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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第432页 > SMBT5087
SMBT5087
PNP硅晶体管
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
为30Hz和15kHz时的低噪音
3
TYPE
SMBT5087
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率dissipation-
T
S
= 71 °C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
240
单位
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1





2
1
VPS05161
记号
s2Q
引脚配置
1=B
2=E
3=C
包
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
50
50
3
50
330
150
-65 ... 150
单位
V
mA
mW
°C
Nov-30-2001
SMBT5087
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
V
CB
= 35 V,
I
E
= 0
V
CB
= 35 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益
1)
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
基极发射极饱和电压 -
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 0.5毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 5 V,
f
= 1兆赫
短路正向电流互感器。比
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
噪声系数
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
f = 200
赫兹，
R
S
= 3
k
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 10Hz到15kHz的，
-
-
-
-
2
2
F
dB
h
21e
250
-
900
-
C
cb
-
-
4
pF
f
T
40
-
-
兆赫
单位
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
50
50
3
-
-
-
-
-
-
V
-
-
-
h
FE
250
250
250
V
CESAT
V
BESAT
-
-
-
-
-
10
50
20
nA
nA
A
-
-
-
-
-
-
800
-
-
0.3
0.85
V
1Puls测试：吨300μS ， D = 2 ％


R
S
= 10
k


2
Nov-30-2001
SMBT5087
总功耗
P
合计
= (
T
S
)
集电极 - 基极电容
C
CB
=
发射极 - 基极电容
C
EB
=
f
= 1MHz的
400
mW
(
V
CB0
)
12
C
CB0
(C
EB0
） pF的
10
SMBT八十七分之五千零八十六
300
P
合计
8
250
C
EBO
6
C
CBO
200
150
4
100
2
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
0
10
-1
5
10
0
T
S
V
10
1
V
CB0
, (V
EB0
)
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
SMBT八十七分之五千零八十六
10
2
5
10
1
5
10
0
10
-6
10
-5

P
totmax
/
P
totDC
=
(
t
p
)
EHP00785
V
CE
= 5 V
10
3
兆赫
f
T
5
T
SMBT八十七分之五千零八十六
t
p
D
=
T
t
p
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
1
10
-1
5 10
0
5 10
1
3

允许的脉冲负载
跃迁频率
f
T
=
(
I
C
)
EHP00786
Nov-30-2001

(
V
EB0
)
EHP00784

10毫安
2
Ι
C
SMBT5087
基射极饱和电压

5
5
10
1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= (
V
CESAT
),
h
FE
= 40
EHP00787
10
2
mA
SMBTA 87分之5086
10
2
Ι
C
100 C
25 C
-50 C
10
1
5
Ι
C
mA
10
1
5
10
0
5
10
0
5
10
-2
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
V
BESAT
1.2
10
-1
V
CE
= 1 V
EHP00789
10
2
mA
SMBT八十七分之五千零八十六
10
3
h
FE
5
SMBT八十七分之五千零八十六
Ι
C
10
1
100 C
25 C
10
2
-50 C
5
10
0
10
-1
5
100 C
25 C
-50 C
5
10
-2
0
0.5
V
V
BE
1.0
10
0
10
-2
10
-1
10
0
4

集电极电流
I
C
= (
V
BE
)
V
CE
= 1V

直流电流增益
h
FE
=

I
C
=
(
V
BESAT
),
h
FE
= 40
SMBT八十七分之五千零八十六
EHP00788
100 C
25 C
-50 C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
0.5
V
CESAT
(
I
C
)
EHP00790
10
1
10毫安
2
Ι
C
Nov-30-2001
SMBT5087
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
V
CB
= 30 V
10
4
nA
SMBT八十七分之五千零八十六
EHP00791
20
SMBT八十七分之五千零八十六
Ι
CBO
10
3
F
dB
15
10
2
最大
10
10
1
10
0
典型值
5
10
-1
0
50
100
T
A
C
150
0
10
-1
10
0
20
SMBT八十七分之五千零八十六
F
dB
15
10
5
0
10
-2
10
-1
10
0

I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5V,
R
S
= 2 k
V
CE
= 5V,
f
= 120Hz的
EHP00793
20
SMBT八十七分之五千零八十六
F
dB
15
R
S
= 1 M
100 k
10 k
10
500
5
1 k
10
1
10千赫
f
2
0
10
-3
10
-2
5


噪声系数
F
=
(
f
)
噪声系数
F
=
(
I
C
)

I
C
= 0.2毫安，
R
S
= 2k

(
T
A
)
噪声系数
F
=
(
V
CE
)
,
f
= 1kHz时
EHP00792

10
1
V
10
2
V
CE
EHP00794
10
-1
10
0
10毫安
1
Ι
C
Nov-30-2001
PNP硅晶体管
SMBT 5086
SMBT 5087
q
对于AF输入级和驱动器应用
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
30 Hz至15 kHz的低噪音
TYPE
SMBT 5086
SMBT 5087
记号
s2P
s2Q
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-M0002
Q68000-A8319
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗，
T
S
= 71 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
310
≤
240
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
值
50
50
3
50
330
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
SMBT 5086
SMBT 5087
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
发射极 - 基极击穿电压，
I
E
= 10
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
V
CB
= 35 V,
I
E
= 0
V
CB
= 35 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
直流电流增益
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
SMBT 5086
SMBT 5087
SMBT 5086
SMBT 5087
SMBT 5086
SMBT 5087
V
CESAT
V
BESAT
V
(BR)CE0
V
(BR)CB0
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
–
h
FE
150
250
150
250
150
250
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
500
800
–
–
–
–
0.3
0.85
V
–
–
–
10
50
20
nA
nA
A
–
50
50
3
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 0.5毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容，
V
CB
= 5 V,
f
= 1兆赫
小信号电流增益
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
噪声系数
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
R
S
= 3 k
SMBT 5086
SMBT 5087
f
T
C
敖包
h
fe
40
–
150
250
–
–
–
–
–
4
600
900
兆赫
pF
–
NF
–
–
–
–
–
–
–
–
3
2
3
2
dB
dB
dB
dB
SMBT 5086
SMBT 5087
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 10赫兹到15千赫兹，
R
S
= 10 k
SMBT 5086
SMBT 5087
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
≤
2 %.
半导体集团
2
SMBT 5086
SMBT 5087
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
集电极 - 基极电容
C
CB0
=
f
(V
CB0
)
发射极 - 基极电容
C
EB0
=
f
(V
EB0
)
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
3
SMBT 5086
SMBT 5087
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BE坐
),
h
FE
= 40
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CE坐
),
h
FE
= 40
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 1 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 1 V
半导体集团
4
SMBT 5086
SMBT 5087
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
噪声系数
NF
=
f
(V
CE
)
I
C
= 0.2毫安，
R
S
= 2 k,
f
= 1千赫
噪声系数
NF
=
f
(I
C
)
I
C
= 0.2毫安，
R
S
= 2 kΩ的，V
CE
= 5 V
噪声系数
NF
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V,
f
= 120千赫
半导体集团
5
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SPD5416SMSTX
SO2369A
SP489EEP
S25FL128P0XNFI011
SPX1202S-1.5
SXR1R0K6R3A1
SI68M200
SI-319S
SDB10200PI
S-80830CLUA-B9Z-T2
SBLF10100
SN74LS151N
S72WS512NFG-6W
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    -
    -
    -
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