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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第128页 > SMF11AG
SMF5.0AT1系列
齐纳瞬态
电压抑制器
SOD- 123扁平引脚封装
该SMF5.0A系列是专为保护电压敏感
组件由高电压,高能量瞬变。优秀
钳位能力,高浪涌能力,低齐纳阻抗
快速的响应时间。由于其体积小,非常适合使用
蜂窝式电话,便携式设备,商用机器,电源
和许多其他工业/消费应用。
特点
http://onsemi.com
对峙电压: 5 - 170伏
峰值功率 - 200瓦@ 1毫秒( SMF5.0A - SMF58A )
- 175瓦@ 1毫秒( SMF60A - SMF170A )
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏
响应时间通常< 1纳秒
ESD额定值3类( > 16千伏)每人体模型
IEC61000-4-2 4级ESD保护
IEC61000-4-4 40 A ESD保护
低调 - 1.0mm的最大高度
体积小 - 中8.45毫米占位面积
2
提供8毫米磁带和卷轴 - 每卷3000单位
阴极指示的极性带
在带状引线方向:阴极引到齿孔
无铅包可用
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
5 - 170伏
200瓦峰值功率
1
1 :阴极
2 :阳极
2
SOD123FL
CASE 498
塑料
标记图
机械特性:
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
环氧符合UL 94 V- 0
铅表面处理:
100 %雾锡(锡)
安装位置:
任何
合格MAX回流焊温度:
260°C
1
阴极
XX M
G
G
2
阳极
器件符合MSL 1的要求
XX =设备代码(参见第3页)
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
SMFxxxAT1
SMFxxxAT1G
SOD123FL
SOD123FL
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年8月 - 第1版
出版订单号:
SMF5.0AT1/D
SMF5.0AT1系列
最大额定值
等级
最大P
pk
耗散( PW -千分之十
女士)
(注1 ) SMF60A - SMF170A
最大P
pk
耗散( PW -千分之十
女士)
(注1 ) SMF5.0A - SMF58A
最大P
pk
耗散@ T
A
= 25 ° C, ( PW - 8月20日
女士)
(注2 )
DC功率耗散@ T
A
= 25 ° C(注3 )
减免上述25℃
热阻,结到环境(注3 )
热阻,结到铅(注3 )
工作和存储温度范围
符号
P
pk
P
pk
P
pk
°P
D
°
R
qJA
R
qJcathode
T
J
, T
英镑
价值
175
200
1000
385
4.0
325
26
-55到+150
单位
W
W
W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.非重复性电流脉冲在T
A
= 25℃时,按照图2的波形。
2.非重复性电流脉冲在T
A
= 25℃时,按照图3的波形。
3.安装有建议的最小焊盘尺寸, DC电路板FR- 4 。
电气特性
(T
A
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
(注4 )= 12 A)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
I
F
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
4. 1/2正弦波(或同等学历方波) , PW = 8.3毫秒,
占空比= 4个脉冲每分钟最大。
单向TVS
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2
SMF5.0AT1系列
电气特性
(T
L
= 30℃ ,除非另有说明,V
F
= 1.25伏特@ 200毫安)
V
RWM
(V)
设备*
SMF5.0A ,G
SMF6.0A ,G
SMF6.5A ,G
SMF7.0A ,G
SMF7.5A ,G
SMF8.0A ,G
SMF8.5A ,G
SMF9.0A ,G
SMF10A ,G
SMF11A ,G
SMF12A ,G
SMF13A ,G
SMF14A ,G
SMF15A ,G
SMF16A ,G
SMF17A ,G
SMF18A ,G
SMF20A ,G
SMF22A ,G
SMF24A ,G
SMF26A ,G
SMF28A ,G
SMF30A ,G
SMF33A ,G
SMF36A ,G
SMF40A ,G
SMF43A ,G
SMF45A ,G
SMF48A ,G
SMF51A ,G
SMF54A ,G
SMF58A ,G
SMF60A ,G
SMF64A ,G
SMF70A ,G
SMF75A ,G
SMF78A ,G
SMF85A ,G
SMF90A ,G
SMF100A ,G
SMF110A ,G
SMF120A ,G
SMF130A ,G
SMF150A ,G
SMF160A ,G
SMF170A ,G
记号
KE
KG
KK
KM
KP
KR
KT
KV
KX
KZ
LE
LG
LK
LM
LP
LR
LT
LV
LX
LZ
ME
MG
MK
MM
MP
MR
MT
MV
MX
MZ
NE
NG
NK
NM
NP
NR
NT
NV
NX
NZ
PE
PG
PK
PM
PP
PR
(注5 )
5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
70
75
78
85
90
100
110
120
130
150
160
170
V
BR
@ I
T
(V)
(注6 )
6.4
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
47.8
50
53.3
56.7
60
64.4
66.7
71.1
77.8
83.3
86.7
94.4
100
111
122
133
144
167
178
189
6.7
7.02
7.6
8.2
8.77
9.36
9.92
10.55
11.7
12.85
14
15.15
16.4
17.6
18.75
19.9
21
23.35
25.6
28.1
30.4
32.8
35.1
38.7
42.1
46.8
50.3
52.65
56.1
59.7
63.15
67.8
70.2
74.85
81.9
87.7
91.25
99.2
105.5
117
128.5
140
151.5
176
187.5
199
最大
7
7.37
7.98
8.6
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.3
71.2
73.7
78.6
86
92.1
95.8
104
111
123
135
147
159
185
197
209
I
T
(MA )
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
I
R
@ V
RWM
(MA )
400
400
250
100
50
25
10
5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C(最大值)
(V)
9.2
10.3
11.2
12
12.9
13.6
14.4
15.4
17
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103
113
121
126
137
146
162
177
193
209
243
259
275
I
峰值(最大值)
(A)
(注7 )
21.7
19.4
17.9
16.7
15.5
14.7
13.9
13.0
11.8
11.0
10.1
9.3
8.6
8.2
7.7
7.2
6.8
6.2
5.6
5.1
4.8
4.4
4.1
3.8
3.4
3.1
2.9
2.8
2.6
2.4
2.3
2.1
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.7
0.6
5.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择(V
RWM
),其应该是等于或大于
比DC或者连续峰值工作电压电平。
6. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ° C的环境温度。
按照图2和减免每图7.浪涌电流波形。
*在“G ”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
SMF5.0AT1系列
通常的保护电路
Z
in
V
in
负载
V
L
10,000
P
P
峰值输出功率(瓦)
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步PEAK
t
r
电流衰减到50 %
RSM
.
t
r
10
ms
峰值 - 我
RSM
值(%)
1000
100
100
50
t
P
I
半值 -
RSM
2
10
1.0
10
100
t
P
,脉冲宽度(毫秒)
1000
10,000
0
0
1
2
3
4
吨,时间( ms)的
图1.脉冲额定值曲线
图2. 10× 1000
ms
脉冲波形
100
%的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
峰值脉冲降额的%
峰值功率或电流@ T
A
= 25°C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
t
P
20
40
吨,时间( ms)的
60
80
T
A
,环境温度( ° C)
图3. 8 ×20
ms
脉冲波形
图4.脉冲降额曲线
http://onsemi.com
4
SMF5.0AT1系列
P D,最大功耗( W)
1
0.7
0.5
降额因子
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
ms
0.01
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
100
ms
脉冲宽度
10毫秒
3
2.5
2
T
L
1.5
1
0.5
0
25
50
75
100
125
150
175
T,温度( ° C)
1毫秒
D,占空比( % )
图5.典型的降额因子的占空比
图6.稳态功率降额
V F ,典型正向电压(伏)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
55
25
85
150
T,温度( ° C)
1000
C,电容(pF )
标准@零偏置
100
标准@ 50 %V
RWM
10
1
1
10
100
1000
工作峰值反向电压(伏)
图7.正向电压
图8.电容与工作峰值
反向电压
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5
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