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TVS二极管阵列
对于ESD和闩锁保护
保护产品
描述
该SMF系列TVS阵列，旨在保护森
sitive电子从损坏或闭锁由于ESD
和其他电压引起的瞬态事件。他们是
设计用于在应用程序中使用的电路板空间是
溢价。每个器件将保护最多四行。
它们是单向器件，并且可以在线路中使用
其中信号极性是高于地面。
TVS二极管是固态器件专
瞬态抑制。它们的特点是大横截面积
tional区路口的瞬间高电流
租金。它们为板级应有的特点
保护，包括快速响应时间，低工作
和钳位电压，并且没有设备的退化。
SMF的串联装置可被用来满足免疫
IEC 61000-4-2 ， 4。小级别的无穷大需求
SC70封装使它们非常适合于便携式elec-使用
TRONICS如手机， PDA ?? S，笔记本comput-
器，和数码相机。
SMF05和SMF12
特点
u
数据线瞬变保护
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） ，具有8kV（接触）
IEC 61000-4-4 （ EFT ） 40A （ 5 / 50ns的）
小包装用于便携式电子产品的使用
保护四个I / O线
工作电压： 5V 12V &
低漏电流
低操作和钳位电压
固态硅雪崩技术
机械特性
EIAJ SC70-5L包
模塑料FL可燃性等级：UL 94V- 0
标识：标识代码
包装：磁带和卷轴每EIA 481
应用
蜂窝手机&配件
无绳电话
个人数字助理（ PDA的）
笔记本&手持设备
便携式仪表
数码相机
外设
MP3播放器
电路图
1
3
4
5
示意图&引脚CON组fi guration
1
2
3
2
SC70-5L （顶视图）
修订二千分之九
1
5
4
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SMF05 & SMF12
保护产品
绝对最大额定值
阿婷
峰值脉冲电网（ TP = 8/20
m
s)
峰值脉冲电流（ TP = 8/20
m
s)
山顶FORW ARD电压（I
F
= 1A ， TP = 8月20日
m
s)
ESD P呃IEC 61000-4-2 （空）
ESD P呃IEC 61000-4-2 （联系）
铅焊接温度erature
作品展业务的临时erature
储存温度erature
Symbo升
P
pk信息
I
PP
V
FP
V
ESD
T
L
T
J
T
英镑
价值
200
12
1.5
20
15
260 （10秒）
-55到+125
-55到+150
单位
瓦
A
V
kV
o
C
C
C
o
o
电气特性
SMF05
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 5V ，T = 25°C
I
PP
= 1A ， TP = 8 / 20μs的
I
PP
= 12A ， TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O P项和
GND
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
150
6
10
9.5
12.5
175
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
5
单位
V
V
A
V
V
pF
SMF12
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 12V ，T = 25°C
I
PP
= 1A ， TP = 8 / 20μs的
I
PP
= 8A ， TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O P项和
GND
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
2
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
12
单位
V
V
13.3
1
19
25
60
75
A
V
V
pF
2000升特公司
www.semtech.com
SMF05 & SMF12
保护产品
典型特征
非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
功率降额曲线
110
100
峰值脉冲功率 - P
PP
（ kW）的
90
％额定功率还是我的
PP
80
70
60
50
40
30
20
10
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间 - TP （微秒）
100
1000
1
0.1
0
0
25
50
75
100
o
125
150
环境温度 - T的
A
( C)
脉冲波形
110
100
90
80
百分之我
PP
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
时间（μs ）
20
25
30
TD = I
PP
/2
e
-t
钳位电压与峰值脉冲电流
30
钳位电压 - V
C
(V)
波形
参数：
TR = 8μs
TD = 20μS
25
20
SMF12
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
峰值脉冲电流 - 我
PP
(A)
波形
参数：
TR = 8
s
TD = 20
s
SMF05
SMF05 ESD钳位
（符合IEC 61000-4-2 8kV接触）
SMF12 ESD钳位
（符合IEC 61000-4-2 8kV接触）
2000升特公司
3
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SMF05 & SMF12
保护产品
应用信息
设备连接的保护四条数据线的
该SMFxx旨在保护多达四个unidirec-
方面的资料的行。该装置被连接，如下所示：
四个I / O线1单向保护
通过连接销1,3 ，4和5的实现
数据线。销2被连接到地面。该
接地应直接向
接地平面以取得最佳效果。路径长度
保持尽可能的短，以减少的效果
寄生电感在电路板走线。
SMF电路图
1
3
4
5
2
对于Suppres-电路板布局建议
锡永的ESD 。
良好的电路板布局的关键压制
静电放电引起的瞬变。下面的准则
推荐：
l
放置SMFxx靠近输入端子或CON-
接器限制瞬态耦合。
l
尽量减少SMSxx之间的路径长度
被保护的线路。
l
最小化所有导电回路包括电源和
接地环路。
l
该ESD瞬变接地回路应
保持尽可能地短。
l
不要运行近板边缘的关键信号。
l
使用地平面尽可能。
保护4个单向线路
2000升特公司
4
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SMF05 & SMF12
保护产品
典型应用
2000升特公司
5
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TVS二极管阵列
对于ESD和闩锁保护
保护产品
描述
该SMF系列TVS阵列，旨在保护森
sitive电子从损坏或闭锁由于ESD
和其他电压引起的瞬态事件。他们是
设计用于在应用程序中使用的电路板空间是
溢价。每个器件将保护最多四行。
它们是单向器件，并且可以在线路中使用
其中信号极性是高于地面。
TVS二极管是固态器件专
瞬态抑制。它们的特点是大横截面积
tional区路口的瞬间高电流
租金。它们为板级应有的特点
保护，包括快速响应时间，低工作
和钳位电压，并且没有设备的退化。
SMF的串联装置可被用来满足免疫
IEC 61000-4-2 ， 4。小级别的无穷大需求
SC70封装使它们非常适合于便携式elec-使用
TRONICS如手机， PDA ?? S，笔记本comput-
器，和数码相机。
SMF05和SMF12
特点
数据线瞬变保护
IEC 61000-4-2 （ ESD ）具有±15kV （空气） ，具有±8kV （接触）
IEC 61000-4-4 （ EFT ） 40A （ 5 / 50ns的）
小包装用于便携式电子产品的使用
保护四个I / O线
工作电压： 5V和12V
低漏电流
低操作和钳位电压
固态硅雪崩技术
机械特性
EIAJ SC70-5L包
模塑料FL可燃性等级：UL 94V- 0
标识：标识代码
包装：卷带
应用
手机及配件
无绳电话
个人数字助理（ PDA的）
笔记本&手持设备
便携式仪表
数码相机
外设
MP3播放器
电路图
1
3
4
5
示意图&引脚CON组fi guration
1
2
3
5
4
2
SC70-5L （顶视图）
修订08年1月22日
1
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SMF05和SMF12
保护产品
绝对最大额定值
等级
峰值脉冲功率（ TP = 8/20
s)
峰值正向电压（I
F
= 1A ， TP = 8月20日
s)
符合IEC 61000-4-2 ESD （空气）
符合IEC 61000-4-2 ESD （联系）
引线焊接温度
工作温度
储存温度
符号
P
pk
V
FP
V
ESD
T
L
T
J
T
英镑
价值
200
1.5
20
15
260 （10秒）
-55到+125
-55到+150
单位
瓦
V
kV
o
C
C
C
o
o
电气特性
SMF05
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
峰值脉冲电流
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
I
P P
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 5V ，T = 25°C
I
PP
= 1A ，T
p
= 8/20 s
I
PP
= 12A ，T
p
= 8/20 s
t
p
= 8/20 s
I / O P程式之间
地
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
150
6
10
9.5
12.5
12
175
合作nditio NS
最低
典型
最大
5
单位
V
V
A
V
V
A
pF
SMF12
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
峰值脉冲电流
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
I
P P
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 12V ，T = 25°C
I
PP
= 1A ，T
p
= 8/20 s
I
PP
= 8A ，T
p
= 8/20 s
t
p
= 8/20 s
I / O P程式之间
地
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
2
合作nditio NS
最低
典型
最大
12
单位
V
V
13.3
1
19
25
8
60
75
A
V
V
A
pF
2008 Semtech公司公司
www.semtech.com
SMF05和SMF12
保护产品
典型特征
非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
峰值脉冲功率 - P
pk
（ kW）的
功率降额曲线
110
100
90
％额定功率还是我的
PP
80
70
60
50
40
30
20
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间 - 吨
p
(s)
100
1000
0
0
25
50
75
100
o
125
150
环境温度 - T的
A
( C)
脉冲波形
110
100
90
80
百分之我
PP
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
时间（μs ）
20
25
30
TD = I
PP
/2
e
-t
钳位电压与峰值脉冲电流
30
波形
参数：
TR = 8μs
TD = 20μS
25
20
SMF12
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
峰值脉冲电流 - 我
PP
(A)
波形
参数：
TR = 8μs
TD = 20μS
SMF05
钳位电压 - V
C
(V)
电容与反向电压
160
140
电容 - C
j
（PF ）
120
100
80
60
40
20
F = 1MHz的
0
0
1
2
3
4
5
6
反向电压 - V
R
(V)
SMF05
SMF05插入损耗S21
CH1 S21
登录
6分贝/ REF 0分贝
START 。 030兆赫
.
停止3000兆赫000000
2008 Semtech公司公司
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SMF05和SMF12
保护产品
典型特性（续）
SMF05 ESD钳位
（符合IEC 61000-4-2 8kV接触）
SMF12 ESD钳位
（符合IEC 61000-4-2 8kV接触）
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SMF05和SMF12
保护产品
应用信息
设备连接的保护四条数据线的
该SMFxx旨在保护多达四个unidirec-
方面的资料的行。该装置被连接，如下所示：
四个I / O线1单向保护
通过连接销1,3 ，4和5的实现
数据线。销2被连接到地面。该
接地应直接向
接地平面以取得最佳效果。路径长度
保持尽可能的短，以减少的效果
寄生电感在电路板走线。
对于Suppres-电路板布局建议
锡永的ESD 。
良好的电路板布局的关键压制
静电放电引起的瞬变。下面的准则
推荐：
放置SMFxx靠近输入端子或CON-
接器限制瞬态耦合。
尽量减少SMFxx之间的路径长度
被保护的线路。
最小化所有导电回路包括电源和
接地环路。
该ESD瞬变接地回路应
保持尽可能地短。
不要运行近板边缘的关键信号。
使用地平面尽可能。
雾锡铅完成
雾锡已成为行业标准的无铅化
替代锡铅铅完成。哑光锡涂层
与大颗粒组成100 ％的锡焊料。
自从上引线的焊锡量小的COM
相比于放置在焊膏体积
PCB的焊盘布局，在回流温度曲线会
通过焊膏的要求来确定。
因此，这些器件与两个兼容
无铅和锡铅装配技术。此外，
不像其他的无铅组合物，雾锡不
有任何添加的合金，可导致降解
焊点。
SMF电路图
1
3
4
5
2
保护4个单向线路
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SSM3J129TU
SM13B-SRSS-TB
SSC-MGT7101
STB7NA40-1
SMAW200
SN54HC164W
S29CD032J1MFAI102
SFH6156-1X001
SM1126
SST39LF200A-90-4C-B3K
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