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SM8S系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
表面贴装汽车瞬态电压抑制器
DO-218AB
0.628(16.0)
0.592(15.0)
0.539(13.7)
0.524(13.3)
0.116(3.0)
0.093(2.4)
0.413(10.5) 0.342(8.7)
0.374(9.5) 0.327(8.3)
d*
NTE
P
编辑ê
第二昂
XTE
E e
标签
VOL
0.413(10.5)
0.374(9.5)
对峙电压
10 43V
峰值脉冲功率
6600W ( 10 / 1000μs )
5200W ( 10 / 10,000μs )
贴装焊盘布局
0.091(2.3)
0.067(1.7)
0.116(3.0)
0.093(2.4)
0.366(9.3)
0.343(8.7)
0.406(10.3)
0.382(9.7)
尺寸
英寸(毫米)
LEAD 1
0.197(5.0)
0.185(4.7)
0.138(3.5)
0.098(2.5)
0.366(9.3)
0.343(8.7)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
0.150(3.8)
0.126(3.2)
0.016 ( 0.4 )最小。
0.028(0.7)
0.020(0.5)
0.098(2.5)
0.059(1.5)
*
专利号的:
4,980,315
5,166,769
5,278,095
LEAD 2 /金属散热片
特点
非常适合负载突降保护
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
由于独特的氧化物高温稳定性passiva-
化和专利PAR
施工
整体成型的散热器提供了非常低的热
阻力最大散热
在T低漏电流
J
= 175°C
高温焊接保证:
260C 10秒在终端
符合ISO7637-2规范激增。
低正向压降
机械数据
案例:
模压塑料机身,表面贴装散热器
整体地安装在所述封装
终端:
镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:
散热器是阳极
安装位置:
任何
重量:
0.091盎司, 2.58克
包装代码/选项:
2D / 750元13"卷( 16毫米磁带)
对链轮孔阳极, 4.5K /箱
2E / 750元13"卷( 16毫米磁带)
对链轮孔阴极, 4.5K /箱
最大额定值和热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
峰值脉冲功耗10 / 1000μs波
10 / 10,000μs波形
稳定状态下的功耗
峰值脉冲电流为10 / 1000μs波
(1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
典型热阻结到外壳
工作结存储温度范围
注意事项:
上述(1) 不重复电流脉冲降额
A
=25°C
符号
P
PPM
P
D
I
PPM
I
FSM
R
θJC
T
J
, T
英镑
价值
6600
5200
8.0
参照表1
700
0.90
-55到+175
单位
W
W
A
A
° C / W
°C
文档编号88387
04-Jun-04
www.vishay.com
1
SM8S系列
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
设备类型
击穿电压
V
( BR )
(V)
分钟。
SM8S10
SM8S10A
SM8S11
SM8S11A
SM8S12
SM8S12A
SM8S13
SM8S13A
SM8S14
SM8S14A
SM8S15
SM8S15A
SM8S16
SM8S16A
SM8S17
SM8S17A
SM8S18
SM8S18A
SM8S20
SM8S20A
SM8S22
SM8S22A
SM8S24
SM8S24A
SM8S26
SM8S26A
SM8S28
SM8S28A
SM8S30
SM8S30A
SM8S33
SM8S33A
SM8S36
SM8S36A
SM8S40
SM8S40A
SM8S43
SM8S43A
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
测试电流
I
T
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10
10
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
40
40
43
43
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
最大最大。最大峰值
反向
脉冲
夹紧
泄漏
当前
电压
在V
WM
在10 / 1000μs
I
PPM
TC = 175
o
波形
V
C
I
D
(A)
250
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
(A)
351
388
328
363
300
332
277
307
256
284
245
270
229
254
216
239
205
226
184
204
168
186
153
170
142
157
132
145
123
136
112
124
103
114
92.4
102
86.0
95.1
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
注意:
对于所有类型的最大V
F
=我在1.8V
F
= 100A测量8.3ms单半正弦波或等效方波,占空比= 4个脉冲每分钟最高
www.vishay.com
2
文档编号88387
04-Jun-04
SM8S系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
功率降额曲线
8.0
6,000
抛负载功耗特性
( 10ms的指数波形)
5,000
功耗( W)
6.0
抛负载功率(W )
4,000
3,000
2,000
4.0
2.0
1,000
0
0
50
100
150
200
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度( ° C)
外壳温度( ° C)
脉冲波形
150
T
A
= 25°C
脉冲宽度(T
d
)被定义为
的点的峰值
电流衰减到我的50 %
PP
10,000
反向功率能力
输入峰值脉冲电流%
t
r
= 10s
100
高峰值I
PP
50
半值 -
I
PP
2
0
0
t
d
10
20
30
40
反向浪涌功率(W )
1,000
10
100
时间,ms ( T)
脉冲宽度(毫秒) - 1/2我
PP
指数波形
典型的瞬态热阻抗
100
瞬态热阻抗( ℃/ W)
R
θJA
10
1
R
θJC
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
吨 - 脉冲宽度(秒)。
文档编号88387
04-Jun-04
www.vishay.com
3
新产品
SM8S10通SM8S43A
威世通用半导体
表面贴装PAR
瞬态电压抑制器
高温稳定性和高可靠性的条件
特点
结钝化优化设计钝化
各向异性整流技术
T
J
=适合高可靠性175 ℃的能力
与汽车需求
提供单向只有极
低漏电流
低正向压降
高浪涌能力
符合ISO7637-2规范的浪涌(由考试变化
条件)
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020的LF最大峰值
245 °C
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
DO-218AB
主要特征
V
WM
P
PPM
( 10 ×1000微秒)
P
PPM
( 10 ×10 000微秒)
P
D
I
FSM
T
J
马克斯。
10 V至43 V
6600 W
5200 W
8W
700 A
175 °C
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关和照明瞬变,
特别是对汽车负载突降保护申请。
机械数据
案例:
DO-218AB
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准,符合AEC - Q101标准
终端:
雾锡电镀引脚,焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
HE3后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性:
散热器是阳极
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
与10/1000微秒波形
峰值脉冲功率耗散
与10/10 000 μs的波形
在无限散热器在T功耗
C
= 25 ℃(图1)
峰值脉冲电流10/1000微秒波形
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
工作结存储温度范围
(1)
上述牛逼降额不重复的脉冲电流= 25°C
A
P
PPM
P
D
I
PPM (1)
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
价值
6600
W
5200
8.0
看下表
700
- 55 + 175
W
A
A
°C
单位
文档编号: 88387
修订: 20 -APR- 11
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
205
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本文所述产品及本文档受具体免责声明,所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
SM8S10通SM8S43A
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
设备
TYPE
击穿
电压
V
BR
(V)
分钟。
SM8S10
SM8S10A
SM8S11
SM8S11A
SM8S12
SM8S12A
SM8S13
SM8S13A
SM8S14
SM8S14A
SM8S15
SM8S15A
SM8S16
SM8S16A
SM8S17
SM8S17A
SM8S18
SM8S18A
SM8S20
SM8S20A
SM8S22
SM8S22A
SM8S24
SM8S24A
SM8S26
SM8S26A
SM8S28
SM8S28A
SM8S30
SM8S30A
SM8S33
SM8S33A
SM8S36
SM8S36A
SM8S40
SM8S40A
SM8S43
SM8S43A
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
TEST
当前
I
T
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10.0
10.0
11.0
11.0
12.0
12.0
13.0
13.0
14.0
14.0
15.0
15.0
16.0
16.0
17.0
17.0
18.0
18.0
20.0
20.0
22.0
22.0
24.0
24.0
26.0
26.0
28.0
28.0
30.0
30.0
33.0
33.0
36.0
36.0
40
40
43
43
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(μA)
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
最大反向
泄漏
在V
WM
T
J
= 175 °C
I
D
(μA)
250
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
最大
马克斯。高峰
脉冲电流钳位
电压
AT 10/1000微秒
在我
PPM
波形
(A)
V
C
(V)
351
388
328
363
300
332
277
307
256
284
245
270
229
254
216
239
205
226
184
204
168
186
153
170
142
157
132
145
123
136
112
124
103
114
92.4
102
86
95.1
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
对于所有类型的最大V
F
= 1.8 V ,在我
F
= 100 A在8.3ms单一正弦半波或等效方波,占空比= 4个脉冲测量
每分钟最高
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新产品
SM8S10通SM8S43A
威世通用半导体
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻,结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.90
单位
° C / W
订购信息
(例)
首选的P / N
SM8S10AHE3/2D
(1)
(1)
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
单位重量(g )
2.605
首选包装代码
2D
基地数量
750
配送方式
直径13"塑料带和卷轴,
对链轮孔阳极
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
8.0
150
t
r
= 10 μs
峰值
I
PPM
6.0
输入峰值脉冲电流( % )
功耗( W)
T
J
= 25 °C
脉冲宽度(T
d
)是
DEFINED作为点
在峰值电流
衰减到第I 50%
PPM
100
4.0
半值 - 我
PP
I
PPM
2
50
2.0
t
d
0
0
50
100
150
200
0
0
10
20
30
40
外壳温度( ° C)
吨 - 时间(ms )
图。 1 -
功率降额曲线
图。 3 -
脉冲波形
6000
10 000
4000
3000
2000
1000
1000
25
50
75
100
125
150
175
10
100
0
外壳温度( ° C)
反向
浪涌
功率(W)的
5000
抛负载功率(W )
Pulse Width (ms) - ½ I
PP
指数波形
图。 2 -
抛负载功耗特性
( 10毫秒指数波形)
图。 4 -
反向功率能力
文档编号: 88387
修订: 20 -APR- 11
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新产品
SM8S10通SM8S43A
威世通用半导体
100
100 000
瞬态热阻抗( ℃/ W)
10
R
θJA
1
R
θJC
C
J
- 结电容(pF )
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
10 000
测得零偏置
0.1
在测
对峙
电压V
WM
1000
10
15
20
25
30
35
40
45
0.01
0.01
0.1
1
10
100
吨 - 脉冲宽度(S )
V
WM
- 反向
对峙
电压(V)的
图。 5 -
典型的瞬态热阻抗
图。 6 -
典型结电容
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO-218AB
0.628 (16.0)
0.592 (15.0)
0.539 (13.7)
0.524 (13.3)
0.116 (3.0)
0.093 (2.4)
0.413 (10.5) 0.342 (8.7)
0.374 (9.5) 0.327 (8.3)
贴装焊盘布局
0.150 (3.8)
0.126 (3.2)
0.091 (2.3)
0.067 (1.7)
0.413 (10.5)
0.374 (9.5)
0.116 (3.0)
0.093 (2.4)
0.366 (9.3)
0.343 (8.7)
0.406 (10.3)
0.382 (9.7)
0.197 (5.0)
0.185 (4.7)
0.016 ( 0.4 )最小。
LEAD 2 /金属散热片
LEAD 1
0.366 (9.3)
0.343 (8.7)
0.606 (15.4)
0.583 (14.8)
0.138 (3.5)
0.098 (2.5)
0.028 (0.7)
0.020 (0.5)
0.098 (2.5)
0.059 (1.5)
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日前,Vishay
放弃
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可靠性,功能,设计或其他原因。
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“威世” ) ,包含在任何数据或任何其他的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
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间接或附带损失,及(iii)任何和所有的暗示担保,包括适销性和针对特定担保
目的,非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求,常常放置在日前,Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任,以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异,而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明,否则Vishay产品不用于医疗,救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险,并同意
充分赔偿并日前,Vishay及其分销商,免受任何和所有索赔,债务,费用和
引起或导致此类使用或销售,包括律师费方面,即使此类索赔称,赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 11 -MAR- 11
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1
SM8S系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
表面贴装汽车瞬态电压抑制器
DO-218AB
0.628(16.0)
0.592(15.0)
0.539(13.7)
0.524(13.3)
0.116(3.0)
0.093(2.4)
0.413(10.5) 0.342(8.7)
0.374(9.5) 0.327(8.3)
d*
NTE
P
编辑ê
第二昂
XTE
E e
标签
VOL
0.413(10.5)
0.374(9.5)
对峙电压
10 43V
峰值脉冲功率
6600W ( 10 / 1000μs )
5200W ( 10 / 10,000μs )
贴装焊盘布局
0.091(2.3)
0.067(1.7)
0.116(3.0)
0.093(2.4)
0.366(9.3)
0.343(8.7)
0.406(10.3)
0.382(9.7)
尺寸
英寸(毫米)
LEAD 1
0.197(5.0)
0.185(4.7)
0.138(3.5)
0.098(2.5)
0.366(9.3)
0.343(8.7)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
0.150(3.8)
0.126(3.2)
0.016 ( 0.4 )最小。
0.028(0.7)
0.020(0.5)
0.098(2.5)
0.059(1.5)
*
专利号的:
4,980,315
5,166,769
5,278,095
LEAD 2 /金属散热片
特点
非常适合负载突降保护
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
由于独特的氧化物高温稳定性passiva-
化和专利PAR
施工
整体成型的散热器提供了非常低的热
阻力最大散热
在T低漏电流
J
= 175°C
高温焊接保证:
260C 10秒在终端
符合ISO7637-2规范激增。
低正向压降
机械数据
案例:
模压塑料机身,表面贴装散热器
整体地安装在所述封装
终端:
镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:
散热器是阳极
安装位置:
任何
重量:
0.091盎司, 2.58克
包装代码/选项:
2D / 750元13"卷( 16毫米磁带)
对链轮孔阳极, 4.5K /箱
2E / 750元13"卷( 16毫米磁带)
对链轮孔阴极, 4.5K /箱
最大额定值和热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
峰值脉冲功耗10 / 1000μs波
10 / 10,000μs波形
稳定状态下的功耗
峰值脉冲电流为10 / 1000μs波
(1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
典型热阻结到外壳
工作结存储温度范围
注意事项:
上述(1) 不重复电流脉冲降额
A
=25°C
符号
P
PPM
P
D
I
PPM
I
FSM
R
θJC
T
J
, T
英镑
价值
6600
5200
8.0
参照表1
700
0.90
-55到+175
单位
W
W
A
A
° C / W
°C
文档编号88387
04-Jun-04
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1
SM8S系列
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
设备类型
击穿电压
V
( BR )
(V)
分钟。
SM8S10
SM8S10A
SM8S11
SM8S11A
SM8S12
SM8S12A
SM8S13
SM8S13A
SM8S14
SM8S14A
SM8S15
SM8S15A
SM8S16
SM8S16A
SM8S17
SM8S17A
SM8S18
SM8S18A
SM8S20
SM8S20A
SM8S22
SM8S22A
SM8S24
SM8S24A
SM8S26
SM8S26A
SM8S28
SM8S28A
SM8S30
SM8S30A
SM8S33
SM8S33A
SM8S36
SM8S36A
SM8S40
SM8S40A
SM8S43
SM8S43A
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
测试电流
I
T
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10
10
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
40
40
43
43
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
最大最大。最大峰值
反向
脉冲
夹紧
泄漏
当前
电压
在V
WM
在10 / 1000μs
I
PPM
TC = 175
o
波形
V
C
I
D
(A)
250
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
(A)
351
388
328
363
300
332
277
307
256
284
245
270
229
254
216
239
205
226
184
204
168
186
153
170
142
157
132
145
123
136
112
124
103
114
92.4
102
86.0
95.1
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
注意:
对于所有类型的最大V
F
=我在1.8V
F
= 100A测量8.3ms单半正弦波或等效方波,占空比= 4个脉冲每分钟最高
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2
文档编号88387
04-Jun-04
SM8S系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
功率降额曲线
8.0
6,000
抛负载功耗特性
( 10ms的指数波形)
5,000
功耗( W)
6.0
抛负载功率(W )
4,000
3,000
2,000
4.0
2.0
1,000
0
0
50
100
150
200
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度( ° C)
外壳温度( ° C)
脉冲波形
150
T
A
= 25°C
脉冲宽度(T
d
)被定义为
的点的峰值
电流衰减到我的50 %
PP
10,000
反向功率能力
输入峰值脉冲电流%
t
r
= 10s
100
高峰值I
PP
50
半值 -
I
PP
2
0
0
t
d
10
20
30
40
反向浪涌功率(W )
1,000
10
100
时间,ms ( T)
脉冲宽度(毫秒) - 1/2我
PP
指数波形
典型的瞬态热阻抗
100
瞬态热阻抗( ℃/ W)
R
θJA
10
1
R
θJC
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
吨 - 脉冲宽度(秒)。
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新产品
SM8S10通SM8S43A
威世通用半导体
表面贴装汽车瞬态电压抑制器
高温稳定性和高可靠性的条件
特点
专利PAR
施工
提供单向只有极
低漏电流
低正向压降
高浪涌能力
符合ISO7637-2规范的浪涌(由不同
测试条件)
DO-218AB
泰德*
ATEN
P
*
专利号的:
4,980,315
5,166,769
5,278,095
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
245 ° C峰值
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用针对敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关电压瞬变
和照明,特别适用于汽车负载突降
保护申请。
机械数据
案例:
DO-218AB
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准,高可靠性/
汽车级( AEC Q101标准)
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
HE3后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性:
散热器是阳极
主要特征
V
WM
P
PPM
( 10 ×1000微秒)
P
PPM
( 10 ×10 000微秒)
P
D
I
FSM
T
J
马克斯。
10 V至43 V
6600 W
5200 W
8W
700 A
175 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
峰值脉冲功率耗散
与10/1000微秒波形
与10/10 000 μs的波形
符号
P
PPM
P
D
I
PPM
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
6600
5200
8.0
看下表
700
- 55 + 175
单位
W
W
A
A
°C
在无限散热器在T功耗
C
= 25 ℃(图1)
峰值脉冲电流10/1000微秒波形
(1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
工作结存储温度范围
注意:
上述(1) 不重复电流脉冲降额
A
= 25 °C
文档编号: 88387
修订: 21 - OCT- 08
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新产品
SM8S10通SM8S43A
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
设备类型
击穿
电压
V
BR
(V)
分钟。
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
TEST
当前
I
T
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
待机动
关闭
电压
V
WM
(V)
10.0
10.0
11.0
11.0
12.0
12.0
13.0
13.0
14.0
14.0
15.0
15.0
16.0
16.0
17.0
17.0
18.0
18.0
20.0
20.0
22.0
22.0
24.0
24.0
26.0
26.0
28.0
28.0
30.0
30.0
33.0
33.0
36.0
36.0
40
40
43
43
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
最大反向
泄漏
在V
WM
T
J
= 175 °C
I
D
(A)
250
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
马克斯。高峰
脉冲
当前
AT 10/1000微秒
波形(A)
351
388
328
363
300
332
277
307
256
284
245
270
229
254
216
239
205
226
184
204
168
186
153
170
142
157
132
145
123
136
112
124
103
114
92.4
102
86
95.1
最大
夹紧
电压
在我
PPM
V
C
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
SM8S10
SM8S10A
SM8S11
SM8S11A
SM8S12
SM8S12A
SM8S13
SM8S13A
SM8S14
SM8S14A
SM8S15
SM8S15A
SM8S16
SM8S16A
SM8S17
SM8S17A
SM8S18
SM8S18A
SM8S20
SM8S20A
SM8S22
SM8S22A
SM8S24
SM8S24A
SM8S26
SM8S26A
SM8S28
SM8S28A
SM8S30
SM8S30A
SM8S33
SM8S33A
SM8S36
SM8S36A
SM8S40
SM8S40A
SM8S43
SM8S43A
注意:
对于所有类型的最大V
F
= 1.8 V ,在我
F
= 100 A在8.3ms单一正弦半波或等效方波,占空比= 4个脉冲测量每
最高分
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻,结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.90
单位
° C / W
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2
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PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
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新产品
SM8S10通SM8S43A
威世通用半导体
订购信息
(例)
首选的P / N
SM8S10AHE3/2D
(1)
注意:
( 1 )汽车级AEC- Q101标准
单位重量(g )
2.605
首选包装代码
2D
基地数量
750
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴,
对链轮孔阳极
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
8.0
150
t
r
= 10
s
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到第I 50%
PPM
输入峰值脉冲电流%
功耗( W)
6.0
100
PEAK
价值
I
PPM
4.0
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
2.0
t
d
0
0
50
100
150
200
0
0
10
20
30
40
外壳温度( ° C)
吨 - 时间(ms )
图1.功率降额曲线
图3.脉冲波形
6000
10 000
4000
3000
2000
1000
0
25
50
75
100
125
150
175
反向浪涌功率(W )
1000
10
100
5000
抛负载功率(W )
外壳温度( ° C)
脉冲
宽度
(ms) - ½ I
PP
指数
波形
图2.抛负载功耗特性
( 10毫秒指数波形)
图4.反向功率能力
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新产品
SM8S10通SM8S43A
威世通用半导体
100
100 000
瞬态热阻抗( ℃/ W)
R
θ
JA
10
1
R
θ
JC
C
J
- 结电容(pF )
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
10 000
测得零偏置
0.1
测量对峙
电压V
WM
1000
10
15
20
25
30
35
40
45
0.01
0.01
0.1
1
10
100
吨 - 脉冲
宽度
(s)
V
WM
- 反向对峙
电压
(V)
图5.典型的瞬态热阻抗
图6.典型结电容
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO-218AB
0.628(16.0)
0.592(15.0)
0.539(13.7)
0.524(13.3)
0.116(3.0)
0.093(2.4)
贴装焊盘布局
0.091(2.3)
0.067(1.7)
0.116(3.0)
0.093(2.4)
0.413(10.5) 0.342(8.7)
0.374(9.5) 0.327(8.3)
0.413(10.5)
0.374(9.5)
0.366(9.3)
0.343(8.7)
0.406(10.3)
0.382(9.7)
LEAD 1
0.197(5.0)
0.185(4.7)
0.138(3.5)
0.098(2.5)
0.366(9.3)
0.343(8.7)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
0.150(3.8)
0.126(3.2)
0.016 ( 0.4 )最小。
LEAD 2 /金属散热片
0.028(0.7)
0.020(0.5)
0.098(2.5)
0.059(1.5)
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法律免责声明
日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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SM8S系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
表面贴装汽车瞬态电压抑制器
DO-218AB
0.628(16.0)
0.592(15.0)
0.539(13.7)
0.524(13.3)
0.116(3.0)
0.093(2.4)
0.413(10.5) 0.342(8.7)
0.374(9.5) 0.327(8.3)
d*
NTE
P
编辑ê
第二昂
XTE
E e
标签
VOL
0.413(10.5)
0.374(9.5)
对峙电压
10 43V
峰值脉冲功率
6600W ( 10 / 1000μs )
5200W ( 10 / 10,000μs )
贴装焊盘布局
0.091(2.3)
0.067(1.7)
0.116(3.0)
0.093(2.4)
0.366(9.3)
0.343(8.7)
0.406(10.3)
0.382(9.7)
尺寸
英寸(毫米)
LEAD 1
0.197(5.0)
0.185(4.7)
0.138(3.5)
0.098(2.5)
0.366(9.3)
0.343(8.7)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
0.150(3.8)
0.126(3.2)
0.016 ( 0.4 )最小。
0.028(0.7)
0.020(0.5)
0.098(2.5)
0.059(1.5)
*
专利号的:
4,980,315
5,166,769
5,278,095
LEAD 2 /金属散热片
特点
非常适合负载突降保护
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
由于独特的氧化物高温稳定性passiva-
化和专利PAR
施工
整体成型的散热器提供了非常低的热
阻力最大散热
在T低漏电流
J
= 175°C
高温焊接保证:
260C 10秒在终端
符合ISO7637-2规范激增。
低正向压降
机械数据
案例:
模压塑料机身,表面贴装散热器
整体地安装在所述封装
终端:
镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:
散热器是阳极
安装位置:
任何
重量:
0.091盎司, 2.58克
包装代码/选项:
2D / 750元13"卷( 16毫米磁带)
对链轮孔阳极, 4.5K /箱
2E / 750元13"卷( 16毫米磁带)
对链轮孔阴极, 4.5K /箱
最大额定值和热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
峰值脉冲功耗10 / 1000μs波
10 / 10,000μs波形
稳定状态下的功耗
峰值脉冲电流为10 / 1000μs波
(1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
典型热阻结到外壳
工作结存储温度范围
注意事项:
上述(1) 不重复电流脉冲降额
A
=25°C
符号
P
PPM
P
D
I
PPM
I
FSM
R
θJC
T
J
, T
英镑
价值
6600
5200
8.0
参照表1
700
0.90
-55到+175
单位
W
W
A
A
° C / W
°C
文档编号88387
04-Jun-04
www.vishay.com
1
SM8S系列
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
设备类型
击穿电压
V
( BR )
(V)
分钟。
SM8S10
SM8S10A
SM8S11
SM8S11A
SM8S12
SM8S12A
SM8S13
SM8S13A
SM8S14
SM8S14A
SM8S15
SM8S15A
SM8S16
SM8S16A
SM8S17
SM8S17A
SM8S18
SM8S18A
SM8S20
SM8S20A
SM8S22
SM8S22A
SM8S24
SM8S24A
SM8S26
SM8S26A
SM8S28
SM8S28A
SM8S30
SM8S30A
SM8S33
SM8S33A
SM8S36
SM8S36A
SM8S40
SM8S40A
SM8S43
SM8S43A
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
测试电流
I
T
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10
10
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
40
40
43
43
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
最大最大。最大峰值
反向
脉冲
夹紧
泄漏
当前
电压
在V
WM
在10 / 1000μs
I
PPM
TC = 175
o
波形
V
C
I
D
(A)
250
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
(A)
351
388
328
363
300
332
277
307
256
284
245
270
229
254
216
239
205
226
184
204
168
186
153
170
142
157
132
145
123
136
112
124
103
114
92.4
102
86.0
95.1
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
注意:
对于所有类型的最大V
F
=我在1.8V
F
= 100A测量8.3ms单半正弦波或等效方波,占空比= 4个脉冲每分钟最高
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2
文档编号88387
04-Jun-04
SM8S系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
功率降额曲线
8.0
6,000
抛负载功耗特性
( 10ms的指数波形)
5,000
功耗( W)
6.0
抛负载功率(W )
4,000
3,000
2,000
4.0
2.0
1,000
0
0
50
100
150
200
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度( ° C)
外壳温度( ° C)
脉冲波形
150
T
A
= 25°C
脉冲宽度(T
d
)被定义为
的点的峰值
电流衰减到我的50 %
PP
10,000
反向功率能力
输入峰值脉冲电流%
t
r
= 10s
100
高峰值I
PP
50
半值 -
I
PP
2
0
0
t
d
10
20
30
40
反向浪涌功率(W )
1,000
10
100
时间,ms ( T)
脉冲宽度(毫秒) - 1/2我
PP
指数波形
典型的瞬态热阻抗
100
瞬态热阻抗( ℃/ W)
R
θJA
10
1
R
θJC
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
吨 - 脉冲宽度(秒)。
文档编号88387
04-Jun-04
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