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SMBT2222A/MMBT2222A
硅NPN开关晶体管
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型：
SMBT2907A / MMBT2907A （ PNP ）
无铅（符合RoHS标准）封装
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
记号
SMBT2222A / MMBT2222A S1P
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率dissipation-
T
S
≤
77 °C
结温
储存温度
热阻
参数
引脚配置
1=B
2=E
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
3=C
包
SOT23
单位
V
价值
40
75
6
600
330
150
-65 ... 150
价值
≤
220
mA
mW
°C
结 - 焊接点
1)
单位
K / W
1
对于计算
R
thJA请参考应用笔记AN077 （热阻计算）
1
2011-08-19
SMBT2222A/MMBT2222A
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
40
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
单位
V
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
75
6
-
-
-
-
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 60 V,
I
E
= 0
V
CB
= 60 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
I
EBO
h
FE
-
-
-
0.01
10
10
nA
-
发射基截止电流
V
EB
= 3 V,
I
C
= 0
-
直流电流增益
1)
I
C
= 100 A,
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 10 V
35
50
75
50
100
40
V
CESAT
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 150毫安，
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
-
-
V
BESAT
-
-
-
-
0.3
1
1.2
2
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 150毫安，
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
1
脉冲
0.6
-
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
2
2011-08-19
SMBT2222A/MMBT2222A
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 20 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
开路反向电压互感器。比
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
短路正向电流互感器。比
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
开路输出导纳
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
延迟时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5 V
上升时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5 V
贮存时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
=
I
B2
= 15毫安
下降时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
=
I
B2
= 15毫安
噪声系数
I
C
= 100 A,
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫，
f
= 200赫兹，
R
S
= 1 k
t
英镑
t
f
F
-
-
-
-
-
-
225
60
4
dB
t
r
-
-
25
t
d
h
22e
5
25
-
-
-
-
35
200
10
ns
h
21e
50
75
-
-
300
375
S
h
12e
-
-
-
-
8
4
-
h
11e
2
0.25
-
-
8
1.25
10
-4
k
C
eb
-
-
35
C
cb
-
2.5
5
pF
f
T
300
-
-
兆赫
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
3
2011-08-19
SMBT2222A/MMBT2222A
测试电路
延迟和上升时间
30 V
200
OSC 。
9.9 V
0
619
0.5 V
EHN00055
存储和下降时间
30 V
~100
s
＆ LT ; 5纳秒
16.2 V
0
-13.8 V
~ 500
s
-3.0 V
EHN00056
200
OSC 。
1 k
示波器：
R
> 100Ω ，
C
<为12pF ，
t
r
＆ LT ;为5ns
4
2011-08-19
SMBT2222A/MMBT2222A
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 10 V
10
3
SMBT 2222 / A
EHP00743
饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
;
V
CESAT
)
h
FE
= 10
10
3
mA
SMBT 2222 / A
EHP00742
h
FE
5
150 C
25 C
10
2
-50 C
5
Ι
C
10
5
2
V
CE
V
BE
10
1
5
10
0
5
10
1
-1
10
10
0
10
1
10
Ι
C
2
10毫安
3
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0 V 1.2
V
BE坐
,
V
CE坐
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
V
CE
= 20 V
10
3
f
T
兆赫
SMBT 2222 / A
EHP00741
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
发射极 - 基极电容
C
eb
=
(V
EB
)
35
pF
C
CB
(C
EB
)
25
2
10
2
20
CEB
15
5
10
2
10
1
10
0
5
建行
5
10
1
5
10
2
5毫安
10
3
0
0
5
10
15
V
25
Ι
C
V
CB
(V
EB
5
2011-08-19
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SS-738866S-NF-AH
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