SMBJ3V3
威世通用半导体
表面贴装牛逼
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
只有单向极性
峰值脉冲功率： 600 W（ 10/1000微秒）
出色的钳位能力
非常快的响应时间
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF
260℃最大峰值
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
DO- 214AA （ SMBJ ）
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变和
照明在芯片， MOSFET ，传感器单元的信号线
专门为保护3.3 V提供敏感
设备免受瞬态过电压。
机械数据
案例：
DO- 214AA （ SMBJ ）
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，高可靠性/
汽车级（ AEC Q101标准）
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验， HE3
后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
主要特征
V
WM
P
PPM
I
FSM
T
J
马克斯。
3.3 V
600 W
60 A
175 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散
(1)(2)
峰值脉冲电流具有10/1000
μs
波形（图1）的
峰值脉冲电流具有8/20波形（图1）的
不重复峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
在无限的散热器，T功耗
L
= 75 °C
工作结存储温度范围
注意事项：
（1）非重复性的电流脉冲，每个图1
（2）装在0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘给各终端
(2)
符号
P
PPM
I
PP
I
PPM
I
FSM
P
D
T
J
, T
英镑
价值
600
50
200
60
5
- 65 + 175
单位
W
A
A
A
W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
设备
TYPE
设备
记号
CODE
击穿
电压
V
BR
在我
T
分钟。
V
SMBJ3V3
KC
4.1
mA
1.0
A
200
最大反向
漏电流
I
R
在V
WM
马克斯。
V
3.3
最大
夹紧
电压
V
C
在我
PP
10/1000 s
V
7.3
A
50
最大
夹紧
电压
V
C
在我
PPM
8/20 s
V
10.3
A
200
(10 /°C)
- 5.3
-4
典型
典型
温度。
连接点
电容系数
V的
BR
C
J
在0 V
1兆赫
pF
5200
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文档编号： 88940
修订： 22 - OCT- 08
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SMBJ3V3
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻，结到铅
(1)
典型热阻，结到环境
(2)
符号
R
θJL
R
θJA
价值
20
100
单位
° C / W
注意事项：
（1）从结点到导致热阻 - 装在0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘给各终端
（ 2 ）热阻结到环境 - 安装推荐的PCB上焊盘布局
订购信息
（例）
首选的P / N
SMBJ3V3-E3/52
SMBJ3V3-E3/5B
SMBJ3V3HE3/52
(1)
SMBJ3V3HE3/5B
(1)
单位重量（g ）
0.096
0.096
0.096
0.096
首选包装代码
52
5B
52
5B
基地数量
750
3200
750
3200
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
150
10
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
t
r
= 10
s
t
r
=
8
s
PEAK
价值
I
PPM
100
半
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
t
d
= 1000
s
t
d
= 20
s
I
R
(T
J
)/I
R
(T
J
= 25 °C)
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
1
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0.1
0
25
50
75
100
125
150
175
吨 - 时间（ms ）
T
J
- 结牛逼emperature （ ° C）
图1.脉冲波形
泄漏电流和图3.相对变化
结温
10
10
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
夹紧
电压
(V)
8
1
6
10/1000
s
8/20 s
0.1
0.01
4
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
t
d
- 脉冲
宽度
（女士）
I
PP
(A)
图2.额定峰值脉冲功率曲线
图4.钳位电压与峰值脉冲电流
(T
J
初始= 25 ° C）
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威世通用半导体
5500
100
C
J
- 结电容（pF ）
I
F
- 峰值正向电流（ A）
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 25 °C
1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
反向
电压
(V)
V
F
- 前进
电压
降（V ）
图5.典型结电容
图7.典型的峰值正向压降与峰值
正向电流
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图6.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AA （ SMB -J-弯）
阴极带
0.085 (2.159)
马克斯。
贴装焊盘布局
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 (2.18)
分钟。
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060 (1.52)
分钟。
0.220 REF 。
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.008 (0.2)
0 (0)
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