【PNP硅晶体管开关q高电流增益：0.1 mA至100毫安q低集电极 - 发射极饱和电压SMBT 41】,IC型号SMBT4126,SMBT4126 PDF资料,SMBT4126经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PNP硅晶体管开关

q

高电流增益：0.1 mA至100毫安

q

低集电极 - 发射极饱和电压

SMBT 4126

TYPE

SMBT 4126

记号

sC3

订购代码

（磁带和卷轴）

Q68000-A8549

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗，

T

S

= 71 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

310

≤

240

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

P

合计

T

j

T

英镑

值

25

25

4

200

330

150

– 65 … + 150

单位

V

mA

mW

C

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

SMBT 4126

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10

A

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 20 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 3 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 50毫安，

I

B

= 5毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 50毫安，

I

B

= 5毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 20 V,

f

= 100兆赫

输出电容

V

CB

= 5 V,

f

= 1兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

小信号电流增益

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

噪声系数

I

C

= 0.1毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 10赫兹到15千赫兹

R

S

= 1 k

f

T

C

敖包

C

IBO

h

fe

NF

250

–

–

120

–

–

–

–

–

–

–

4.5

10

480

4

–

dB

兆赫

pF

V

(BR)CE0

V

(BR)CB0

V

(BR)EB0

I

CB0

I

EB0

h

FE

120

60

V

CESAT

V

BESAT

–

–

–

–

–

–

360

–

0.4

0.95

V

25

25

4

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

50

50

–

nA

V

值

典型值。

马克斯。

单位

1)

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

≤

2 %.

半导体集团

2

SMBT 4126

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

饱和电压

I

C

=

f

(V

BE坐

,

V

CE坐

)

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/

P

TOT DC

=

f

(t

p

)

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 1 V ，归

半导体集团

3

SMBT 4126

小信号电流增益

h

fe

=

f

(I

C

)

V

CE

= 10 V,

f

= 1兆赫

半导体集团

4

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数量

封装

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