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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第348页 > SMBT3904UPN
SMBT3904...PN
NPN / PNP硅开关晶体管阵列
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二（电流）的内部分离NPN / PNP
晶体管在一个封装
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
SMBT3904PN
SMBT3904UPN
C1
6
B2
5
E2
4
TR2
TR1
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07177
TYPE
SMBT3904PN
SMBT3904UPN
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率dissipation-
T
S
≤
115 ° C， SMBT3904PN
记号
s3P
s3P
1=E
1=E
引脚配置
2=B
2=B
3=C
3=C
4=E
4=E
5=B
5=B
6=C
6=C
包
SOT363
SC74
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
合计
价值
40
40
6
200
250
330
单位
V
mA
mW
T
S
≤
105 ° C， SMBT3904UPN
结温
储存温度
1
含有铅，
T
j
T
英镑
150
-65 ... 150
°C
包可能是可根据特殊要求
1
2007-03-28
SMBT3904...PN
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
SMBT3904PN
SMBT3904UPN
符号
R
thjs
价值
≤
140
≤
135
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
单位
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
40
V
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
40
6
-
-
-
-
-
-
50
nA
-
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
直流电流增益
2)
I
C
= 100 A,
V
CE
= 1 V
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
40
70
100
60
30
V
CESAT
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-
V
集电极 - 发射极饱和电压
2)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安，
I
B
= 5毫安
-
-
V
BESAT
-
-
-
-
0.25
0.4
0.85
0.95
基极发射极饱和电压
2)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安，
I
B
= 5毫安
1
为
2
脉冲
0.65
-
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
2
2007-03-28
SMBT3904...PN
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
延迟时间
V
CC
= 3 V,
I
C
= 10毫安，
I
B1
= 1毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5 V
上升时间
V
CC
= 3 V,
I
C
= 10毫安，
I
B1
= 1毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5 V
贮存时间
V
CC
= 3 V,
I
C
= 10毫安，
I
B1
=
I
B2
= 1毫安
下降时间
V
CC
= 3 V,
I
C
= 10毫安，
I
B1
=
I
B2
= 1毫安
噪声系数
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫，
f
= 200赫兹，
R
S
= 1 k
F
-
-
5
dB
t
f
-
-
75
t
英镑
-
-
225
t
r
-
-
35
t
d
-
-
35
ns
C
eb
-
-
10
C
cb
-
-
3.5
pF
f
T
250
-
-
兆赫
典型值。
马克斯。
单位
3
2007-03-28
SMBT3904...PN
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 10 V ，归
10
1
h
FE
EHP00765
饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
;
V
CESAT
)
h
FE
= 10
EHP00756
2
5
Ι
C
mA
10
2
5
125 C
10
0
25 C
10
1
5
V
CE
V
BE
-55 C
5
10
-1
10
-1
5 10
0
5 10
1
10毫安
2
2
10
0
0
0.2
0.4
0.6
Ι
C
0.8
1.0 V 1.2
V
BE坐
,
V
CE坐
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
SMBT3904PN
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
SMBT3904UPN
300
mW
360
mW
250
225
300
270
P
合计
175
150
125
100
75
50
25
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
200
240
210
180
150
120
90
60
30
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
4
2007-03-28
SMBT3904...PN
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(t
p
)
SMBT3904PN
10
3
K / W
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
SMBT3904PN
10
3
10
2
P
totmax
/P
totDC
-
10
2
10
1
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
许用载荷普尔斯
R
thjs
=
(t
p
)
SMBT3904UPN
10
3
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
SMBT3904UPN
10
2
P
totmax
/P
totDC
K / W
10
2
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0
-5
-4
-3
-2
0
10
0 -6
10
10
10
10
10
s
10
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
5
2007-03-28
SMBT3904UPN
NPN / PNP硅开关晶体管阵列
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二（电流）的内部分离NPN / PNP
在一个封装晶体管
5
6
4
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1




3
2
1
VPW09197
磁带加载方向
顶视图
6 5 4
W1s
1 2 3
退绕方向
在磁带位置：脚1
进料孔侧对面
SC74_Tape
在SC74封装标记
（例如W1S ）
对应引脚1设备
C1
6
B2
5
E2
4
TR2
TR1
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07177
TYPE
SMBT3904UPN
最大额定值
参数
记号
s3P
引脚配置
包
1 = E 2 = B 3 = C 4 = E 5 = B 6 = C SC74
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
40
40
5
200
330
150
-65 ... 150
mA
mW
°C
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 105 °C
结温
储存温度
热阻
热电阻，片式案例
1)
R
thJC
135
K / W
Aug-21-2002
SMBT3904UPN
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
每个晶体管直流特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 100 A,
V
CE
= 1 V
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安，
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安，
I
B
= 5毫安
V
BESAT
0.65
-
-
-
0.85
0.95
V
CESAT
-
-
-
-
0.25
0.4
h
FE
40
70
100
60
30
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-
I
CBO
-
-
50
V
（ BR ） EBO
5
-
-
V
（ BR ） CBO
40
-
-
V
（ BR ） CEO
40
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
-
V
1 ）脉冲测试：吨< 300秒; < 2 ％

2
Aug-21-2002
SMBT3904UPN
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
每个晶体管的交流特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
开路反向电压transf.ratio
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
短路正向电流transf.ratio
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
噪声系数
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 1
k
,
延迟时间
F
f
= 200
Hz
-
-
5
开路输出导纳
h
21e
h
22e
100
1
-
-
400
60
h
12e
0.1
-
10
短路输入阻抗
C
eb
h
11e
-
2
-
-
10
12
C
cb
-
-
4.5
f
T
250
-
-
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
10
-4
-
S
dB
V
CC
= 3 V,
I
C
= 10毫安，
I
B1
= 1毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5 V
上升时间
V
CC
= 3 V,
I
C
= 10毫安，
I
B1
= 1毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5 V
贮存时间
V
CC
= 3 V,
I
C
= 10毫安，
I
B1
=I
B2
= 1毫安
下降时间
V
CC
= 3 V,
I
C
= 10毫安，
I
B1
=I
B2
= 1毫安
t
f
-
-
75
t
英镑
-
-
225
t
r
-
-
35

f
= 1千赫，
t
d
-
-
35
ns
3
Aug-21-2002

k


SMBT3904UPN
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
400
mW
300
P
合计
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
K / W
P
totmax
/ P
totDC
10
2
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
0 -6
10
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
4
Aug-21-2002
SMBT3904UPN
直流电流增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V ，归一化
10
1
h
FE
EHP00765
饱和电压
I
C
=
f
(
V
BESAT
,
V
CESAT
)
h
FE
= 10
EHP00756
2
5
Ι
C
mA
10
2
5
125 C
10
0
25 C
10
1
5
V
CE
V
BE
-55 C
5
10
-1
10
-1
5 10
0
5 10
1
10毫安
2
2
10
0
0
0.2
0.4
0.6
Ι
C
0.8
1.0 V 1.2
V
BE坐
,
V
CE坐
短路正向电流
传输比
h
21e
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V,
f
= 1MHz的
10
3
h
21e
EHP00759
开路反向电压
传输比
h
12e
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V,
f
= 1kHz时
10
-3
h
12e
EHP00758
5
10
2
10
-4
5
5
10
1
-1
10
5
10
0
mA
10
1
10
-5
10
-1
Ι
C
5
10
0
mA
10
1
Ι
C
5
Aug-21-2002
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S24SA05010PRFA
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SMV1251-074
S-80810CNNB-B9B-T2
SN74AHC374PWE4
S-1121B17MC-N2CTFG
SW25203N3DL
STT49GK16B
STK16C68-W25
SSN16B1002JQLF13
ST62T20LN1/OTP
SMS3926-099
SD211E
SI4948BEY
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SMBT3904UPN
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
SMBT3904UPN
INFINEON
24+
2208
原装正品现货
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
SMBT3904UPN
INFINEON
24+
2208
100%原装正品，只做原装正品
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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