新产品
SMAZ5919B通SMAZ5945B
威世通用半导体
表面贴装功率电压调节二极管
特点
薄型封装
适合自动放置
低阻抗齐纳
低调节因子
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
DO- 214AC （ SMA）的
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于一般用途的监管和保护
应用程序。
主要特征
V
Z
P
D
P
D
T
J
马克斯。
5.6 V至68 V
在T 1.5瓦
L
= 75 °C
0.5瓦在T
A
= 25 °C
150 °C
机械数据
案例：
DO- 214AC （ SMA）的
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
在T功耗
L
= 75 ℃（图1）
(1)
在T功耗
A
= 25 ℃（图1）
(2)
符号
P
D
P
D
V
F
T
J
, T
英镑
价值
1.5
0.5
1.5
- 65至+ 150
单位
W
V
°C
在200 mA最大正向电压为各类
(3)
工作结存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）安装在P.C.B.用5.0× 5.0毫米铜焊盘连接到每个终端
（ 2 ）安装在最小建议焊盘布局
（3 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
文档编号： 88488
修订： 20 - OCT- 08
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1
新产品
SMAZ5919B通SMAZ5945B
威世通用半导体
电气特性
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
I
ZM
参数
在我的反向齐纳电压
ZT
反向电流
在我最大齐纳阻抗
ZT
反向电流
在我最大齐纳阻抗
ZK
反向漏电流在V
R
反向电压
正向电流
在我正向电压
F
最大直流稳压电流
V
Z
V
R
I
R
V
F
V
I
F
I
ZT
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
部分
数
设备
记号
CODE
分钟。
SMAZ5919B
SMAZ5920B
SMAZ5921B
SMAZ5923B
SMAZ5924B
SMAZ5925B
SMAZ5926B
SMAZ5927B
SMAZ5928B
SMAZ5929B
SMAZ5930B
SMAZ5931B
SMAZ5932B
SMAZ5933B
SMAZ5934B
SMAZ5935B
SMAZ5936B
SMAZ5937B
SMAZ5938B
SMAZ5939B
SMAZ5940B
SMAZ5941B
SMAZ5942B
SMAZ5943B
SMAZ5944B
SMAZ5945B
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2
19B
20B
21B
23B
24B
25B
26B
27B
28B
29B
30B
31B
32B
33B
34B
35B
36B
37B
38B
39B
40B
41B
42B
43B
44B
45B
5.32
5.89
6.46
7.79
8.64
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
齐纳
电压
V
Z
在我
ZT
(V)
喃。马克斯。
5.6
6.2
6.8
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
5.88
6.51
7.14
8.61
9.56
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41.0
45.2
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
66.9
60.5
55.1
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25.0
23.4
20.8
18.7
17.0
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.5
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
在我
ZT
(Ω)
5
2
2.5
5.0
5.0
5.0
5.5
6.5
7.0
9.0
10.0
12.0
14.0
17.5
19.0
23.0
28.0
33.0
38.0
45.0
53.0
67
70
86
100
120
Z
ZK
在我
ZK
(Ω)
700
700
400
700
700
700
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
（MA ）
1
1
1
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向
漏电流
I
R
在V
R
(A)
200
200
200
10
10
10
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
(V)
3
4
5.2
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
最大
齐纳
当前
I
ZM
（MA ）
268
242
221
183
165
150
136
125
115
100
94
83
75
68
62
56
50
45
42
38
35
32
29
27
24
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新产品
SMAZ5919B通SMAZ5945B
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻，结到铅
(1)
(2)
符号
R
θJL
R
θJA
极限
50
250
单位
° C / W
° C / W
典型热阻，结到环境
注意事项：
（ 1 ）安装在P.C.B.用5.0× 5.0毫米铜焊盘连接到每个终端
（ 2 ）安装在最小建议焊盘布局
订购信息
（例）
首选的P / N
SMAZ5925B-E3/61
SMAZ5925B-E3/5A
单位重量（g ）
0.064
0.064
首选包装代码
61
5A
基地数量
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
4.0
100
P
D
- 最大功率耗散（ W）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
T
L
I
Z
- 齐纳测试电流（mA ）
10
1
温度（℃）
V
Z
- 齐纳
电压
(V)
图1.稳态功率Durating
图3.典型的齐纳电压
100
5.0
V
Z
- 温度系数（毫伏/ ℃）
I
Z
- 齐纳测试电流（mA ）
V
Z
在我
ZT
4.0
10
3.0
2.0
1
1.0
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
V
Z
- 齐纳
电压
(V)
V
Z
- 齐纳
电压
(V)
图2.典型的齐纳电压
图4.典型温度系数
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3
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SMAZ5919B通SMAZ5945B
威世通用半导体
80
1000
V
Z
- 温度系数（毫伏/ ℃）
Z
Z
- 动态阻抗（ Ω ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V
Z
在我
ZT
I
Z
= 1毫安
100
I
Z
= 10毫安
10
I
Z
= 20毫安
1
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
- 齐纳
电压
(V)
V
Z
- 齐纳
电压
(V)
图5.典型温度系数
图7.典型的齐纳阻抗
10000
C
J
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
测得零偏置
1000
在测
V
Z/2
100
10
1
10
100
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图6.典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AC （ SMA）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208 (5.28)
REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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