编号85811
2.0版本， 29 -APR- 05
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
表面贴装ESD保护二极管
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
优化网络保护应用
理想的数据线ESD保护
按照
同
IEC
61000-4-2
（ IEC 801-2 ）
理想的数据线在EFT保护
符合IEC 61000-4-4 （ IEC 801-4 ）
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）
低增量浪涌电阻，卓越的
钳位能力
用200瓦峰值脉冲功率能力
10/1000 μs的波形，重复率（占空比） ：
0.01 %
非常快的响应时间
高
温度
焊接
保证：
260 ℃/ 10秒，在终端
AEC Q101标准
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
无卤符合IEC 61249-2-21
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
终端：
SOLDER
镀
可焊
每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
的频带为即阴极
相对于在正常TVS阳极正
手术
安装位置：
任何
重量：
约。 15毫克
订购信息/包装代码
SMF5V0A-GSxx
每7"卷轴GS08 = 3K （8毫米磁带）
每13"卷轴GS18 = 10K （8毫米磁带）
产品型号
SMF5V0A-M-xx
每7"卷轴08 = 3K （8毫米磁带）
每13"卷轴18 = 10K （8毫米磁带）
环境的后缀-M-定义无卤
产品型号
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值脉冲功率耗散
峰值脉冲电流
峰值正向浪涌电流
测试条件
10/1000微秒波形
1)
8/20微秒波形
1)
10/1000微秒波形
1)
8.3ms单一正弦半波
符号
P
PPM
P
PPM
I
PPM
I
FSM
价值
200
1000
邻桌
20
单位
W
W
A
A
记
1)
非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 °C
文档编号85811
修订版2.3 ， 27 -OCT- 08
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1
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻
1)
工作结存储
温度范围
记
1)
安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（
≥
40μm厚）
测试条件
符号
R
thJA
T
英镑
, T
J
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
电气特性
评分在25℃ ，除非另有规定的环境温度下进行。 V
F
= 3.5 V ，在我
F
= 12 A
击穿
电压
部分号码
记号
CODE
1)
测试电流
对峙
电压
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
A
400
400
250
100
50
25
10
5.0
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大峰值
脉冲浪涌
当前
2, 3)
I
PPM
A
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.5
11.8
11.0
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
5.8
6.2
5.6
5.1
4.8
4.4
4.1
3.8
3.4
3.1
2.9
2.8
2.6
2.4
最大
夹紧
电压
在我
PPM
V
C
V
连接点
电容
C
j
at
V
R
= 0 V,
F = 1 MHz的
pF
典型值。
V
（ BR ）
V
分钟。
在我
T
mA
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
WM
V
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
SMF5V0A
SMF6V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
SMF20A
SMF22A
SMF24A
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
AE
AG
AK
AM
AP
AR
AT
AV
AX
AZ
BE
BG
BK
BM
BP
BR
BT
BV
BX
BZ
CE
CG
CK
CM
CP
CR
CT
CV
CX
CZ
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
1030
1010
850
750
730
670
660
620
570
460
440
420
370
350
340
310
305
207
265
240
225
210
205
190
180
165
160
155
150
145
笔记
1)
脉冲测试吨
p
≤
5.0毫秒
2)
浪涌电流波形10/1000微秒
3)
所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
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SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
10
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
非重复脉冲
波形如图。 3
T
A
= 25 °C
1
0.1
0.1 s
17250
1.0 s
10 s
100 s
1.0毫秒
10毫秒
t
d
- 脉冲宽度（S ）
图1.额定峰值脉冲功率
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PPM
)
降额百分比， ％
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
17251
T
A
- 环境温度（ ° C）
图2.脉冲降额曲线
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
TR = 10微秒
峰值
I
PPM
100
T
J
= 25 °C
脉冲宽度（ TD ）
被定义为点
在峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
半值 - IPP
2
I
PPM
50
10/1000 s的波形
界定的R.E.A.
td
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
17252
吨 - 时间（ms ）
图3.脉冲波形
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SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
包装尺寸
以毫米（英寸）：
0.85 [0.033]
0.35 [0.014]
0.25 [0.010]
0.05 [0.002]
0.1 [0.004]
1.2 [0.047]
0.8 [0.031]
5
0 [0.000]
详细
扩大
1.9 [0.075]
1.7 [0.067]
2.9 [0.114]
2.7 [0.106]
3.9 [0.154]
3.5 [0.138]
1.08 [0.043]
0.88 [0.035]
足迹推荐：
1.3 [0.051]
1.3 [0.051]
创建 - 日期：2005年15月
第3版 - 日期：2007年3月13日
文件编号： S8 -V - 3915.01-001 （ 4 ）
17247
1.4 [0.055]
2.9 [0.114]
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SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
Blistertape尺寸
以毫米为单位：
PS
18513
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TH97/10561QM
TW00/17276EM
IATF 0060636
SGS TH07 / 1033
SMF5.0A - SMF170A
待机动过电压：
5 170 V
峰值功率：
200 W
产品特点：
*对峙电压; 5 - 170伏
*峰值功率; - 200瓦@ 1毫秒（ SMF5.0A - SMF58A ）
- 175瓦@ 1毫秒（ SMF60A - SMF170A ）
*最大钳位电压@峰值脉冲电流
*低泄漏
齐纳管
瞬态抑制器
SOD-123FL
2.5(0.098)
2.9(0.114)
1.55(0.061)
1.95(0.077)
0.6(0.024)
1.0(0.039)
0.05(0.002)
0.25(0.010)
0.5(0.020)
1.1(0.043)
max0.1(0.004)
3.5(0.138)
3.9(0.154)
*无铅/符合RoHS标准
机械数据：
*案例： JEDEC SOD- 123FL ，模压塑料
以上钝化芯片
*码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.006盎司， 0.02克
0.8(0.031)
1.2(0.047)
单位：毫米
最大额定值
评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。
参数
最大P
PK
耗散（ PW - 10/1000
μs)
（注1 ）
SMF60A - SMF170A
SMF5.0A - SMF58A
符号
P
PK
P
PK
P
D
价值
175
200
1000
385
4.0
单位
W
W
W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大P
PK
耗散@ TA = 25 ° C（ PW - 8/10
μs)
（注2 ）
DC功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注3 ）
热阻，结到铅（注3 ）
工作结存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）非重复性电流脉冲在TA = 25℃ ，每个图的波形。 2 。
（注3）
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
325
26
-55到+150
（ 2 ）非重复性电流脉冲在TA = 25℃ ，每个图的波形。 5 。
（ 3 ）安装有建议的最小焊盘尺寸， DC电路板FR
4.
第1页3
启示录02 ： 2009年1月12日
TH97/10561QM
TW00/17276EM
IATF 0060636
SGS TH07 / 1033
电气特性
( T
型号
记号
工作峰值
反向
电压
(1)
V
RWM
(V)
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
70
75
78
85
90
100
110
120
130
150
160
170
L
= 30 ° C除非另有说明V
F
= 1.25伏特@ 200毫安）
,
TEST
当前
I
T
（MA ）
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
马克斯。反向
漏电流
I
R
@ V
RWM
(μA)
400
400
250
100
50
25
10
5.0
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
马克斯。夹紧
电压在我
P
P
V
C
(V)
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103
113
121
126
137
146
162
177
193
209
243
259
275
马克斯。反向
峰值脉冲
当前
(3)
I
PP
（MA ）
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.0
11.8
11.0
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
6.8
6.2
5.6
5.1
4..8
4.4
4.1
3.8
3.4
3.1
2.9
2.8
2.6
2.4
2.3
2.1
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.7
0.6
击穿电压@
T
I
V
BR
@ I
T
喃
6.70
7.02
7.60
8.20
8.77
9.36
9.92
10.55
11.70
12.85
14.00
15.15
16.40
17.60
18.75
19.90
21.00
23.35
25.60
28.10
30.40
32.80
35.10
38.70
42.10
46.80
50.30
52.65
56.10
59.70
63.15
67.80
70.20
74.85
81.90
87.70
91.25
99.20
105.50
117.00
128.50
140.00
151.50
176.00
187.50
199.00
SMF5.0A
KE
SMF6.0A
KG
SMF6.5A
KK
SMF7.0A
KM
SMF7.5A
KP
SMF8.0A
KR
SMF8.5A
KT
SMF9.0A
KV
SMF10A
KX
SMF11A
KZ
SMF12A
LE
SMF13A
LG
SMF14A
LK
SMF15A
LM
SMF16A
LP
SMF17A
LR
SMF18A
LT
SMF20A
LV
SMF22A
LX
SMF24A
LZ
SMF26A
ME
SMF28A
MG
SMF30A
MK
SMF33A
MM
SMF36A
MP
SMF40A
MR
SMF43A
MT
SMF45A
MV
SMF48A
MX
SMF51A
MZ
SMF54A
NE
SMF58A
NG
SMF60A
NK
SMF64A
NM
SMF70A
NP
SMF75A
NR
SMF78A
NT
SMF85A
NV
SMF90A
NX
SMF100A
NZ
SMF110A
PE
SMF120A
PG
SMF130A
PK
SMF150A
PM
SMF160A
PP
SMF170A
PR
注意事项：
（ 1 ）瞬态抑制器通常是根据工作峰值反向电压选择（V
RWM
），它应等于或
比直流或连续峰值工作电压电平更大。
(2) V
BR
在脉冲测试电流下测
T
在环境温度下of25 ℃。
I
（3 ）浪涌每图的电流波形。 2 ，每个图减免。 5 。
民
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
60.0
64.4
66.7
71.1
77.8
83.3
86.7
94.4
100
111
122
133
144
167
178
189
马克斯。
7.00
7.37
7.98
8.60
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.3
71.2
73.7
78.6
86.0
92.1
95.8
104
111
123
135
147
159
185
197
209
分页： 1 2 3
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TH97/10561QM
TW00/17276EM
IATF 0060636
SGS TH07 / 1033
额定值和特性曲线（ SMF5.0A - SMF170A ）
图1 - 脉冲降额曲线
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流
120
tr
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
TA = 25℃
100
脉冲宽度（ TP）的定义
因为这地步PEAK
电流衰减到我的50 ％
RSM
tr
≤
10
μs
图2 - 10 ×1000
μs
脉冲波形
值（％）
峰值 - 我
RSM
50
半值 - 我
RSM
2
tp
0
0
1
2
3
4
TA，环境温度， （
°
C)
吨，时间（ ms）的
图3 - 稳态功率降额
4.0
10000
图4 - 脉冲额定值曲线
P
D
，稳定状态功率
耗散（W）的
3.0
PP，峰值功率（ W）
1000
2.0
100
1.0
10
0.1μs
0
25
50
75
100
125
150
175
1.0μs
10μs
100μs
1.0ms
10ms
总磷，脉冲宽度
T
L
，焊接温度（ ° C）
图5 - 8 ×20
μs
脉冲波形
图。 6 - 电容与工作峰值
反向电压
1000
标准@零偏置
％的峰值脉冲电流
tr
100
高峰值I
RSM
@ 8
μs
C，电容（pF ）
脉冲宽度（ TP）的定义
因为这地步PEAK
电流衰减= 8
μs
100
50
半值我
RSM
/ 2 @ 20
μs
测量@ 50 ％V
RWM
tp
10
0
0
20
40
60
80
1
1
10
100
200
T，时间（μs ）
工作峰值反向电压（ V）
第3页3
启示录02 ： 2009年1月12日
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
SMF5.0(C)A
THRU
SMF170(C)A
200WATTS瞬态
电压抑制器
5.0到170伏
特点
对峙电压5-170伏
单向和双向型可用（ suffix"C"means双向）
表面贴装
低钳位电压
200瓦峰值功率耗散
小，热效率高
标记验证码：看电气特性表
外壳材料：模压塑料。防火
分类中的评级94-0和MSL等级1
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀
指定符合RoHS 。参见订购信息）
SOD-123FL
A
B
C
E
最大额定值
工作温度： -65 ℃ + 150℃
存储温度： -65 ℃ + 150℃
o
o
o
o
H
D
电气特性@ 25
o
C除非另有说明
峰值脉冲功率
（ 10 / 1000US波形）
P
P
P
200W
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
G
电压ESD （HBM ）
V
ESD
>16KV
注意：
1.
高温焊料豁免适用，见欧盟指令附件注7
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.140
.152
3.55
3.85
.100
.112
2.55
2.85
.055
.071
1.40
1.80
.037
.053
0.95
1.35
.020
.039
0.50
1.00
.010
-----
0.25
-----
-----
.008
----
.20
建议焊料
焊盘布局
0.093”
记
0.048”
0.036”
www.mccsemi.com
修订： 3
1 5
2010/07/02
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
（品名） -TP
填料
Tape&Reel;2.5Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
*** LIFE
支持***
MCC的
产品未被授权用于生命支持设备上使用的关键部件
或系统
没有expresse
书面
批准
微型商业组件公司。
www.mccsemi.com
修订： 3
5
2010/07/02
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
表面贴装ESD保护二极管
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
e3
优化网络保护应用
理想的数据线ESD保护
符合IEC 61000-4-2 （ IEC801-2 ）
适用于数据线的EFT保护
符合IEC 61000-4-4 （ IEC801-4 ）
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）
低增量浪涌电阻，卓越的
钳位能力
用200瓦峰值脉冲功率能力
10/1000
s
波形，重复率
（占空比） ：0.01％
非常快的响应时间
高温焊接保证：
260℃ / 10秒码头
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
终端：
焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：该
频带为阴极，这是
相对于在通常的阳极正
TVS操作
安装位置：
任何
重量：
约。 15毫克
包装代码/选项：
GS18 / 10％ 13 "卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒
GS08 / 3元7 "卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒
绝对最大额定值
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
峰值脉冲功率耗散
测试条件
10/1000
s
波形
1)
8/20
s
波形
1)
峰值脉冲电流
峰值正向浪涌电流
1)
符号
P
PPM
P
PPM
I
PPM
I
FSM
价值
200
1000
NEXT
表
20
单位
W
W
A
A
10/1000
s
波形
1)
8.3ms单一正弦半波
非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 °C
热特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
热阻
2)
工作结点和存储
温度范围
2）安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（
≥
40μm厚）
测试条件
符号
R
thJA
T
英镑
, T
J
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
文档编号85811
2.0版本， 29 -APR- 05
www.vishay.com
1
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。 V
F
= 3.5 V ，在我
F
= 12 A（单向只）
部分号码
记号
CODE
UNI
击穿
电压
1)
测试电流
对峙
电压
最大
反向
泄漏
@ V
WM
I
D
A
400
400
250
100
50
25
10
5.0
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
峰值脉冲
浪涌
当前
2,3)
I
PPM
最大
夹紧
电压
@ I
PPM
V
C
V
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
连接点
电容
V
（ BR ）
@ I
T
V
WM
C
j
@
V
R
= 0 V,
F = 1 MHz的
pF
典型值
1030
1010
850
750
730
670
660
620
570
460
440
420
370
350
340
310
305
207
265
240
225
210
205
190
180
165
160
155
150
145
V
民
SMF5V0A
SMF6V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
SMF20A
SMF22A
SMF24A
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
1)
2)
3)
mA
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
A
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.5
11.8
11.0
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
5.8
6.2
5.6
5.1
4.8
4.4
4.1
3.8
3.4
3.1
2.9
2.8
2.6
2.4
AE
AG
AK
AM
AP
AR
AT
AV
AX
AZ
BE
BG
BK
BM
BP
BR
BT
BV
BX
BZ
CE
CG
CK
CM
CP
CR
CT
CV
CX
CZ
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
脉冲测试吨
p
≤
5.0毫秒
浪涌电流波形10/1000
s
所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
www.vishay.com
2
文档编号85811
2.0版本， 29 -APR- 05
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
表面贴装ESD保护二极管
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
e3
优化网络保护应用
理想的数据线ESD保护
符合IEC 61000-4-2 （ IEC801-2 ）
适用于数据线的EFT保护
符合IEC 61000-4-4 （ IEC801-4 ）
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）
低增量浪涌电阻，卓越的
钳位能力
用200瓦峰值脉冲功率能力
10/1000
s
波形，重复率
（占空比） ：0.01％
非常快的响应时间
高温焊接保证：
260℃ / 10秒码头
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
终端：
焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：该
频带为阴极，这是
相对于在通常的阳极正
TVS操作
安装位置：
任何
重量：
约。 15毫克
包装代码/选项：
GS18 / 10％ 13 "卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒
GS08 / 3元7 "卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒
绝对最大额定值
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
峰值脉冲功率耗散
测试条件
10/1000
s
波形
1)
8/20
s
波形
1)
峰值脉冲电流
峰值正向浪涌电流
1)
符号
P
PPM
P
PPM
I
PPM
I
FSM
价值
200
1000
NEXT
表
20
单位
W
W
A
A
10/1000
s
波形
1)
8.3ms单一正弦半波
非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 °C
热特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
热阻
2)
工作结点和存储
温度范围
2）安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（
≥
40μm厚）
测试条件
符号
R
thJA
T
英镑
, T
J
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
文档编号85811
2.0版本， 29 -APR- 05
www.vishay.com
1
SMF5V0A到SMF51A
威世半导体
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。 V
F
= 3.5 V ，在我
F
= 12 A（单向只）
部分号码
记号
CODE
UNI
击穿
电压
1)
测试电流
对峙
电压
最大
反向
泄漏
@ V
WM
I
D
A
400
400
250
100
50
25
10
5.0
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
峰值脉冲
浪涌
当前
2,3)
I
PPM
最大
夹紧
电压
@ I
PPM
V
C
V
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
连接点
电容
V
（ BR ）
@ I
T
V
WM
C
j
@
V
R
= 0 V,
F = 1 MHz的
pF
典型值
1030
1010
850
750
730
670
660
620
570
460
440
420
370
350
340
310
305
207
265
240
225
210
205
190
180
165
160
155
150
145
V
民
SMF5V0A
SMF6V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
SMF20A
SMF22A
SMF24A
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
1)
2)
3)
mA
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
A
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.5
11.8
11.0
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
5.8
6.2
5.6
5.1
4.8
4.4
4.1
3.8
3.4
3.1
2.9
2.8
2.6
2.4
AE
AG
AK
AM
AP
AR
AT
AV
AX
AZ
BE
BG
BK
BM
BP
BR
BT
BV
BX
BZ
CE
CG
CK
CM
CP
CR
CT
CV
CX
CZ
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
脉冲测试吨
p
≤
5.0毫秒
浪涌电流波形10/1000
s
所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
www.vishay.com
2
文档编号85811
2.0版本， 29 -APR- 05
BL
特点
银河电子
1N6267- - -1N6303A
击穿电压： 6.8 --- 200伏
峰值脉冲功率： 1500 W
瞬态电压抑制器
塑料包装
有
美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
玻璃钝化结
有10 / 1000μs 1500W峰值脉冲功率能力
波形，重复率（占空比） ： 0.05％
出色的钳位能力
低增量浪涌电阻
快速响应时间：通常小于1.0ps从0伏特至
V
（ BR ）
对于单向和5.0ns的双向类型
对于V器件
（ BR ）
10V ， ID通常比小于1.0μA
/ 10秒
高tem温度焊接保证： 265
DO-201AE
0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 51bs 。 （ 2.3千克）张力
机械数据
案例： JEDEC DO - 201AE ，模压塑料
极性：色环表示正端
（阴极），除了用于双向
重量： 0.032盎司，
0.9
克
安装位置：任意
对于双向应用的器件
对于双向使用C或CA后缀类型1N6267直通类型1N6303A （如1N6267 ， 1N6303A ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值和特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
符号
山顶POW ER消耗瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ，图1 ）
峰值脉冲电流瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ）
稳态POW ER功耗在T
L
=75
fffff
铅长度0.375"设计（9.5mm ） （注2 ）
山顶FORW ARD浪涌电流， 8.3ms单半
ffffsine -W
AVE叠加在额定负荷（ JEDEC的方法） （注3 ）
在最大瞬时FORW ARD电压
100
一种单向止（注4 ）
典型热阻结到引线
典型热阻结到环境
工作结存储温度范围
价值
最低1500
参照表1
6.5
200.0
3.5/5.0
20
75
-50---+175
单位
W
A
W
A
V
/W
/W
P
PPM
I
PPM
P
M（ AV）在
I
FSM
V
F
R
θ
JL
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
注：（1）非重复性电流pules ，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25元图。 2
（ 2 ）安装在1.6" X 1.6" （ 40 x40mm铜焊盘面积
2
）每图。五
（ 3 ）测量8.3ms经单半正弦波-W AVE或equare瓦特大街，占空比= 4个脉冲每分钟最高
(4) V
F
= 3.5伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
200V ，而V
F
= 5.0伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
>200V
www.galaxycn.com
文档编号0285011
BL
银河电子
1.
在（T电气特性
A
=25
Breakdow
电压V
（ BR ）
(V)
(NOTE1)
民
1N6286
1N6286A
1N6287
1N6287A
1N6288
1N6288A
1N6289
1N6289A
1N6290
1N6290A
1N6291
1N6291A
1N6292
1N6292A
1N6293
1N6293A
1N6294
1N6294A
1N6295
1N6295A
1N6296
1N6296A
1N6297
1N6297A
1N6298
1N6298A
1N6299
1N6299A
1N6300
1N6300A
1N6301
1N6301A
1N6302
1N6302A
1N6303
1N6303A
38.7
40.9
42.3
44.7
45.9
48.5
50.4
53.2
55.8
58.9
61.2
64.6
67.5
71.3
73.8
77.9
81.9
86.5
90.0
95.0
99.0
105
108
114
117
124
136
143
144
152
153
162
162
171
180
190
最大
47.3
45.2
51.7
49.4
56.1
53.6
61.8
58.8
68.2
65.1
74.8
71.4
82.5
78.8
90.2
86.1
100
95.5
110
105
121
116
132
126
143
137
165
158
176
168
187
179
198
189
220
210
除非另有说明）
最大
反向
LEAKGE
在V
WM
I
D（注3） （ μ
A
)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.
0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
高峰普尔斯ê
I
PPM(NOTE2)
(A)
24.2
25.3
22.1
23.1
20.4
21.4
18.6
19.5
16.9
17.6
15.3
16.3
13.9
14.6
12.7
13.3
11.5
12.0
10.4
10.9
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
7.0
7.2
6.5
6.8
6.1
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
表1 （续'D ）
最大
夹紧
电压
I
PPM
V
C
(V)
61.9
59.3
67.8
64.8
73.5
70.1
80.5
77.0
89.0
85.0
98.0
92.0
109
104
118
113
131
125
144
137
158
152
173
165
187
179
215
207
230
219
244
234
258
246
287
274
最大
温度
系数
V的
（ BR ）
(%/ )
0.101
0.101
0.101
0.101
0.102
0.102
0.103
0.103
0.104
0.104
0.104
0.104
0.105
0.105
0.105
0.105
0.106
0.106
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.108
0.106
0.106
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
设备类型
试验台客
电流电压
在我
T
V
WM
（MA ）
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
34.8
36.8
38.1
40.2
41.3
43.6
45.4
47.8
50.2
53.0
55.1
58.1
60.7
64.1
66.4
70.1
73.7
77.8
81.0
85.5
89.2
94.0
97.2
102
105
111
121
128
130
136
138
145
146
154
162
171
注：对于双向使用C或CA后缀类型
1N6267
直通型
1N6303A(e.g.1N6267,1N6303A).
电动
特征适用于两个方向。
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银河电子
3.
收视率和特性曲线
峰值脉冲功率（P ）或电流
PP
1N6267- -
-1N6303A
图1 - 额定峰值脉冲功率曲线
P
PPM
，峰值脉冲功率，千瓦
100
不重复
脉冲波形
如果如图3所示
T
A
=25
10
图2 - 脉冲降额曲线
降额百分比， ％
100
75
50
1.0
25
0.1
0.1μ
s
1.0μ
s
10μ
s
100μ
s
1ms
10ms
(I
PPM
)
TOL ，脉宽，美国证券交易委员会。
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
FIG.3
- 脉冲波形
150
PULES宽度（ TD ）
是DEFINDE作为
地步
峰值电流
衰减到50％的
I
PPM
TA ，环境温度。
I
PPM
，峰值脉冲电流， ％
tr=10
Μ
S EC
峰值
I
PPM
图4 - 典型结电容
HHHHHHHH HUNIDIRECTIONAL
100
半值 - 我
PPM
2
6.000
T
J
=25
f=1.0MH
Z
Vsig=50mVp-p
在测
ZEROBIAS
50
C
J
，结电容， pF的
10/1000
Μ
EC 。
波形
DEFINDE由R.E.A.
10.000
td
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
T，时间，ms
图5 - 稳态功率降额曲线
P
M（ AV）在
， STRADY国家电力
1.00
1000
在测
对峙
电压，V
WM
L=0.375"(9.5mm)
导线长度
耗散，W
0.75
60 H
Z
RESISTIVEOR
感性负载
10
1.0
10
100
200
0.50
0.25
1.6 ×1.6× 0.040"
（ 40 ×40× 1毫米。 ）
铜散热器
V
（ BA ）
，击穿电压，V
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
L
，焊接温度，
I
D
，瞬时反向
I
FSM
，峰值正向浪涌
图7 - 典型的反向漏
JJJJJJJJJJJJJJJJJJCHARACTERISTICS
1 .0 0 0
图6 - 最高可非重复正向
HHHHHH HSURGE
电流单向只
200
漏电流，
mA
100
M E A S ü - [R E D为T D E V IC （E S）
S T A N - O F F V L T A G E，
V女男
目前，A
100
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单正弦半MAVE
（ JEDEC的方法）
10
1
0 .1
T
A
= 25
℃
0 .0 1
0 .0 0 1
0
100
200
300
400
440
500
10
1
10
100
V
（ BR ）
，击穿电压，V
循环次数在60赫兹
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银河电子
4.
SMF3.0A系列
表面贴装瞬态电压抑制器
电压
特点
对于表面安装应用程序，以优化电路板空间。
低调paceage
内置应变救灾
低电感
高温焊接： 260
O
C / 10秒码头
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
3.0到170伏
当前
200Watts
机械数据
案例： JEDEC DO - 219AB ，模压塑料多钝化的交界处。
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
极性：色环表示正端（阴极）
约。重量： 0.0168克
Standrad包装：8毫米磁带（ EIA- 481 ）
FOR BIPOLARAPPLICATIONS器件
电特性的应用在两个方向上
最大额定值和电气特性
25评分
O
C环境温度，除非另有规定。
等级
对T峰值脉冲功率耗散
A
= 25
O
C（注1,2,5 ，图1 ）
峰值正向浪涌电流元（注3 ）
10 / 1000波形峰值脉冲电流（注1 ）图2
稳态功耗（注4 ）
工作结存储温度范围
热阻
符号
P
PPM
I
FSM
I
PPM
P
M（ AV）在
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
价值
200
20
参照表1
1.0
-55到+150
180
单位
瓦
安培
安培
瓦
O
C
C
O
注意事项：
1.Non重复电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
=25
O
每2所示。
2.Mounted上5.0平方毫米铜垫给每个终端。
3.8.3ms单一正弦半波，或等效的方波，占空比= 4个脉冲每分钟最多。
4.Lead温度在75
O
= T
L
.
5.Peak脉冲电源波形为10 / 1000US 。
STAD-MAY.25.2007
PAGE 。 1
SMF3.0A系列
P
PPM
，峰值脉冲转发， KW
100
非Repetitve
脉冲Wavefom
显示在图三。
T
A
= 25
O
C
100
峰值脉冲正向（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额的比例％
75
10
50
1.0
25
0.1
0.1
1.0
10
100
1000
10000
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TD ，脉冲宽度，微秒
T
A
，环境温度，C
O
图1额定峰值脉冲功率曲线
图2降额曲线
I
PPM
，峰值脉冲电流， ％
150
TF = 10usec
T
A
= 25 C
脉冲宽度（ TD ）的定义
由于这种地步峰值
目前Decayst到伊普的50 ％
O
10,000
T
J
= 25 C
F = 1.0MHz的
VSIG = 50mVp -p
O
100
峰值
IPPM
C
J
，电容， P F
哈LF魏利-Ip P
2
1,000
我一个肯定的D A吨
泽ロ比亚s
50
10 / 1000U本身华已经FO RM
A S德精细D B你们R.E.A.
ê -kt
td
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
100
T，时间，ms
我一个肯定的D A吨
站次-Off
VO LTA GE （V
RWM
)
图3脉冲波形
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
200
I
FSM
，峰值正向浪涌电流，
安培
50
T
J
= T
J
米一X
8.3米唱乐哈LF SinepWave
JEDEC M E寿
V(
RWM
） ，反向对峙电压，伏
40
30
图4典型结电容
20
10
0
1
2
4
10
20
40
100
循环次数在60Hz
图5.最大非重复性峰值
正向浪涌电流
请参考TVS的应用笔记PANJIT网站
http://www.panjit.com/protection-transient-voltage-suppressors.html
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SMF3.0A系列
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T / R - 10K每13"塑料卷
T / R - 每个7"塑料卷3K
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