SMF5V0A到SMF51A
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威世半导体
表面贴装ESD保护二极管
特点
17249
1
2
20278
22623
记号
（例如只）
巴=正极标志
YY =类型代码（见下表）
XX =日期代码
对于表面安装应用程序
薄型封装
优化网络保护应用
理想的数据线ESD保护
符合IEC 61000-4-2 （ IEC 801-2 ）
理想的数据线在EFT保护
符合IEC 61000-4-4 （ IEC 801-4 ）
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 30 kV接触放电
± 30 kV空气放电
低增量浪涌电阻，优异的钳位
能力
与10/1000微秒200瓦峰值脉冲功率能力
波形，重复率（占空比） ：0.01％
非常快的响应时间
高温焊接保证： 260 ℃/ 10秒的
码头
E3 - 锡
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
订购信息
SMF5V0A-GSxx
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30K /盒GS08 = 3K
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50K /盒GS18 = 10K
产品型号
包数据
设备名称
SMF5V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
SMF20A
SMF22A
SMF24A
修订版2.6 ， 11月30日 - 11
SMF
包
型号代码
名字
AE
AK
AM
AP
AR
AT
AV
AX
AZ
BE
BG
BK
BM
BP
BR
BT
BV
BX
BZ
15毫克
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
260 ℃/ 10秒，在终端
重量
造型
复合
FL可燃性
等级
湿气敏感度
水平
焊接条件
文档编号： 85811
1
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
XX
YY
SMF5V0A到SMF51A
www.vishay.com
包数据
设备名称
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
SMF
包
型号代码
名字
CE
CG
CK
CM
CP
CR
CT
CV
CX
CZ
15毫克
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
260 ℃/ 10秒，在终端
重量
造型
复合
FL可燃性
等级
湿气敏感度
水平
焊接条件
威世半导体
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
峰值正向浪涌电流
静电放电抗扰度
热阻
正向电压钳位
工作温度
储存温度
测试条件
t
p
= 10/1000微秒波形ACC 。 IEC 61000-4-5
t
p
= 8/20 μs的波形ACC 。 IEC 61000-4-5
t
p
= 10/1000微秒波形ACC 。 IEC 61000-4-5
8.3ms单一正弦半波
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板用3毫米x 3毫米，
铜垫（
40
微米厚）
I
F
= 12 A
结温
符号
I
PPM
P
PP
I
FSM
V
ESD
R
thJA
V
F
T
J
T
英镑
价值
参见“电气
特色」
1000
200
20
± 30
± 30
180
3.5
- 55至+ 150
- 55至+ 150
单位
A
W
W
A
kV
kV
K / W
V
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
反向
击穿
电压
在我
T
, t
p
5毫秒
V
BR
分钟。
(V)
SMF5V0A
SMF6V0A
SMF6V5A
SMF7V0A
SMF7V5A
SMF8V0A
SMF8V5A
SMF9V0A
SMF10A
SMF11A
SMF12A
SMF13A
SMF14A
SMF15A
SMF16A
SMF17A
SMF18A
修订版2.6 ， 11月30日 - 11
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20
反转反转
TEST
对峙CURRENT
电流电压
在V
RWM
I
T
（MA ）
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
RWM
(V)
5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
I
R
(μA)
400
400
250
100
50
25
10
5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
最大
反向
峰值脉冲钳位电容保护
当前
电压
在V
R
= 0 V,
路径
t
p
= 10/1000 μs
在我
PPM
F = 1 MHz的
I
PPM
(A)
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.5
11.8
11
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
5.8
V
C
(V)
9.2
10.3
11.2
12
12.9
13.6
14.4
15.4
17
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26
27.6
29.2
C
D
典型值。
（PF ）
1030
1010
850
750
730
670
660
620
570
460
440
420
370
350
340
310
305
N
通道
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
产品型号
文档编号： 85811
2
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SMF5V0A到SMF51A
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威世半导体
最大
反向
峰值脉冲钳位电容保护
当前
电压
在V
R
= 0 V,
路径
t
p
= 10/1000 μs
在我
PPM
F = 1 MHz的
I
PPM
(A)
6.2
5.6
5.1
4.8
4.4
4.1
3.8
3.4
3.1
2.9
2.8
2.6
2.4
V
C
(V)
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
C
D
典型值。
（PF ）
207
265
240
225
210
205
190
180
165
160
155
150
145
N
通道
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
反向
击穿
电压
在我
T
, t
p
5毫秒
V
BR
分钟。
(V)
SMF20A
SMF22A
SMF24A
SMF26A
SMF28A
SMF30A
SMF33A
SMF36A
SMF40A
SMF43A
SMF45A
SMF48A
SMF51A
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
47.8
50
53.3
56.7
反转反转
TEST
对峙CURRENT
电流电压
在V
RWM
I
T
（MA ）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
RWM
(V)
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
I
R
(μA)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
产品型号
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
10
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
P
PP
- 峰值脉冲功率（kW ）
非重复脉冲
波形如图。 3
T
A
= 25 °C
150
t
r
=10 s
T
J
= 25 °C
脉冲宽度（T
d
）是
DEFINED作为点
在峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
100
峰值
I
PPM
半值我
PPM
I
PPM
2
1
50
10/100 s的波形
界定的R.E.A.
0.1
0.1微秒1.0微秒10微秒100微秒1.0毫秒10毫秒
17250
0
0
17252
t
d
1
2
吨 - 时间（ms ）
3
4
t
d
- 脉冲宽度（S ）
图。 1 - 额定峰值脉冲功率
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PPM
)
降额百分比（ ％ ）
100
图。 3 - 脉冲波形
75
50
25
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
17251
T
A
- 环境温度
图。 2 - 脉冲降额曲线
修订版2.6 ， 11月30日 - 11
文档编号： 85811
3
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包装尺寸
以毫米（英寸）：
SMF
威世半导体
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
0.25 (0.010)
0.05 (0.002)
0.1 (0.004)
5
1.9 (0.075)
1.7 (0.067)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
0 (0.000)
详细
扩大
1.08 (0.043)
2.9 (0.114)
2.7 (0.106)
3.9 (0.154)
3.5 (0.138)
0.88 (0.035)
足迹推荐：
1.3 (0.051)
1.3 (0.051)
创建 - 日期：2005年15月
第3版 - 日期：2007年3月13日
文件编号： S8 -V - 3915.01-001 （ 4 ）
17247
1.4 (0.055)
2.9 (0.114)
修订版2.6 ， 11月30日 - 11
文档编号： 85811
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Blistertape尺寸
毫米（英寸）
威世半导体
PS
文档编号： S8 -V - 3717.02-001 （ 3 ）
18513
修订版2.6 ， 11月30日 - 11
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5
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