【SMBTA06UPNNPN / PNP硅AF晶体管阵列高的击穿电压低集电极 - 发射极饱和电压二（电】,IC型号SMBTA06UPN,SMBTA06UPN PDF资料,SMBTA06UPN经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMBTA06UPN

NPN / PNP硅AF晶体管阵列

高的击穿电压

低集电极 - 发射极饱和电压

二（电流）的内部分离NPN / PNP

晶体管在一个封装

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

4

5

6

1

2

3

C1

B2

5

E2

4

磁带加载方向

顶视图

6 5 4

W1s

1 2 3

退绕方向

在磁带位置：脚1

进料孔侧对面

SC74_Tape

6

在SC74封装标记

（例如W1S ）

对应引脚1设备

TR2

TR1

1

E1

2

B1

3

C2

EHA07177

TYPE

SMBTA06UPN

最大额定值

参数

记号

s2P

1=E

引脚配置

2=B

3=C

4=E

5=B

6=C

包

SC74

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

价值

80

4

500

1

100

200

330

150

-65 ... 150

单位

V

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功率dissipation-

T

S

≤

115 °C

结温

储存温度

1

含有铅，

mA

A

mA

mW

°C

包可能是可根据特殊要求

1

2007-04-27

SMBTA06UPN

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

符号

R

thjs

价值

≤

105

单位

K / W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

符号

分钟。

80

4

值

典型值。

-

马克斯。

-

单位

V

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100 A,

I

E

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 80 V,

I

E

= 0

V

CB

= 80 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

A

-

0.1

20

100

nA

-

100

-

0.25

1.2

V

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 60 V,

I

B

= 0

I

首席执行官

h

FE

-

直流电流增益

2)

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

集电极 - 发射极饱和电压

2)

I

C

= 100毫安，

I

B

= 10毫安

V

CESAT

V

BE（上）

-

基射极电压

2)

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 20 MHz的

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1

为

f

T

C

cb

-

100

7

-

兆赫

pF

计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

测试：吨< 300μS ; < 2 ％

2

脉冲

2

2007-04-27

SMBTA06UPN

直流电流增益

h

FE

=

(I

C

)

V

CE

= 1 V

EHP00821

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

(V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

3

h

FE

100 C

10

2

25 C

10

3

EHP00819

Ι

C

mA

100 C

25 C

-50 C

10

2

5

-50 C

10

1

10

1

5

10

0 -1

10

0

10

1

10

2

10毫安

3

10

0

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

V

CESAT

0.8

Ι

C

基射极饱和电压

I

C

=

(V

BESAT

),

h

FE

= 10

10

3

mA

EHP00818

集电极电流

I

C

=

(V

BE

)

V

CE

= 1V

EHP00815

10

3

Ι

C

10

2

5

100 C

25 C

-50 C

mA

Ι

C

10

2

5

100 C

25 C

-50 C

10

1

5

10

1

5

10

0

5

10

0

5

10

-1

0

0.5

1.0

V

1.5

10

-1

0

0.5

1.0

V

BE

V

1.5

V

BESAT

3

2007-04-27

SMBTA06UPN

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

(T

A

)

V

CBO

= 80 V

10

4

nA

EHP00820

跃迁频率

f

T

=

(I

C

)

V

CE

= V中的参数，

f

= 2 GHz的

10

3

兆赫

f

T

5

EHP00817

Ι

CBO

10

3

5

10

2

5

10

1

5

10

0

5

10

-1

0

50

最大

10

2

典型值

5

100

T

A

C 150

10

1

10

0

5 10

1

5 10

2

mA

10

3

Ι

C

集电极 - 基极电容

C

cb

=

(V

CB

)

发射极 - 基极电容

C

eb

=

(V

EB

)

65

pF

55

总功耗

P

合计

=

(T

S

)

400

mW

C

CB

(C

EB

)

50

45

300

P

合计

CEB

建行

V

40

35

250

200

30

25

20

15

10

5

0

4

8

12

16

150

100

50

22

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

V

CB

(V

EB

)

T

S

4

2007-04-27

SMBTA06UPN

允许的脉冲负载

R

thjs

=

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/P

totDC

=

(t

p

)

10

3

K / W

10

3

10

2

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

1

10

0

10

-1 -6

10

D=0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

0

10

-5

P

totmax

/P

totDC

-4

-3

-2

0

R

thjs

10

1

10

s

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

t

p

t

p

5

2007-04-27

SIGC07T60SNC

IGBT芯片在NPT技术

产品特点：

600V NPT技术

100微米芯片

短路证明

正温度系数

简单的并联

C

该芯片被用于：

DuoPack SKP06N60

应用范围：

驱动器

G

E

芯片型号

SIGC07T60SNC

V

CE

600V

I

Cn

6A

模具尺寸

2.6× 2.6毫米

2

2.6× 2.6毫米

2

包

锯成薄片上

unsawn

订购代码

Q67041-A4672-

A003

Q67041-A4672-

A002

力学参数：

栅格尺寸

总面积/主动

发射极焊盘尺寸

门焊盘尺寸

厚度

晶圆尺寸

平位置

每片晶圆的芯片Max.possible

钝化前端

发射金属

收藏家金属化

DIE BOND

引线键合

拒绝墨点尺寸

推荐的存储环境

2.6 x 2.6

6.76 / 4.3

1.107 x 1.78

0.5 x 0.7

100

150

0 //180

2249

Photoimide

3200纳米的铝硅1 ％

1400纳米镍银 - 系统

适用于环氧树脂和软钎焊接模具

导电胶水或焊料

AL ，

≤500m

0.65毫米;最大1.2毫米

储存于原装容器中，在干燥的氮气，

< 6个月在23 ℃的环境温度下

m

mm

2

mm

度

英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7212 -S ，第2版， 2003年11月28日编辑

SIGC07T60SNC

最大额定值：

参数

集电极 - 发射极电压，

T

j=25

°C

DC集电极电流限制T

JMAX

集电极电流脉冲，T

p

限制T

JMAX

门极电压

工作结温和存储温度

1)

符号

V

CE

I

C

I

Cpuls

V

GE

T

j

, T

S T摹

价值

600

1)

单位

V

A

V

°C

18

±20

-55 ... +150

根据装配的热性能

静态特性

（片上测试），

T

j=25

°C,

除非另有规定：

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

栅极 - 发射极漏电流

符号

V

（ BR ） CES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

I

CES

I

GES

条件

V

GE

= 0V时，我

C

=500A

V

GE

= 15V ，我

C

=6A

I

C

= 200μA ，V

GE

=V

CE

V

CE

=600V, V

GE

=0V

V

CE

=0V, V

GE

=20V

价值

分钟。

600

1.6

3

2

4

2.5

5

0.55

120

A

nA

V

典型值。

马克斯。

单位

动态特性

（在部分测试）：

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

C

我S S小

C

S S小

C

S S小

条件

V

权证

= 2 5 V

V

GE

= 0 V

f

=1MHz

价值

分钟。

-

典型值。

350

38

23

马克斯。

420

46

28

单位

pF

开关特性

（在组件测试），感性负载：

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

2)

符号

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

条件

2)

T

j

= 1 5 0

°

C

V

C C

=400V

I

C

=6A

V

摹ê

=+15/0V

R

G

= 5 0

价值

分钟。

-

典型值。

24

17

248

70

马克斯。

29

20

298

84

单位

ns

开关条件不同标准的600V IGBT 2 ，可比切换条件40 ％的速度下

关断比标准IGBT 2. V

alues也由寄生L-和C-在测量和包装的影响。

英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7212 -S ，第2版， 2003年11月28日编辑

SIGC07T60SNC

CHIP图：

英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7212 -S ，第2版， 2003年11月28日编辑

SIGC07T60SNC

进一步电气特性：

该芯片数据手册指

器件的数据手册

SGP06N60

包装： TO220

描述：

AQL的目视检查0,65根据故障目录

根据MIL -STD 883静电放电敏感设备

测试 - 诺门菲拉赫/ Prüffeld

出版

英飞凌科技股份公司，

Bereich KOMMUNIKATION

圣 - 马丁大街53 ，

D- 81541慕尼黑

英飞凌科技股份公司2002年

请注意！

此处的信息是考虑到某些描述部件，不得被视为保证

的特点。

交货条件和权利，以技术变革保留。

在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，

关于电路，说明和图表规定外。

在网络连接霓虹灯技术是经过批准的CECC制造商。

信息

有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的

英飞凌科技厅在德国或我们的英飞凌代表世界各地（见

地址列表）。

警告

由于技术要求组件可能含有危险物质。有关类型的信息

有问题请联系距离您最近的英飞凌科技办公室。

英飞凌组件只能用于生命支持设备或系统的明确

英飞凌科技的书面批准，如果有这样的组件故障可以合理预期

造成生命支持设备或系统故障，或影响该设备的安全性或有效性或

系统。生命支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或者以支持

和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该

用户或其他人的健康可能受到威胁。

英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7212 -S ，第2版， 2003年11月28日编辑

SMBTA06UPN

NPN / PNP硅AF晶体管阵列

高的击穿电压

低集电极 - 发射极饱和电压

二（电流）的内部分离NPN / PNP

在一个封装晶体管

5

6

4

TYPE

SMBTA06UPN

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 115 °C

结温

储存温度

热阻

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

1

3

2

1

VPW09197

磁带加载方向

顶视图

6 5 4

W1s

1 2 3

退绕方向

在磁带位置：脚1

进料孔侧对面

SC74_Tape

C1

6

B2

5

在SC74封装标记

（例如W1S ）

对应引脚1设备

E2

4

TR2

TR1

1

E1

2

B1

3

C2

EHA07177

记号

s2P

引脚配置

包

1 = E 2 = B 3 = C 4 = E 5 = B 6 = C SC74

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

价值

80

4

500

1

100

200

330

150

-65 ... 150

单位

V

mA

A

mA

mW

°C

结 - 焊接点

1)

R

thjs

105

K / W

Aug-21-2002

SMBTA06UPN

电气特性

参数

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100 A,

I

E

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 80 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 80 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

收藏家Cuto FF电流

V

CE

= 60 V,

I

B

= 0

直流电流增益1 ）

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 100毫安，

I

B

= 10毫安

基极 - 发射极电压1）

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

V

CESAT

V

BE（上）

h

FE

100

-

0.25

1.2

V

-

I

首席执行官

-

100

nA

I

CBO

-

20

A

I

CBO

-

100

nA

V

（ BR ） EBO

4

-

V

（ BR ） CBO

80

-

V

（ BR ） CEO

80

-

V

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 20 MHz的

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

C

cb

-

12

-

pF

f

T

-

100

-

兆赫

1 ）脉冲测试：吨

≤

300

S，D = 2 ％

2

Aug-21-2002

SMBTA06UPN

总功耗

P

合计

=

f

(T

S

)

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

f

(

T

A

)

V

CB

= 80V

400

mW

10

4

nA

EHP00820

Ι

CBO

300

10

3

5

10

2

5

10

1

5

10

0

5

10

-1

0

50

最大

P

合计

250

200

典型值

150

100

50

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

100

T

A

C 150

T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

K / W

10

3

10

2

R

thjs

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

1

10

0

10

-1 -6

10

D=0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

0

10

-5

P

totmax

/ P

totDC

-4

-3

-2

0

10

1

10

s

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

t

p

t

p

3

Aug-21-2002

SMBTA06UPN

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(

V

CESAT

),

h

FE

= 10

基射极饱和电压

I

C

=

f

(V

BESAT

),

h

FE

= 10

10

3

mA

EHP00818

10

3

EHP00819

Ι

C

mA

100 C

25 C

-50 C

Ι

C

10

2

5

100 C

25 C

-50 C

10

2

5

10

1

5

10

1

5

10

0

5

10

0

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

V

CESAT

0.8

10

-1

0

0.5

1.0

V

1.5

V

BESAT

直流电流增益

h

FE

=

f

(

I

C

)

V

CE

= 1V

EHP00821

集电极电流

I

C

=

f

(

V

BE

)

V

CE

= 1V

EHP00815

10

3

h

FE

100 C

10

2

25 C

10

3

mA

Ι

C

10

2

5

100 C

25 C

-50 C

10

1

5

10

1

10

0

5

10

0 -1

10

0

10

1

10

2

10毫安

3

10

-1

0

0.5

1.0

V

BE

V

1.5

Ι

C

4

Aug-21-2002

SMBTA06UPN

跃迁频率

f

T

=

f

(

I

C

)

V

CE

= 5V

10

3

兆赫

f

T

5

EHP00817

10

2

5

10

1

10

0

5 10

1

5 10

2

mA

10

3

Ι

C

5

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