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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1292页 > SMBTA14
SMBTA13 / MMBTA13 ， SMBTA14 / MMBTA14
NPN硅达林顿晶体管
高直流电流增益
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
3
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1




2
1
VPS05161
TYPE
SMBTA13 / MMBTA13
SMBTA14 / MMBTA14
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
记号
s1M
s1N
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
值
30
30
10
300
500
100
200
330
150
-65 ... 150
单位
V
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 81 °C
结温
储存温度
热阻
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
thjs
mA
mA
mW
°C
结 - 焊接点
1)
210
K / W
Feb-18-2002
SMBTA13 / MMBTA13 ， SMBTA14 / MMBTA14
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
AC特性
V
BESAT
h
FE
I
EBO
I
CBO
I
CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
典型值。
马克斯。
单位
30
30
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
10
100
V
nA
A
nA
-
SMBTA13
SMBTA14
SMBTA13
SMBTA14
V
CESAT
5000
10000
10000
20000
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
2
V
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
f
T
125
-
-
兆赫
1 ）脉冲测试：吨
≤
300μS ，D = 2％
2
Feb-18-2002
SMBTA13 / MMBTA13 ， SMBTA14 / MMBTA14
总功耗
P
合计
=
f
(
T
S
)
集电极 - 基极电容
C
CB
=
f
(
V
CBO
)
发射极 - 基极电容
C
EB
=
f
(
V
EBO
)
10
C
CB0
(C
EB0
)
pF
SMBTA 13/14
EHP00823
360
mW
300
270
P
合计
240
210
180
150
120
90
60
30
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
C
CB0
5
C
EB0
°C
150
T
S
0
10
-1
10
0
10
1
V
CB0
, (V
EB0
)
V
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(
t
p
)
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
SMBTA 13/14
EHP00824
跃迁频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5V,
f
= 20MHz的
10
3
兆赫
f
T
T
SMBTA 13/14
EHP00825
t
p
D
=
T
t
p
5
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
1
10
0
5 10
1
5 10
2
mA
10
3
Ι
C
3
Feb-18-2002
SMBTA13 / MMBTA13 ， SMBTA14 / MMBTA14
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(
V
CESAT
),
h
FE
= 1000
10
3
SMBTA 13/14
EHP00826
基射极饱和电压
I
C
=
f
(
V
BESAT
),
h
FE
= 1000
10
3
mA
SMBTA 13/14
EHP00827
Ι
C
mA
Ι
C
150 C
25 C
-50 C
150 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
2
5
10
1
5
10
1
5
10
0
0
0.5
1.0
V
V
CESAT
1.5
10
0
0
1.0
2.0
V
V
BESAT
3.0
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(
T
A
)
V
CB
= 30V
4
SMBTA 13/14
EHP00828
直流电流增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5V
10
6
h
FE
5
SMBTA 13/14
EHP00829
10
nA
Ι
CB0
10
3
5
典型值
最大
10
5
5
125 C
25 C
10
2
5
-55 C
10
4
10
1
5
5
10
0
0
50
100
T
A
C
150
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
Ι
C
4
Feb-18-2002
NPN硅达林顿晶体管
SMBTA 13
SMBTA 14
q
高直流电流增益
q
高集电极电流
q
集电极 - 发射极饱和电压
TYPE
SMBTA 13
SMBTA 14
记号
s1M
s1N
订购代码
（磁带和卷轴）
Q68000-A6475
Q68000-A6476
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 81 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
280
≤
210
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
30
30
10
300
500
100
200
330
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
SMBTA 13
SMBTA 14
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V
发射基截止电流
V
EB
= 10 V
直流电流增益
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1)
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V
1)
SMBTA 13
SMBTA 14
SMBTA 13
SMBTA 14
V
CESAT
V
BESAT
V
(BR)CE0
V
(BR)CB0
V
(BR)EB0
I
CB0
I
EB0
h
FE
5000
10000
10000
20000
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1.5
2
V
30
30
10
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
100
–
nA
V
值
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
f
T
125
–
–
兆赫
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
SMBTA 13
SMBTA 14
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
电容
C
CB0
=
f
(V
CB0
)
C
EB0
=
f
(V
EB0
)
f
= 1兆赫
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/
P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
半导体集团
3
SMBTA 13
SMBTA 14
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BE坐
)
h
FE
= 1000
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CE坐
)
h
FE
= 1000
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 30 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
4
SMBTA14/MMBTA14
NPN硅达林顿晶体管
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
SMBTA14/MMBTA14
记号
s1N
1=B
引脚配置
2=E
3=C
包
SOT23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
≤
81 °C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
2)
1
含有铅，
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
价值
30
30
10
300
500
100
200
330
150
-65 ... 150
价值
≤
210
单位
V
mA
mW
°C
单位
K / W
包可能是可根据特殊要求
2
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
2007-04-19
SMBTA14/MMBTA14
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
30
-
-
V
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CBO
30
10
-
-
-
-
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
I
EBO
h
FE
-
-
-
0.1
10
100
nA
-
发射基截止电流
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
-
直流电流增益
1)
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V
10000
20000
V
CESAT
V
BESAT
-
-
-
-
-
-
1.5
2
V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
-
-
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 100兆赫
1
脉冲
f
T
C
cb
125
-
-
3
-
-
兆赫
pF
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
2
2007-04-19
SMBTA14/MMBTA14
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5 V
10
6
h
FE
5
SMBTA 13/14
EHP00829
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
h
FE
= 1000
10
3
SMBTA 13/14
EHP00826
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
10
5
5
125 C
25 C
10
2
5
-55 C
10
4
5
10
1
5
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
10
0
0
0.5
1.0
V
V
CESAT
1.5
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
),
h
FE
= 1000
10
3
mA
SMBTA 13/14
EHP00827
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(T
A
)
V
CBO
= 30 V
4
SMBTA 13/14
EHP00828
10
nA
Ι
C
150 C
25 C
-50 C
Ι
CB0
10
3
5
典型值
最大
10
2
5
10
5
10
1
5
2
10
1
5
10
0
0
1.0
2.0
V
V
BESAT
3.0
10
0
0
50
100
T
A
C
150
3
2007-04-19
SMBTA14/MMBTA14
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
V
CE
= 5 V,
f
= 200兆赫
10
3
兆赫
f
T
5
C
CB
/C
EB
15
13
11
SMBTA 13/14
EHP00825
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
发射极 - 基极电容
C
eb
=
(V
EB
)
19
pF
10
2
CEB
9
5
7
5
3
建行
10
1
10
0
5 10
1
5 10
2
mA
10
3
1
0
4
8
12
16
V
22
Ι
C
V
CB
/V
EB
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
360
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
SMBTA 13/14
EHP00824
mW
300
270
t
p
D
=
T
t
p
T
P
合计
240
210
180
150
120
90
60
30
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
°C
150
T
S
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
4
2007-04-19
SOT23封装
SMBTA14/MMBTA14
包装外形
0.15分钟。
1
±0.1
0.1最大。
1.3
±0.1
2.9
±0.1
3
B
2.4
±0.15
10最大。
1)
0.4
+0.1
-0.05
1
2
10最大。
C
0.95
1.9
0.08...0.1
A
5
0...8
0.25
M
B C
0.2
M
A
1 ）导线宽度可以是0.6最大。在密封条领域
FOOT PRINT
0.8
0.9
0.8
1.2
标记版面（例）
生产厂家
EH
s
销1
0.9
1.3
2005年六月
日期代码（ YM ）
BCW66
型号代码
标准包装
盘180毫米= 3.000件/卷
盘330毫米= 10.000件/卷
4
0.9
2.13
2.65
0.2
8
销1
3.15
1.15
5
2007-04-19
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STV0042
SN65LVCP402RGERG4
SN74AUP1T97YZPR
S29CD016G0JQAM010
SMH4803CFLP
SPVN120101
S29AL008D90MAIR13
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