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SMDA05C - 5 THRU SMDA24C - 5
保护产品
描述
该SMDAxxC - 5系列瞬态电压suppres-
感器是为了保护元件,这些元件
连接到数据和传输线从电压
浪涌引起的ESD (静电放电) , EFT
(电快速瞬变) ,和闪电。
TVS二极管的特点是其高浪涌
能力,低的操作和钳位电压,并
快速的响应时间。这使得它们非常适合用作
敏感的半导体板级保护
组件。该SMDAxxC -5的目的是提供
在多条数据线和I / O的瞬态抑制
端口。低外形的SO-8设计允许用户
保护多达五个数据和I / O线与一包。
该SMDAxxC - 5 TVS二极管阵列将满足激增
IEC 61000-4-2 (原IEC 801-2 )的要求,
4级, ??人体模型?空气和接触
放电。
双向TVS阵列
为保护五行
特点
u
数据线瞬变保护
IEC 61000-4-2 ( ESD ) 15千伏(空气) ,具有8kV(接触)
IEC 61000-4-4 ( EFT ) 40A ( 5 / 50ns的)
IEC 61000-4-5 (闪电) 12A ( 8 / 20μS )
小的SO- 8表面贴装封装
保护5个I / O线
工作电压: 5V , 12V , 15V和24V
低漏电流
低操作和钳位电压
固态硅雪崩技术
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
机械特性
JEDEC SO- 8封装
模塑料FL可燃性等级:UL 94V- 0
标志:产品型号,日期代码,标识
包装:管或磁带和卷轴每EIA 481
应用
RS - 232 & RS - 422数据线
基于微处理器设备
LAN / WAN设备
笔记本电脑,台式机,服务器&
仪器仪表
外设
机顶盒
串行和并行端口
示意图&引脚CON组fi guration
SO- 8 (顶视图)
修订二千分之九
1
www.semtech.com
SMDA05C - 5 THRU SMDA24C - 5
保护产品
绝对最大额定值
阿婷
峰值脉冲电网( TP = 8 /20μS )
铅焊接温度erature
作品展业务的临时erature
储存温度erature
Symbo升
P
pk信息
T
L
T
J
T
英镑
价值
300
260 (10秒)
-55到+125
-55到+150
单位
°C
°C
°C
电气特性
SMDA05C-5
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
最大峰值脉冲电流
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
PP
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 5V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O引脚和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
6
20
9.8
17
350
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
5
单位
V
V
A
V
A
pF
SMDA12C-5
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
最大峰值脉冲电流
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
PP
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 12V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O引脚和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
16.7
1
19
12
120
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
12
单位
V
V
A
V
A
pF
2000升特公司
2
www.semtech.com
SMDA05C - 5 THRU SMDA24C - 5
保护产品
电气特性
SMDA15C-5
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
最大峰值脉冲电流
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
PP
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 15V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O引脚和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
16.7
1
24
10
75
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
15
单位
V
V
A
V
A
pF
SMDA24C-5
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
最大峰值脉冲电流
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
PP
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 24V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O引脚和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
26.7
1
43
5
50
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
24
单位
V
V
A
V
A
pF
2000升特公司
3
www.semtech.com
SMDA05C - 5 THRU SMDA24C - 5
保护产品
典型特征
非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
110
100
功率降额曲线
峰值脉冲功率 - P
PP
( kW)的
%额定功率还是我的
PP
90
80
70
60
50
40
30
20
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间 - TP (微秒)
100
1000
0
0
25
50
75
100
o
125
150
环境温度 - T的
A
( C)
脉冲波形
110
100
90
80
百分之我
PP
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
时间(μs )
20
25
30
TD = I
PP
/2
e
-t
波形
参数:
TR = 8μs
TD = 20μS
ESD脉冲波形(符合IEC 61000-4-2 )
水平
IEC 61000-4-2放电参数
第一次
PEAK
当前
(A)
1
2
3
4
7.5
15
22.5
30
PEAK
当前
在30纳秒
(A)
4
8
12
16
PEAK
当前
在60纳秒
(A)
8
4
6
8
TEST
TEST
电压
电压
(联系
(A IR
迪斯科ARGE )迪斯科ARGE )
(千伏)
(千伏)
2
4
6
8
2
4
8
15
2000升特公司
4
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SMDA05C - 5 THRU SMDA24C - 5
保护产品
应用信息
设备连接的保护五大数据线
该SMDAxxC - 5是为了保护多达5数据或
I / O线。他们都是双向器件,可以是
在线路中使用,其中所述信号极性是上方和
在地面以下。
该SMDAxxC - 5 TVS阵列采用单片struc-
真实存在。因此,工作电压(V
RWM
)和突破性
降低了电压( V
BR
)规格适用于differen-
之间的任何两个数据线引脚的TiAl电压。为前
充足时, SMDA24C - 5被设计为最大
为+/- 12V的任意两个数据之间的电压偏移
线。
该装置被连接,如下所示:
l
销1,2, 3,4和5分别连接到线
要被保护。销8连接到
地面上。接地连接应
直接向所述接地平面以取得最佳效果。该
路径长度保持尽可能的短,以减少
寄生电感在电路板的影响
痕迹。管脚6和7没有连接。
对于Suppres-电路板布局建议
锡永的ESD 。
良好的电路板布局的关键压制
静电放电引起的瞬变。下面的准则
推荐:
l
l
l
l
l
l
电路图
接线图
DATA IN
数据输出
8
7
6
5
1
2
3
4
放置TVS靠近输入端子或连接
器来限制瞬态耦合。
尽量减少电视和之间的路径长度
保护线路。
最小化所有导电回路包括电源和
接地环路。
该ESD瞬变接地回路应
保持尽可能地短。
不要运行近板边缘的关键信号。
使用地平面尽可能。
DATA IN
数据输出
2000升特公司
5
www.semtech.com
MCC
说明(300瓦特)的
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
SMDA03C-5
THRU
SMDA24C-5
TVSarray 系列
这种瞬态电压抑制器( TVS )阵列
封装在一个SO- 8配置提供保护5
双向数据或接口线。它被设计为在使用中
其中,保护从需要在板级应用
因静电放电( ESD)的电压瞬变
在IEC 1000-4-2 ,电快速瞬变( EFT ) ,符合IEC定义
1000-4-4和二次照明效果。
这些TVS阵列具有300瓦的峰值功率等级为8/20
微秒
脉搏。该阵列适用于保护敏感电路的组成TTL , CMOS DRAM的的,
SRAM的, HCMOS , HSIC微处理器和I / O收发器。该SMDAXXC - 5产品提供电路板
静电等引起的浪涌电压会损坏敏感电路级的保护。
特点
保护多达5个双向线
浪涌保护符合IEC 1000-4-2 , 1000-4-4
SO- 8封装
机械
成型SO- 8表面贴装
重量: 0.066克(近似值)
标志:标志,设备编号,日期代码
针#1点定义在封装顶部
最大额定值
工作温度: -55 ℃ + 150℃
存储温度: -55
0
C至+150
0
C
峰值脉冲功率: 300瓦( 8/20
微秒,
图1)
脉冲重复率: <.01 %
0
0
包装
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
13英寸卷筒2500件(可选)
运营商管95颗每( STANDARD )
每行@ 25电气特性
0
C除非另有说明
关闭
电压
V
WM
SMDA03C-5
SMDA05C-5
SMDA12C-5
SMDA15C-5
SMDA24C-5
SDL5
SDB5
SDD5
SDF5
SDH5
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
(图2)
最大
7
9.8
19.0
24.0
43.0
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
(图2)
最大
9
11
24
30
55
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
40
1
1
1
电容
中(f = 1 MHz)的
@0V
C
pF
典型值
300
200
75
50
35
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
3
10
13
30
部分
设备
记号
注意:
基于其关断电压V TVS产品通常选择
WM
。产品选用耐压
应等于或大于该电路的连续峰值工作电压进行保护。
应用:
该SMDAXXC - 5产品是专为ESD瞬态电压抑制保护
敏感元件在董事会层面。它是将用于保护的I / O收发器的理想产品。
www.mccsemi.com
SMDA03C - 5通SMDA24C - 5
波形
MCC
100
峰值 - IPP
8 ×20波形
50
半值 - IPP
2
0
0
t
10
t
d
20
30
I
吨 - 时间在微秒
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
p
p
图2
脉冲波形
安装垫SO- 8
0.045±.005
电路图
1
0.245
.160±.005
2
3
4
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
5
.030±.005
.050 (典型值)
SO- 8封装
英寸
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
P
0.188
0.150
0.053
0.011
0.016
0.050 BSC
0.006
0.004
0.189
0.228
0.010
0.008
0.206
0.244
最大
0.197
0.158
0.069
0.021
0.050
MILLIMETERS
4.77
3.81
1.35
0.28
0.41
1.27 BSC
0.15
0.10
4.80
5.79
0.25
0.20
5.23
6.19
最大
5.00
4.01
1.75
0.53
1.27
www.mccsemi.com
8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
联系电话: ( 480 ) 941-6300
传真: ( 480 ) 947-1503
SMDA03C-5
THRU
SMDA24C-5
TVSarray 系列
说明(300瓦特)的
这种瞬态电压抑制器( TVS )阵列
封装在一个SO- 8配置提供保护5
双向数据或接口线。它被设计为在使用中
其中,保护从需要在板级应用
因静电放电( ESD)的电压瞬变
在IEC 1000-4-2 ,电快速瞬变( EFT ) ,符合IEC定义
1000-4-4和二次照明效果。
这些TVS阵列具有300瓦的峰值功率等级为8/20
微秒
脉搏。该阵列适用于保护敏感电路的组成TTL , CMOS DRAM的的,
SRAM的, HCMOS , HSIC微处理器和I / O收发器。该SMDAXXC - 5产品提供电路板
静电等引起的浪涌电压会损坏敏感电路级的保护。
特点
保护多达5个双向线
浪涌保护符合IEC 1000-4-2 , 1000-4-4
SO- 8封装
机械
成型SO- 8表面贴装
重量: 0.066克(近似值)
标志:标志,设备编号,日期代码
针#1点定义在封装顶部
最大额定值
工作温度: -55 ℃ + 150℃
存储温度: -55
0
C至+150
0
C
峰值脉冲功率: 300瓦( 8/20
微秒,
图1)
脉冲重复率: <.01 %
0
0
包装
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
13英寸卷筒2500件(可选)
运营商管95颗每( STANDARD )
每行@ 25电气特性
0
C除非另有说明
关闭
电压
V
WM
最大
SMDA03C-5
SMDA05C-5
SMDA12C-5
SMDA15C-5
SMDA24C-5
SDL5
SDB5
SDD5
SDF5
SDH5
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
(图2)
最大
7
9.8
19.0
24.0
43.0
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
(图2)
最大
9
11
24
30
55
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
40
1
1
1
电容
中(f = 1 MHz)的
@0V
C
pF
典型值
300
200
75
50
35
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
3
10
13
30
部分
设备
记号
注意:
基于其关断电压V TVS产品通常选择
WM
。产品选用耐压
应等于或大于该电路的连续峰值工作电压进行保护。
应用:
该SMDAXXC - 5产品是专为ESD瞬态电压抑制保护
敏感元件在董事会层面。它是将用于保护的I / O收发器的理想产品。
MSC0331A.PDF
ISO 9001认证
REV 2000年7月6日
SMDA03C - 5通SMDA24C - 5
波形
100
峰值 - IPP
8 ×20波形
50
半值 - IPP
2
0
0
t
10
t
d
20
30
I
吨 - 时间在微秒
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
p
p
图2
脉冲波形
安装垫SO- 8
0.045±.005
电路图
1
0.245
.160±.005
2
3
4
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
5
.030±.005
.050 (典型值)
SO- 8封装
英寸
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
P
0.188
0.150
0.053
0.011
0.016
0.050 BSC
0.006
0.004
0.189
0.228
0.010
0.008
0.206
0.244
最大
0.197
0.158
0.069
0.021
0.050
MILLIMETERS
4.77
3.81
1.35
0.28
0.41
1.27 BSC
0.15
0.10
4.80
5.79
0.25
0.20
5.23
6.19
最大
5.00
4.01
1.75
0.53
1.27
MSC0331A.PDF
ISO 9001认证
REV 2000年7月6日
SMDA05C - 5 THRU SMDA24C - 5
保护产品
描述
该SMDAxxC - 5系列瞬态电压suppres-
感器是为了保护元件,这些元件
连接到数据和传输线从电压
浪涌引起的静电放电( ESD ) , electri-
CAL快速瞬变( EFT ) ,和闪电。
TVS二极管的特点是其高浪涌
能力,低的操作和钳位电压,并
快速的响应时间。这使得它们非常适合用作
敏感的半导体板级保护
组件。该SMDAxxC -5的目的是提供
在多条数据线和I / O的瞬态抑制
端口。低外形的SO-8设计允许用户
保护多达五个数据和I / O线与一包。
该SMDAxxC - 5 TVS二极管阵列将满足激增
IEC 61000-4-2 (原IEC 801-2 )的要求,
4级, ??人体模型?空气和接触
放电。
双向TVS阵列
为保护五行
特点
数据线瞬变保护
IEC 61000-4-2 ( ESD )具有±15kV (空气) ,具有±8kV (接触)
IEC 61000-4-4 ( EFT ) 40A ( 5 / 50ns的)
IEC 61000-4-5 (闪电) 12A ( 8 / 20μS )
小的SO- 8表面贴装封装
保护5个I / O线
工作电压: 5V , 12V , 15V和24V
低漏电流
低操作和钳位电压
固态硅雪崩技术
机械特性
JEDEC SO- 8封装
模塑料FL可燃性等级:UL 94V- 0
标志:产品型号,日期代码,标识
包装:管或磁带和卷轴每EIA 481
应用
RS-232和RS-422数据线
基于微处理器设备
LAN / WAN设备
笔记本电脑,台式机和服务器
仪器仪表
外设
机顶盒
串行和并行端口
原理图和引脚配置
SO- 8 (顶视图)
修订06年8月15日
1
www.semtech.com
SMDA05C - 5 THRU SMDA24C - 5
保护产品
绝对最大额定值
阿婷
峰值脉冲功率( TP = 8 /20μS )
引线焊接温度
工作温度
储存温度
符号
P
pk信息
T
L
T
J
T
英镑
价值
300
260 (10秒)
-55到+125
-55到+150
单位
°C
°C
°C
电气特性
SMDA05C-5
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压
最大峰值脉冲电流
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
P P
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 5V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
6
20
9.8
17
350
条件
最低
典型
最大
5
单位
V
V
A
V
A
pF
SMDA12C-5
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压
最大峰值脉冲电流
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
P P
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 12V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
16.7
1
19
12
120
条件
最低
典型
最大
12
单位
V
V
A
V
A
pF
2004年升特公司
2
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SMDA05C - 5 THRU SMDA24C - 5
保护产品
电气特性
SMDA15C-5
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压
最大峰值脉冲电流
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
P P
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 15V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
16.7
1
24
10
75
条件
最低
典型
最大
15
单位
V
V
A
V
A
pF
SMDA24C-5
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
最大峰值脉冲电流
结帽acitance
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
P P
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 24V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
TP = 8 / 20μs的
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
26.7
1
43
5
50
条件
最低
典型
最大
24
单位
V
V
A
V
A
pF
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3
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SMDA05C - 5 THRU SMDA24C - 5
保护产品
典型特征
非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
峰值脉冲功率 - P
Pk
( kW)的
功率降额曲线
110
100
%额定功率,或
PP
I
90
80
70
60
50
40
30
20
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间 - TP (微秒)
100
1000
0
0
25
50
75
100
o
125
150
环境温度 - T的
A
( C)
脉冲波形
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
时间(μs )
20
25
30
TD = I
PP
/2
PP
波形
参数:
TR = 8μs
TD = 20μS
e
-t
百分之我
ESD脉冲波形(符合IEC 61000-4-2 )
水平
IEC 61000-4-2放电参数
第一次
PEAK
当前
(A )
1
2
3
4
7.5
15
22.5
30
PEAK
当前
在30纳秒
(A )
4
8
12
16
PEAK
当前
在60纳秒
(A )
8
4
6
8
TEST
TEST
电压
电压
(联系
(A IR
放电)放电)
(千伏)
(千伏)
2
4
6
8
2
4
8
15
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SMDA05C - 5 THRU SMDA24C - 5
保护产品
应用信息
设备连接的保护五大数据线
该SMDAxxC - 5是为了保护多达5数据或
I / O线。他们都是双向器件,可以是
在线路中使用,其中所述信号极性是上方和
在地面以下。
该SMDAxxC - 5 TVS阵列采用单片struc-
真实存在。因此,工作电压(V
RWM
)和突破性
降低了电压( V
BR
)规格适用于differen-
之间的任何两个数据线引脚的TiAl电压。为前
充足时, SMDA24C - 5被设计为最大
±12V的任意两个数据线之间的电压偏移。
该装置被连接,如下所示:
销1,2, 3,4和5分别连接到线
要被保护。销8连接到
地面上。接地连接应
直接向所述接地平面以取得最佳效果。该
路径长度保持尽可能的短,以减少
寄生电感在电路板的影响
痕迹。管脚6和7没有连接。
对于Suppres-电路板布局建议
锡永的ESD 。
良好的电路板布局的关键压制
静电放电引起的瞬变。下面的准则
推荐:
放置TVS靠近输入端子或连接
器来限制瞬态耦合。
尽量减少电视和之间的路径长度
保护线路。
最小化所有导电回路包括电源和
接地环路。
该ESD瞬变接地回路应
保持尽可能地短。
不要运行近板边缘的关键信号。
使用地平面尽可能。
雾锡铅完成
雾锡已成为行业标准的无铅化
替代锡铅铅完成。哑光锡涂层
与大颗粒组成100 %的锡焊料。
自从上引线的焊锡量小的COM
相比于放置在焊膏体积
PCB的焊盘布局,在回流温度曲线会
通过焊膏的要求来确定。
因此,这些器件与两个兼容
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5
1
2
3
4
DATA IN
电路图
接线图
数据输出
8
7
6
5
DATA IN
数据输出
无铅和锡铅装配技术。此外,
不像其他的无铅组合物,雾锡不
有任何添加的合金,可导致降解
焊点。
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查看更多SMDA12C-5PDF信息
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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