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SM74104
SM74104高压半桥门极驱动器,具有自适应延迟
文献编号: SNOSBA3B
SM74104高压半桥门极驱动器,具有自适应延迟
2011年11月14日
SM74104
高压半桥门极驱动器,具有自适应延迟
概述
该SM74104高压栅极驱动器设计用于驱动
无论是高边和低边N沟道MOSFET
同步降压配置。浮动高端driv-
呃能够与电源电压工作到100V的。该
高侧和低侧栅极驱动器是由一个单一的控制
输入。在每个状态变化被控制在一个自适应MAN-
仪,以防止直通问题。除了适配
略去转换定时,一个额外的延迟时间,可以加入
正比于外部设定电阻。一个集成的高
稳压二极管提供高侧栅极驱动器充电
自举电容器。一个强大的电平转换器工作在高
速度,同时消耗低功耗和提供清洁级
转变从控制逻辑的高侧栅极驱动器。
欠压锁定设置上都偏低
高侧电源轨。此装置是在标可用
准SOIC - 8引脚和LLP - 10引脚封装。
特点
可再生能源等级
驱动器都包含一个高边和低边N沟道MOSFET
自适应带可编程的上升沿和下降沿
额外延迟时间
单输入控制
自举电源电压范围达到118V DC
快速关断传播延迟( 25 ns典型)
驱动1000pF的负载, 15 ns上升时间和下降时间
电源轨欠压锁定
典型应用
目前美联储推挽功率转换器
高电压降压稳压器
有源钳位正激电源转换器
半桥和全桥转换器
LLP- 10 (直径4 mm ×4mm)所
SOIC-8
2011德州仪器
301600
www.ti.com
SM74104
简化的框图
30160003
连接图
30160001
8引脚SOIC
见NS包装数M08A
30160002
10引脚LLP
见NS包装数SDC10A
www.ti.com
2
SM74104
订购信息
订购数量
SM74104SD
SM74104SDE
SM74104SDX
SM74104MA
SM74104MAE
SM74104 MAX
SOIC-8
S74104
M08A
LLP-10
S74104
SDC10A
套餐类型
包装标志
NSC封装
制图
供货方式
1000单位在磁带和卷轴
250件磁带&卷轴
4500件磁带&卷轴
95件铁
250件磁带&卷轴
2500件磁带&卷轴
引脚说明
SOIC - 8 LLP- 10
1
2
1
2
名字
V
DD
HB
描述
正栅极驱动电源
高侧栅极驱动器
引导轨
应用信息
本地去耦到V
SS
使用低ESR / ESL电容,尽量靠近
集成电路越好。
自举电容的正极端子连接到HB引脚和
负端连接到HS 。自举电容应放置
尽可能靠近集成电路越好。
3
4
5
3
4
7
HO
HS
RT
高侧栅极驱动器输出连接到高侧MOSFET短低电感的路径大门。
高边MOSFET的源极连接到引导高端电容负端和源
连接
MOSFET。
死区时间编程引脚的电阻RT地计划的高与低之间的死区时间
方transitions.The电阻应靠近IC ,以尽量减少
噪音来自邻近耦合的痕迹。
控制输入
返回地
逻辑1等于高侧和低侧关。逻辑0等于高端
关和低侧。
所有的信号都参考这个理由。
6
7
8
8
9
10
IN
V
SS
LO
低侧栅极驱动器输出连接到低压侧MOSFET的栅极与短低电感
路径。
注意: LLP -10封装,所以建议在SM74104的底部露出焊盘焊接到接地平面上的印刷电路板,并
接地平面应该从集成电路的下面伸出来帮助散热。引脚5和6没有任何联系。
3
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SM74104
绝对最大额定值
(注
1)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请联系销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
DD
到V
SS
V
HB
到V
HS
IN至V
SS
LO输出
HO输出
V
HS
到V
SS
V
HB
到V
SS
-0.3V至+ 18V
-0.3V至+ 18V
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
V
HS
- 0.3V至V
HB
+ 0.3V
-1V到+ 100V
118V
RT到V
SS
结温
存储温度范围
ESD额定值HBM (注
2)
-0.3V至5V
+150°C
-55 ° C至+ 150°C
2千伏
推荐工作
条件
V
DD
HS
HB
HS摆率
结温
+ 9V至+ 14V
-1V至100V
V
HS
+ 8V至V
HS
+ 14V
<50V/ns
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
符号
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
输入引脚
V
IL
V
IH
R
I
V
RT
I
RT
T
D1
T
D2
V
DDR
V
DDH
V
HBR
V
HBH
V
DL
V
DH
R
D
V
OLL
V
OHL
I
OHL
I
OLL
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到V
SS
目前,静态
HB到V
SS
目前,工作
参数
规格标准字体为T
J
= + 25°C ,和那些在
黑体字
适用于整个
工作结温范围内。
除非另有规定ED ,V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ,RT =
100kΩ的。无负载的LO或议员。
条件
李= HI = 0V
F = 500千赫
李= HI = 0V
F = 500千赫
V
HS
= V
HB
= 100V
F = 500千赫
0.8
100
2.7
RT = 0V
0.75
58
140
6.0
5.7
典型值
0.4
1.9
0.06
1.3
0.05
0.08
1.8
1.8
200
3
1.5
90
200
6.9
0.5
6.6
0.4
I
VDD -HB
= 100 A
I
VDD -HB
= 100毫安
I
VDD -HB
= 100毫安
I
LO
= 100毫安
I
LO
= -100毫安
V
OHL
= V
DD
– V
LO
V
LO
= 0V
V
LO
= 12V
0.60
0.85
0.8
0.25
0.35
1.6
1.8
0.9
1.1
1.5
0.4
0.55
7.1
2.2
500
3.3
2.25
130
270
7.4
最大
0.6
3
0.2
3
10
单位
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
V
k
V
mA
ns
ns
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
低电平输入电压阈值
高电平输入电压阈值
输入下拉电阻
额定电压在室温
RT引脚电流限制
延时定时器, RT = 10 kΩ的
延时定时器, RT = 100 kΩ的
V
DD
阈值上升
V
DD
阈值迟滞
HB上升阈值
HB阈值迟滞
低电流正向电压
大电流正向电压
动态电阻
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
时延CONTROLS
欠压保护
自举二极管
LO栅极驱动器
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4
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