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SMDA05C - 7 THRU SMDA24C - 7
保护产品
描述
该SMDAxxC - 7系列瞬态电压suppres-
感器是为了保护元件,这些元件
连接到数据和传输线从电压
浪涌引起的静电放电( ESD ) , electri-
CAL快速瞬变( EFT ) ,和闪电。
TVS二极管的特点是其高浪涌
能力,低的操作和钳位电压,并
快速的响应时间。这使得它们非常适合用作
敏感的半导体板级保护
组件。该SMDAxxC -7的目的是提供
在多条数据线和I / O的瞬态抑制
端口。低外形的SO-8设计允许用户
保护多达七个数据和I / O线与封装
年龄。
该SMDAxxC - 7 TVS二极管阵列将满足激增
IEC 61000-4-2 (原IEC 801-2 )的要求,
4级, ??人体模型?空气和接触
放电。
双向TVS阵列
为保护7行
特点
数据线瞬变保护
IEC 61000-4-2 ( ESD )具有±15kV (空气) ,具有±8kV (接触)
IEC 61000-4-4 ( EFT ) 40A ( 5 / 50ns的)
IEC 61000-4-5 (闪电) 12A ( 8 / 20μS )
小的SO- 8表面贴装封装
保护7个I / O线
工作电压: 5V , 12V , 15V和24V
低漏电流
低操作和钳位电压
固态硅雪崩技术
机械特性
JEDEC SO- 8封装
模塑料FL可燃性等级:UL 94V- 0
标志:产品型号,日期代码,标识
包装:管或磁带和卷轴每EIA 481
应用
RS-232和RS-422数据线
基于微处理器设备
LAN / WAN设备
笔记本电脑,台式机和服务器
仪器仪表
外设
机顶盒
串行和并行端口
原理图和引脚配置
SO- 8 (顶视图)
修订06年8月15日
1
www.semtech.com
SMDA05C - 7 THRU SMDA24C - 7
保护产品
绝对最大额定值
阿婷
峰值脉冲功率( TP = 8 /20μS )
引线焊接温度
工作温度
储存温度
符号
P
pk信息
T
L
T
J
T
英镑
价值
300
260 (10秒)
-55到+125
-55到+150
单位
°C
°C
°C
电气特性
SMDA05C-7
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压
最大峰值脉冲电流
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
P P
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 5V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
6
20
9.8
17
350
条件
最低
典型
最大
5
单位
V
V
A
V
A
pF
SMDA12C-7
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
最大峰值脉冲电流
结帽acitance
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
P P
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 12V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
13.3
1
19
12
120
条件
最低
典型
最大
12
单位
V
V
A
V
A
pF
2004年升特公司
2
www.semtech.com
SMDA05C - 7 THRU SMDA24C - 7
保护产品
电气特性
(续)
SMDA15C-7
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压
最大峰值脉冲电流
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
P P
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 15V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
16.7
1
24
10
75
条件
最低
典型
最大
15
单位
V
V
A
V
A
pF
SMDA24C-7
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压
最大峰值脉冲电流
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
P P
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 24V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
26.7
1
43
5
50
条件
最低
典型
最大
24
单位
V
V
A
V
A
pF
2004年升特公司
3
www.semtech.com
SMDA05C - 7 THRU SMDA24C - 7
保护产品
典型特征
非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
峰值脉冲功率 - P
Pk
( kW)的
功率降额曲线
110
100
90
%额定功率还是我的
PP
80
70
60
50
40
30
20
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间 - TP (微秒)
100
1000
0
0
25
50
75
100
o
125
150
环境温度 - T的
A
( C)
脉冲波形
110
100
90
80
百分之我
PP
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
时间(μs )
20
25
30
TD = I
PP
/2
e
-t
波形
参数:
TR = 8
s
TD = 20
s
ESD脉冲波形( IEC 61000-4-2 )
水平
IEC 61000-4-2放电参数
第一次
PEAK
当前
(A )
1
2
3
4
7.5
15
22.5
30
PEAK
当前
在30纳秒
(A )
4
8
12
16
PEAK
当前
在60纳秒
(A )
8
4
6
8
TEST
TEST
电压
电压
(联系
(A IR
放电)放电)
(千伏)
(千伏)
2
4
6
8
2
4
8
15
2004年升特公司
4
www.semtech.com
SMDA05C - 7 THRU SMDA24C - 7
保护产品
应用信息
设备连接的保护七个数据线
该SMDAxxC - 7旨在保护多达7个数据或
I / O线。他们都是双向器件,可以是
在线路中使用,其中所述信号极性是上方和
在地面以下。
该SMDAxxC - 7 TVS阵列采用单片struc-
真实存在。因此,工作电压(V
RWM
)和突破性
降低了电压( V
BR
)规格适用于differen-
之间的任何两个数据线引脚的TiAl电压。为前
充足时, SMDA24C - 7被设计为最大
±12V的任意两个数据线之间的电压偏移。
该装置被连接,如下所示:
引脚1 ,2,3 ,4,5 , 6和7分别连接到
行要被保护。 8引脚连接
到地面。接地连接应该是
直接向所述接地平面以取得最佳效果。
路径长度保持尽可能短,以
降低寄生电感的影响
板上的走线。
对于Suppres-电路板布局建议
锡永的ESD 。
良好的电路板布局的关键压制
静电放电引起的瞬变。下面的准则
推荐:
放置TVS靠近输入端子或连接
器来限制瞬态耦合。
尽量减少电视和之间的路径长度
保护线路。
最小化所有导电回路包括电源和
接地环路。
该ESD瞬变接地回路应
保持尽可能地短。
不要运行近板边缘的关键信号。
使用地平面尽可能。
接线图
DATA IN
数据输出
电路图
8
7
6
5
1
2
3
4
DATA IN
数据输出
2004年升特公司
5
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SMDA05C - 7 THRU SMDA24C - 7
保护产品
描述
该SMDAxxC - 7系列瞬态电压suppres-
感器是为了保护元件,这些元件
连接到数据和传输线从电压
浪涌引起的ESD (静电放电) , EFT
(电快速瞬变) ,和闪电。
TVS二极管的特点是其高浪涌
能力,低的操作和钳位电压,并
快速的响应时间。这使得它们非常适合用作
敏感的半导体板级保护
组件。该SMDAxxC -7的目的是提供
在多条数据线和I / O的瞬态抑制
端口。低外形的SO-8设计允许用户
保护多达七个数据和I / O线与封装
年龄。
该SMDAxxC - 7 TVS二极管阵列将满足激增
IEC 61000-4-2 (原IEC 801-2 )的要求,
4级, ??人体模型?空气和接触
放电。
双向TVS阵列
为保护7行
特点
u
数据线瞬变保护
IEC 61000-4-2 ( ESD ) 15千伏(空气) ,具有8kV(接触)
IEC 61000-4-4 ( EFT ) 40A ( 5 / 50ns的)
IEC 61000-4-5 (闪电) 12A ( 8 / 20μS )
小的SO- 8表面贴装封装
保护7个I / O线
工作电压: 5V , 12V , 15V和24V
低漏电流
低操作和钳位电压
固态硅雪崩技术
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
机械特性
JEDEC SO- 8封装
模塑料FL可燃性等级:UL 94V- 0
标志:产品型号,日期代码,标识
包装:管或磁带和卷轴每EIA 481
应用
RS - 232 & RS - 422数据线
基于微处理器设备
LAN / WAN设备
笔记本电脑,台式机,服务器&
仪器仪表
外设
机顶盒
串行和并行端口
示意图&引脚CON组fi guration
SO- 8 (顶视图)
修订二千分之九
1
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SMDA05C - 7 THRU SMDA24C - 7
保护产品
绝对最大额定值
阿婷
峰值脉冲电网( TP = 8 /20μS )
铅焊接温度erature
作品展业务的临时erature
储存温度erature
Symbo升
P
pk信息
T
L
T
J
T
英镑
价值
300
260 (10秒)
-55到+125
-55到+150
单位
°C
°C
°C
电气特性
SMDA05C-7
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
最大峰值脉冲电流
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
PP
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 5V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O引脚和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
6
20
9.8
17
350
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
5
单位
V
V
A
V
A
pF
SMDA12C-7
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
最大峰值脉冲电流
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
PP
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 12V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O引脚和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
13.3
1
19
12
120
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
12
单位
V
V
A
V
A
pF
2000升特公司
2
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SMDA05C - 7 THRU SMDA24C - 7
保护产品
电气特性
(续)
SMDA15C-7
帕AME德
反向站立-Off电压
反向Breakd流N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
最大峰值脉冲电流
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
PP
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 15V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μ s
TP = 8 / 20μ s
之间的VC I / O引脚和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
16.7
1
24
10
75
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
15
单位
V
V
A
V
A
pF
SMDA24C-7
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
最大峰值脉冲电流
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
PP
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 24V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O引脚和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
26.7
1
43
5
50
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
24
单位
V
V
A
V
A
pF
2000升特公司
3
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SMDA05C - 7 THRU SMDA24C - 7
保护产品
典型特征
非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
110
100
峰值脉冲功率 - P
PP
( kW)的
90
%额定功率还是我的
PP
80
70
60
50
40
30
20
10
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间 - TP (微秒)
100
1000
0
0
25
50
75
100
o
功率降额曲线
1
0.1
125
150
环境温度 - T的
A
( C)
脉冲波形
110
100
90
80
百分之我
PP
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
时间(μs )
20
25
30
TD = I
PP
/2
e
-t
波形
参数:
TR = 8μs
TD = 20μS
ESD脉冲波形( IEC 61000-4-2 )
水平
IEC 61000-4-2放电参数
第一次
PEAK
当前
(A)
1
2
3
4
7.5
15
22.5
30
PEAK
当前
在30纳秒
(A)
4
8
12
16
PEAK
当前
在60纳秒
(A)
8
4
6
8
TEST
TEST
电压
电压
(联系
(A IR
迪斯科ARGE )迪斯科ARGE )
(千伏)
(千伏)
2
4
6
8
2
4
8
15
2000升特公司
4
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SMDA05C - 7 THRU SMDA24C - 7
保护产品
应用信息
设备连接的保护七个数据线
该SMDAxxC - 7旨在保护多达7个数据或
I / O线。他们都是双向器件,可以是
在线路中使用,其中所述信号极性是上方和
在地面以下。
该SMDAxxC - 7 TVS阵列采用单片struc-
真实存在。因此,工作电压(V
RWM
)和突破性
降低了电压( V
BR
)规格适用于differen-
之间的任何两个数据线引脚的TiAl电压。为前
充足时, SMDA24C - 7被设计为最大
为+/- 12V的任意两个数据之间的电压偏移
线。
该装置被连接,如下所示:
l
电路图
接线图
DATA IN
数据输出
引脚1 ,2,3 ,4,5 , 6和7分别连接到
行要被保护。 8引脚连接
到地面。接地连接应该是
直接向所述接地平面以取得最佳效果。
路径长度保持尽可能短,以
降低寄生电感的影响
板上的走线。
8
7
6
5
对于Suppres-电路板布局建议
锡永的ESD 。
良好的电路板布局的关键压制
静电放电引起的瞬变。下面的准则
推荐:
l
l
l
l
l
l
1
2
3
4
放置TVS靠近输入端子或连接
器来限制瞬态耦合。
尽量减少电视和之间的路径长度
保护线路。
最小化所有导电回路包括电源和
接地环路。
该ESD瞬变接地回路应
保持尽可能地短。
不要运行近板边缘的关键信号。
使用地平面尽可能。
DATA IN
数据输出
2000升特公司
5
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MCC
说明(300瓦特)的
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
SMDA03C-7
THRU
SMDA24C-7
TVSarray 系列
这种瞬态电压抑制器( TVS )阵列封装
采用SO - 8配置提供保障7双向数据或
接口线。它被设计用于在应用中的保护
必须在免受瞬态电压的电路板级
静电放电( ESD ),如IEC 1000-4-2规定,电
符合IEC 1000-4-4快速瞬变( EFT)和辅助疗效
照明。
这些TVS阵列具有300瓦的峰值功率等级的
8 / 20μsec脉冲。该阵列适用于保护敏感电路组成的TTL , CMOS
DRAM的, SRAM的, HCMOS , HSIC微处理器和I / O收发器。该SMDAXXC - 7产品
提供静电等引起的浪涌电压会损坏电路板级保护
敏感电路。
特点
保护多达7行双向
浪涌保护符合IEC 1000-4-2 , IEC 1000-4-4
SO- 8封装
机械
成型SO- 8表面贴装
重量: 0.066克(近似值)
标志:标志,设备编号,日期代码
针#1点定义在封装顶部
最大额定值
工作温度: -55 ℃ + 150℃
存储温度: -55
0
C至+150
0
C
峰值脉冲功率: 300瓦( 8/20
微秒,
图1)
脉冲重复率: <.01 %
0
0
包装
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
13英寸卷筒2500件(可选)
运营商管95颗每( STANDARD )
每行@ 25电气特性
0
C除非另有说明
关闭
电压
V
WM
SMDA03C-7
SMDA05C-7
SMDA12C-7
SMDA15C-7
SMDA24C-7
SDL7
SDB7
SDD7
SDF7
SDH7
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
(图2)
最大
7
9.8
19
24
43
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
(图2)
最大
9
11
24
30
55
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
40
1
1
1
电容
中(f = 1 MHz)的
@0V
C
pF
典型值
300
200
75
70
35
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
1
8
11
28
部分
设备
记号
注意:
基于其关断电压V TVS产品通常选择
WM
。产品选用耐压
应等于或大于该电路的连续峰值工作电压进行保护。
应用:
该SMDAXXC - 7产品是专为ESD瞬态电压抑制保护
敏感元件在董事会层面。它是将用于保护的I / O收发器的理想产品。
www.mccsemi.com
SMDA03C - 7至SMDA24C - 7
波形
100
MCC
峰值 - IPP
8 ×20波形
50
半值 - IPP
2
0
0
t
10
t
d
20
30
I
吨 - 时间在微秒
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
p
p
图2
脉冲波形
安装垫SO- 8
0.045±.005
电路图
0.245
.160±.005
.030±.005
.050 (典型值)
SO- 8封装
英寸
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
P
0.188
0.150
0.053
0.011
0.016
0.050 BSC
0.006
0.004
0.189
0.228
0.010
0.008
0.206
0.244
最大
0.197
0.158
0.069
0.021
0.050
MILLIMETERS
4.77
3.81
1.35
0.28
0.41
1.27 BSC
0.15
0.10
4.80
5.79
0.25
0.20
5.23
6.19
最大
5.00
4.01
1.75
0.53
1.27
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8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
联系电话: ( 480 ) 941-6300
传真: ( 480 ) 947-1503
SMDA03C-7
THRU
SMDA24C-7
TVSarray 系列
说明(300瓦特)的
这种瞬态电压抑制器( TVS )阵列封装
采用SO - 8配置提供保障7双向数据或
接口线。它被设计用于在应用中的保护
必须在免受瞬态电压的电路板级
静电放电( ESD ),如IEC 1000-4-2规定,电
符合IEC 1000-4-4快速瞬变( EFT)和辅助疗效
照明。
这些TVS阵列具有300瓦的峰值功率等级的
8 / 20μsec脉冲。该阵列适用于保护敏感电路组成的TTL , CMOS
DRAM的, SRAM的, HCMOS , HSIC微处理器和I / O收发器。该SMDAXXC - 7产品
提供静电等引起的浪涌电压会损坏电路板级保护
敏感电路。
特点
保护多达7行双向
浪涌保护符合IEC 1000-4-2 , IEC 1000-4-4
SO- 8封装
机械
成型SO- 8表面贴装
重量: 0.066克(近似值)
标志:标志,设备编号,日期代码
针#1点定义在封装顶部
最大额定值
工作温度: -55 ℃ + 150℃
存储温度: -55
0
C至+150
0
C
峰值脉冲功率: 300瓦( 8/20
微秒,
图1)
脉冲重复率: <.01 %
0
0
包装
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
13英寸卷筒2500件(可选)
运营商管95颗每( STANDARD )
每行@ 25电气特性
0
C除非另有说明
关闭
电压
V
WM
最大
SMDA03C-7
SMDA05C-7
SMDA12C-7
SMDA15C-7
SMDA24C-7
SDL7
SDB7
SDD7
SDF7
SDH7
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
(图2)
最大
7
9.8
19
24
43
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
(图2)
最大
9
11
24
30
55
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
40
1
1
1
电容
中(f = 1 MHz)的
@0V
C
pF
典型值
300
200
75
70
35
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
1
8
11
28
部分
设备
记号
注意:
基于其关断电压V TVS产品通常选择
WM
。产品选用耐压
应等于或大于该电路的连续峰值工作电压进行保护。
应用:
该SMDAXXC - 7产品是专为ESD瞬态电压抑制保护
敏感元件在董事会层面。它是将用于保护的I / O收发器的理想产品。
MSC0888.PDF
ISO 9001认证
REV M 2000年7月6日
SMDA03C - 7至SMDA24C - 7
波形
100
峰值 - IPP
8 ×20波形
50
半值 - IPP
2
0
0
t
10
t
d
20
30
I
吨 - 时间在微秒
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
p
p
图2
脉冲波形
安装垫SO- 8
0.045±.005
电路图
0.245
.160±.005
.030±.005
.050 (典型值)
SO- 8封装
英寸
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
P
0.188
0.150
0.053
0.011
0.016
0.050 BSC
0.006
0.004
0.189
0.228
0.010
0.008
0.206
0.244
最大
0.197
0.158
0.069
0.021
0.050
MILLIMETERS
4.77
3.81
1.35
0.28
0.41
1.27 BSC
0.15
0.10
4.80
5.79
0.25
0.20
5.23
6.19
最大
5.00
4.01
1.75
0.53
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