8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
联系电话： （ 480 ） 941-6300
传真： （ 480 ） 947-1503
SMDA03C-4-2
THRU
SMDA24C-4-2
TVSarray 系列
说明（300瓦特）的
这种瞬态电压抑制器（ TVS ）阵列封装
在SO- 8配置给保护4双向数据或
接口线。它被设计用于在应用中的保护
必须在免受瞬态电压的电路板级
静电放电（ ESD ），如IEC 1000-4-2规定，电
符合IEC 1000-4-4快速瞬变（ EFT）和辅助疗效
照明。
这些TVS阵列具有300瓦的峰值功率为8 / 20μsec脉冲。这个阵列适用于
保护敏感电路组成的TTL ， CMOS DRAM的， SRAM的， HCMOS ， HSIC
微处理器和I / O收发器。该SMDAXXC - 4-2产品提供从电路板级保护
静电等引起的浪涌电压会损坏敏感电路。
特点
保护多达4线双向
浪涌保护符合IEC 1000-4-2 ， 1000-4-4
SO- 8封装
机械
成型SO- 8表面贴装
重量： 0.066克（近似值）
标志：标志，设备编号，日期代码
针＃1点定义在封装顶部
最大额定值
工作温度： -55 ℃ + 150℃
存储温度： -55
0
C至+150
0
C
峰值脉冲功率： 300瓦（ 8/20
微秒，
图1）
脉冲重复率： <.01 ％
0
0
包装
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
13英寸卷筒2500件（可选）
运营商管95颗每（ STANDARD ）
每行@ 25电气特性
0
C除非另有说明
站
关闭
电压
V
WM
伏
最大
SMDA03C-4-2
SMDA05C-4-2
SMDA12C-4-2
SMDA15C-4-2
SMDA24C-4-2
RFA
RFB
RFC
RFD
RFE
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
7.0
9.8
19.0
24.0
43.0
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
（图2）
伏
最大
9.0
11
24
30
55
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
40
1
1
1
电容
中（f = 1 MHz）的
@0V
C
pF
典型值
300
200
75
50
35
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
1
8
13
28
部分
数
设备
记号
注意：
基于其关断电压V TVS产品通常选择
WM
。产品选用耐压
应等于或大于该电路的连续峰值工作电压进行保护。
应用：
该SMDAXXC - 4-2产品是专为ESD瞬态电压抑制保护
敏感元件在董事会层面。它是将用于保护的I / O收发器的理想产品。
MSC0887.PDF
ISO 9001认证
REV 2000年7月6日
SMDA03C - 4-2直通SMDA24C -4-2
波形
100
峰值 - IPP
8 ×20波形
50
半值 - IPP
2
0
0
t
10
t
d
20
30
I
吨 - 时间在微秒
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
p
p
图2
脉冲波形
安装垫SO- 8
0.045±.005
电路图
0.245
民
.160±.005
.030±.005
.050 （典型值）
SO- 8封装
英寸
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
P
民
0.188
0.150
0.053
0.011
0.016
0.050 BSC
0.006
0.004
0.189
0.228
0.010
0.008
0.206
0.244
最大
0.197
0.158
0.069
0.021
0.050
MILLIMETERS
民
4.77
3.81
1.35
0.28
0.41
1.27 BSC
0.15
0.10
4.80
5.79
0.25
0.20
5.23
6.19
最大
5.00
4.01
1.75
0.53
1.27
MSC0887.PDF
ISO 9001认证
REV 2000年7月6日
MCC
说明（300瓦特）的
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
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SMDA03C-4-2
THRU
SMDA24C-4-2
TVSarray 系列
这种瞬态电压抑制器（ TVS ）阵列封装
在SO- 8配置给保护4双向数据或
接口线。它被设计用于在应用中的保护
必须在免受瞬态电压的电路板级
静电放电（ ESD ），如IEC 1000-4-2规定，电
符合IEC 1000-4-4快速瞬变（ EFT）和辅助疗效
照明。
这些TVS阵列具有300瓦的峰值功率为8 / 20μsec脉冲。这个阵列适用于
保护敏感电路组成的TTL ， CMOS DRAM的， SRAM的， HCMOS ， HSIC
微处理器和I / O收发器。该SMDAXXC - 4-2产品提供从电路板级保护
静电等引起的浪涌电压会损坏敏感电路。
特点
保护多达4线双向
浪涌保护符合IEC 1000-4-2 ， 1000-4-4
SO- 8封装
机械
成型SO- 8表面贴装
重量： 0.066克（近似值）
标志：标志，设备编号，日期代码
针＃1点定义在封装顶部
最大额定值
工作温度： -55 ℃ + 150℃
存储温度： -55
0
C至+150
0
C
峰值脉冲功率： 300瓦（ 8/20
微秒，
图1）
脉冲重复率： <.01 ％
0
0
包装
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
13英寸卷筒2500件（可选）
运营商管95颗每（ STANDARD ）
每行@ 25电气特性
0
C除非另有说明
站
关闭
电压
V
WM
伏
SMDA03C-4-2
SMDA05C-4-2
SMDA12C-4-2
SMDA15C-4-2
SMDA24C-4-2
RFA
RFB
RFC
RFD
RFE
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
7.0
9.8
19.0
24.0
43.0
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
（图2）
伏
最大
9.0
11
24
30
55
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
40
1
1
1
电容
中（f = 1 MHz）的
@0V
C
pF
典型值
300
200
75
50
35
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
1
8
13
28
部分
数
设备
记号
注意：
基于其关断电压V TVS产品通常选择
WM
。产品选用耐压
应等于或大于该电路的连续峰值工作电压进行保护。
应用：
该SMDAXXC - 4-2产品是专为ESD瞬态电压抑制保护
敏感元件在董事会层面。它是将用于保护的I / O收发器的理想产品。
www.mccsemi.com
SMDA03C - 4-2直通SMDA24C -4-2
波形
MCC
100
峰值 - IPP
8 ×20波形
50
半值 - IPP
2
0
0
t
10
t
d
20
30
I
吨 - 时间在微秒
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
p
p
图2
脉冲波形
安装垫SO- 8
0.045±.005
电路图
0.245
民
.160±.005
.030±.005
.050 （典型值）
SO- 8封装
英寸
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
P
民
0.188
0.150
0.053
0.011
0.016
0.050 BSC
0.006
0.004
0.189
0.228
0.010
0.008
0.206
0.244
最大
0.197
0.158
0.069
0.021
0.050
MILLIMETERS
民
4.77
3.81
1.35
0.28
0.41
1.27 BSC
0.15
0.10
4.80
5.79
0.25
0.20
5.23
6.19
最大
5.00
4.01
1.75
0.53
1.27
www.mccsemi.com
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