8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
联系电话： （ 480 ） 941-6300
传真： （ 480 ） 947-1503
SMDA03C-5
THRU
SMDA24C-5
TVSarray 系列
说明（300瓦特）的
这种瞬态电压抑制器（ TVS ）阵列
封装在一个SO- 8配置提供保护5
双向数据或接口线。它被设计为在使用中
其中，保护从需要在板级应用
因静电放电（ ESD）的电压瞬变
在IEC 1000-4-2 ，电快速瞬变（ EFT ） ，符合IEC定义
1000-4-4和二次照明效果。
这些TVS阵列具有300瓦的峰值功率等级为8/20
微秒
脉搏。该阵列适用于保护敏感电路的组成TTL ， CMOS DRAM的的，
SRAM的， HCMOS ， HSIC微处理器和I / O收发器。该SMDAXXC - 5产品提供电路板
静电等引起的浪涌电压会损坏敏感电路级的保护。
特点
保护多达5个双向线
浪涌保护符合IEC 1000-4-2 ， 1000-4-4
SO- 8封装
机械
成型SO- 8表面贴装
重量： 0.066克（近似值）
标志：标志，设备编号，日期代码
针＃1点定义在封装顶部
最大额定值
工作温度： -55 ℃ + 150℃
存储温度： -55
0
C至+150
0
C
峰值脉冲功率： 300瓦（ 8/20
微秒，
图1）
脉冲重复率： <.01 ％
0
0
包装
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
13英寸卷筒2500件（可选）
运营商管95颗每（ STANDARD ）
每行@ 25电气特性
0
C除非另有说明
站
关闭
电压
V
WM
伏
最大
SMDA03C-5
SMDA05C-5
SMDA12C-5
SMDA15C-5
SMDA24C-5
SDL5
SDB5
SDD5
SDF5
SDH5
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
7
9.8
19.0
24.0
43.0
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
（图2）
伏
最大
9
11
24
30
55
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
40
1
1
1
电容
中（f = 1 MHz）的
@0V
C
pF
典型值
300
200
75
50
35
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
3
10
13
30
部分
数
设备
记号
注意：
基于其关断电压V TVS产品通常选择
WM
。产品选用耐压
应等于或大于该电路的连续峰值工作电压进行保护。
应用：
该SMDAXXC - 5产品是专为ESD瞬态电压抑制保护
敏感元件在董事会层面。它是将用于保护的I / O收发器的理想产品。
MSC0331A.PDF
ISO 9001认证
REV 2000年7月6日
MCC
说明（300瓦特）的
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
SMDA03C-5
THRU
SMDA24C-5
TVSarray 系列
这种瞬态电压抑制器（ TVS ）阵列
封装在一个SO- 8配置提供保护5
双向数据或接口线。它被设计为在使用中
其中，保护从需要在板级应用
因静电放电（ ESD）的电压瞬变
在IEC 1000-4-2 ，电快速瞬变（ EFT ） ，符合IEC定义
1000-4-4和二次照明效果。
这些TVS阵列具有300瓦的峰值功率等级为8/20
微秒
脉搏。该阵列适用于保护敏感电路的组成TTL ， CMOS DRAM的的，
SRAM的， HCMOS ， HSIC微处理器和I / O收发器。该SMDAXXC - 5产品提供电路板
静电等引起的浪涌电压会损坏敏感电路级的保护。
特点
保护多达5个双向线
浪涌保护符合IEC 1000-4-2 ， 1000-4-4
SO- 8封装
机械
成型SO- 8表面贴装
重量： 0.066克（近似值）
标志：标志，设备编号，日期代码
针＃1点定义在封装顶部
最大额定值
工作温度： -55 ℃ + 150℃
存储温度： -55
0
C至+150
0
C
峰值脉冲功率： 300瓦（ 8/20
微秒，
图1）
脉冲重复率： <.01 ％
0
0
包装
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
13英寸卷筒2500件（可选）
运营商管95颗每（ STANDARD ）
每行@ 25电气特性
0
C除非另有说明
站
关闭
电压
V
WM
伏
SMDA03C-5
SMDA05C-5
SMDA12C-5
SMDA15C-5
SMDA24C-5
SDL5
SDB5
SDD5
SDF5
SDH5
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
7
9.8
19.0
24.0
43.0
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
（图2）
伏
最大
9
11
24
30
55
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
40
1
1
1
电容
中（f = 1 MHz）的
@0V
C
pF
典型值
300
200
75
50
35
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
3
10
13
30
部分
数
设备
记号
注意：
基于其关断电压V TVS产品通常选择
WM
。产品选用耐压
应等于或大于该电路的连续峰值工作电压进行保护。
应用：
该SMDAXXC - 5产品是专为ESD瞬态电压抑制保护
敏感元件在董事会层面。它是将用于保护的I / O收发器的理想产品。
www.mccsemi.com
QQ：2881677436 复制
