SMBJ13A100
瞬态电压抑制器
SMBJ13A100
特点
玻璃钝化结。
600W峰值脉冲功率的能力
10/1000
s
波形。
出色的钳位能力。
低增量浪涌电阻。
快速响应时间;通常小
小于1.0 ps的，从0伏到BV的
单向和5.0纳秒的
双向的。
典型的我
R
小于1.0
A
10V以上。
顶部
记号
LG 。
SMB/DO-214AA
颜色频带为负极
一个单向的设备只。
无色带双向
设备。
双极性应用的器件
- 双向类型使用CA后缀。
- 电气特性适用于两个方向。
600瓦的瞬态电压抑制器
绝对最大额定值*
符号
P
PPM
I
PPM
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
在10/1000峰值脉冲功率耗散
s
波形
在10/1000峰值脉冲电流
s
波形
非重复峰值正向浪涌电流
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
存储温度范围
工作结温
（注1 ）
价值
最低600
请参阅表
100
-55到+150
+ 150
单位
W
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注1 ：
测量8.3ms单一正弦半波或等效方波;占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
单向
设备
部分
标记*
T
A
= 25 ° C除非另有说明
反向
对峙
电压
V
RWM
(V)
13
击穿
电压
V
BR
(V)
民
14.4
最大
15.9
TEST
当前
I
T
（MA ）
夹紧
电压
@I
PPM
V
C
(V)
21.5
峰值脉冲
当前
I
PPM
(A)
反向
泄漏
@ V
RWM
I
R
（ nA的） **
100
SMCJ13A100
LG 。
1
27.9
*颜色频带为负极上只有单向的设备。无色带上的双向设备。
**对于双向零件V
RWM
<10V中，我
R
最高限额增加一倍。
2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SMBJ13A100 ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
UHC
SMART START
UltraFET
SPM
VCX
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
STAR *电源根据许可证使用
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如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师H5
QQ：2880707522 复制
