添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第123页 > SMBTA06
SMBTA06/MMBTA06
NPN硅晶体管自动对焦
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型：
SMBTA 56 / MMBTA56 （ PNP ）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
SMBTA06/MMBTA06
记号
s1G
1=B
引脚配置
2=E
3=C
包
SOT23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
≤
79 °C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
2)
1
含有铅，
2
为
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
价值
80
80
4
500
1
100
200
330
150
-65 ... 150
价值
≤
215
单位
V
mA
A
mA
mW
°C
单位
K / W
包可能是可根据特殊要求
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
2007-04-19
SMBTA06/MMBTA06
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
80
V
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
80
4
-
-
-
-
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
I
首席执行官
h
FE
-
-
-
0.1
20
100
nA
-
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 60 V,
I
B
= 0
-
直流电流增益
1)
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
100
100
V
CESAT
V
BE（上）
-
-
-
-
-
-
0.25
1.2
V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安，
I
B
= 10毫安
-
-
基射极电压
1)
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1
脉冲
f
T
C
cb
-
-
100
7
-
-
兆赫
pF
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
2
2007-04-19
SMBTA06/MMBTA06
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 1 V
EHP00821
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
3
h
FE
100 C
10
2
25 C
10
3
EHP00819
Ι
C
mA
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
-50 C
10
1
10
1
5
10
0 -1
10
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
10
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
V
CESAT
0.8
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
mA
EHP00818
集电极电流
I
C
=
(V
BE
)
V
CE
= 1V
EHP00815
10
3
Ι
C
10
2
5
100 C
25 C
-50 C
mA
Ι
C
10
2
5
100 C
25 C
-50 C
10
1
5
10
1
5
10
0
5
10
0
5
10
-1
0
0.5
1.0
V
1.5
10
-1
0
0.5
1.0
V
BE
V
1.5
V
BESAT
3
2007-04-19
SMBTA06/MMBTA06
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(T
A
)
V
CBO
= 80 V
10
4
nA
EHP00820
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
V
CE
= V中的参数，
f
= 2 GHz的
10
3
兆赫
f
T
5
EHP00817
Ι
CBO
10
3
5
10
2
5
10
1
5
10
0
5
10
-1
0
50
最大
10
2
典型值
5
100
T
A
C 150
10
1
10
0
5 10
1
5 10
2
mA
10
3
Ι
C
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
发射极 - 基极电容
C
eb
=
(V
EB
)
80
pF
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
550
mW
450
C
CB
(C
EB
)
60
400
BCW66K
BCW66
P
合计
CEB
建行
50
350
300
40
250
30
200
150
100
10
50
0
0
4
8
12
16
V
20
22
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
V
CB （ VEB ）
°C
150
T
S
4
2007-04-19
SMBTA06/MMBTA06
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
t
p
D
=
T
t
p
T
EHP00816
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
5
2007-04-19
SMBTA06 / MMBTA06
NPN硅晶体管自动对焦
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型： SMBTA56 （ PNP ）
MMBTA56 （ PNP ）
3
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1




2
1
VPS05161
TYPE
SMBTA06 / MMBTA06
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
记号
s1G
1=B
引脚配置
2=E
3=C
包
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
80
80
4
500
1
100
200
330
150
-65 ... 150
单位
V
mA
A
mA
mW
°C
总功耗，
T
S
= 79 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
215
K / W
Feb-20-2002
SMBTA06 / MMBTA06
电气特性
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 60 V,
I
B
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 100毫安，
I
B
= 10毫安
基极 - 发射极电压1）
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
V
CESAT
V
BE（上）
h
FE
100
100
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.2
V
-
I
首席执行官
-
-
100
nA
I
CBO
-
-
20
A
I
CBO
-
-
100
nA
V
（ BR ） EBO
4
-
-
V
（ BR ） CBO
80
-
-
V
（ BR ） CEO
80
-
-
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
C
cb
-
12
-
pF
f
T
-
100
-
兆赫
1 ）脉冲测试：吨
≤
300
S，D = 2 ％
2
Feb-20-2002
SMBTA06 / MMBTA06
总功耗
P
合计
=
f
(
T
S
)
集电极电流
I
C
=
f
(
V
BE
)
V
CE
= 1V
360
mW
300
270
10
3
mA
EHP00815
Ι
C
10
2
5
100 C
25 C
-50 C
P
合计
240
210
180
150
120
90
60
30
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
10
1
5
10
0
5
°C
150
T
S
10
-1
0
0.5
1.0
V
BE
V
1.5
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(
t
p
)
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
t
p
D
=
T
t
p
EHP00816
跃迁频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
兆赫
f
T
T
EHP00817
5
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
1
10
0
5 10
1
5 10
2
mA
10
3
Ι
C
3
Feb-20-2002
SMBTA06 / MMBTA06
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
mA
EHP00818
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(
V
CESAT
),
h
FE
= 10
EHP00819
10
3
Ι
C
10
2
5
100 C
25 C
-50 C
Ι
C
mA
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
1
10
5
10
1
10
0
5
5
10
-1
0
0.5
1.0
V
1.5
10
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
V
CESAT
0.8
V
BESAT
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(
T
A
)
V
CB
= 80V
10
4
nA
EHP00820
直流电流增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 1V
EHP00821
10
3
h
FE
100 C
10
2
25 C
Ι
CBO
10
5
3
最大
10
2
5
10
1
5
10
0
5
10
-1
0
50
100
T
A
C 150
典型值
10
1
-50 C
10
0 -1
10
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
Ι
C
4
Feb-20-2002
NPN硅晶体管自动对焦
SMBTA 05
SMBTA 06
q
高的击穿电压
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型： SMBTA 55
SMBTA 56 （ PNP ）
TYPE
SMBTA 05
SMBTA 06
记号
s1H
s1G
订购代码
（磁带和卷轴）
Q68000-A3430
Q68000-A3428
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
=
79 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
285
≤
215
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
SMBTA 05
SMBTA 06
60
60
80
80
4
500
1
100
200
330
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
A
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
SMBTA 05
SMBTA 06
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
SMBTA 05
SMBTA 06
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
SMBTA 05
SMBTA 06
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 60 V,
T
A
= 150 C
V
CB
= 80 V,
T
A
= 150 C
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 60 V
直流电流增益
1)
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安，
I
B
= 10毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
–
–
100
12
–
–
兆赫
pF
SMBTA 05
SMBTA 06
SMBTA 05
SMBTA 06
I
CE0
h
FE
100
100
V
CESAT
V
BE
–
–
–
130
–
–
–
170
0.25
1.2
V
V
(BR)CE0
60
80
V
(BR)CB0
60
80
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
100
20
20
100
nA
nA
A
A
nA
–
4
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
=
2 %.
半导体集团
2
SMBTA 05
SMBTA 06
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 1 V
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
3
SMBTA 05
SMBTA 06
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
=
V
CEmax
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 1 V
半导体集团
4
查看更多SMBTA06PDF信息
推荐型号
SG6961SZ
SDS1003TTEB4R7M
SML-E12D8W
SN54HC21_06
SN65LVDM180
SNJ54AHCT86W
S71WS512NC0BAWAP0
SN74LVC1G14DSFR
SMAJ180C
SY88952LMG
SA40C
S4924-121K
SY100EL90VZC
SN74AHC273
SC87C51AYK44
SN54LV14
SF27G
SN761672ADAR
STM1816SWX7F
SC2128C-M82S
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SMBTA06
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
SMBTA06
INFINEON
25+
400
SOT-23
全新原装现货特价销售！
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
SMBTA06
INFINEON
15+
4200
SOT23-3
绝对全新原装优势供货渠道特价请放心订购
深圳市源丰诚电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
SMBTA06
INFINEON
17+
4550
SOT-23
进口原装正品现货！
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制

电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
SMBTA06
MOT
24+
11880
SOT-23
优势现货，只做原装正品
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SMBTA06
INFINEON/英飞凌
2443+
23000
SOT23-3
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
SMBTA06
Infineon
25+23+
25500
SOT-23
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
SMBTA06
英飞凌代理现货
22+
6000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
深圳市金鑫弈科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：358410056 复制
电话：755-83349415/83229300
联系人：侯先生
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
SMBTA06
sie
13+
12000
进口原装假一赔十
深圳市世品佳电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：296271020 复制
电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
SMBTA06
Infineon Technologies
24+
22000
000￥/片,原装正品假一赔百！
深圳市毅创腾电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ：2355507165 复制

电话：755-83616256 // 83210909
联系人：王小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
SMBTA06
INFINEON
22+
4200
SOT23-3
绝对全新原装！优势供货渠道！特价！请放心订购！
查询更多SMBTA06供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！