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NPN硅达林顿晶体管
q
对于一般的放大器应用
q
高集电极电流
q
高电流增益
SMBT 6427
TYPE
SMBT 6427
记号
s1V
订购代码
（磁带和卷轴）
Q68000-A8320
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗，
T
S
= 74 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
280
≤
210
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
值
40
40
12
500
800
360
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
SMBT 6427
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
发射极 - 基极击穿电压，
I
E
= 10
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 30 V,
I
B
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 50毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
- 0.5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安，
I
B
- 0.5毫安
基射极电压
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 100 k
f
= 1千赫至15千赫
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
V
(BR)CE0
V
(BR)CB0
V
(BR)EB0
I
CB0
40
40
12
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
50
10
1
50
V
nA
A
A
I
CE0
I
EB0
h
FE
–
–
nA
–
10000 –
20000 –
14000 –
V
CESAT
–
–
V
BESAT
V
BE（上）
–
–
–
–
–
–
100000
200000
140000
V
1.2
1.5
2.0
1.75
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
130
–
–
–
–
–
–
–
–
7
25
10
兆赫
pF
dB
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
≤
2 %.
半导体集团
2
SMBT 6427
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
集电极 - 基极电容
C
CB0
=
f
(V
CB0
)
发射极 - 基极电容
C
EB0
=
f
(V
EB0
)
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
3
SMBT 6427
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BE坐
),
h
FE
= 1000
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CE坐
),
h
FE
= 1000
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
=
V
CE MAX
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
4
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SDC36
ST24C02B5TR
SSAC70GK12
SDO-1.0-1000
SRAH-08E500
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SMBT6427
    -
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SMBT6427
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全新原装正品/质量有保证
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