特点
工作电压： 3.3V
访问时间： 40 ns的
非常低的功耗
- 活动： 180毫瓦（最大）
- 待机： 70 μW （典型值）
宽温度范围： -55 ° C至+ 125°C
400密耳宽套餐
TTL兼容的输入和输出
异步
设计的0.35微米工艺
闭锁免疫
200 Krads能力
SEU LET优于3兆电子伏
描述
该M65609E是组织为131072 ×8位的非常低功耗CMOS静态RAM 。
爱特梅尔公司带来了解决方案，应用快速计算是强制性低
消费，如航天电子，便携式仪器，或者开始
系统。
利用六晶体管（ 6T）的存储器单元的阵列，所述M65609E结合了
极低的待机电流（典型值= 20 μA）与快速存取时间
在40 ns的整个军用温度范围内。在6T细胞亲的高稳定性
国际志愿组织良好的抗噪声引起的软错误。
该M65609E是根据MIL的最新版本的处理方法
STD 883 （ B级或S ） ，欧空局SCC 9000或QML 。
它产生于相同的处理的栅极串联的MH1RT大海。
弧度。硬
128K ×8
3.3-volt
极低的功耗
CMOS SRAM
M65609E
牧师4158D - AERO - 6月2日
1
M65609E
表2中。
真值表
CS
1
H
CS
2
X
WE
X
OE
X
输入/
输出
Z
模式
取消/
掉电
取消/
掉电
读
写
产量
关闭
X
L
L
L
注意：
L
H
H
H
X
H
L
H
X
L
X
H
Z
数据输出
DATA IN
Z
L =低，H =高， X = H或L，Z =高阻抗。
3
4158D–AERO–06/02
电气特性
绝对最大额定值
电源电压GND电位............................ -0.5V + 5V
直流输入电压.............................. GND - 0.3V至
V
CC
+ 0.3
直流输出电压高Z状态...... GND - 0.3V至
V
CC
+ 0.3
存储温度.................................... -65 ° C至+ 150°C
输出电流转换成输出（低） ............................... 20毫安
电静放电电压............................... > 2001V
（ MIL STD 883D方法3015.3 ）
*注意：
应力大于上述绝对MAX-上市
imum评级可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值仅为运行
该器件在这些或任何其他条件ATION
超过上述的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
军事工作范围
工作电压
3.3V + 0.3V
工作温度
-55
°
C至+ 125
°
C
建议的直流工作条件
参数
描述
电源电压
地
输入低电压
输入高电压
民
3
0.0
GND - 0.3
2.2
典型值
3.3
0.0
0.0
–
最大
3.6
0.0
0.8
单位
V
V
V
V
V
CC
GND
V
IL
V
IH
V
CC
+ 0.3
电容
参数
C
在（1）
C
OUT(1)
注意：
描述
输入低电压
输出高电压
民
–
–
典型值
–
–
最大
8
8
单位
pF
pF
1.保证，但未经测试。
4
M65609E
4158D–AERO–06/02
M65609E
DC参数
DC测试条件
参数
IIX
(1)
描述
输入漏
当前
输出漏
当前
输出低电压
输出高电压
最低
-1
典型
–
最大
1
单位
A
IOZ
(1)
VOL
VOH
1.
2.
3.
(2)
(3)
-1
-
2.4
–
–
–
1
0.4
–
A
V
V
GND <输入电压<
V
CC
， GND Vout的< <
V
CC
输出禁用。
V
CC
分钟。 IOL = 1毫安。
V
CC
分钟。 IOH = -0.5毫安。
消费
符号
ICCSB
(1)
ICCSB
1 (2)
ICCOP
(3)
1.
2.
3.
描述
待机电源电流
待机电源电流
工作动态
当前
65609E-40
2.5
1.5
50
单位
mA
mA
mA
价值
最大
最大
最大
CS
1
> VIH或CS
2
< VIL和CS
1
< VIL 。
CS
1
＆ GT ;
V
CC
- 0.3V或CS
2
< GND + 0.3V和CS
1
＆ LT ; 0.2V
F = 1 / T的
AVAV
, I
OUT
= 0 mA时， W = OE = VIH ， VIN = GND或
V
CC
,
V
CC
马克斯。
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4158D–AERO–06/02
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