【polyfet射频器件SM724概述硅VDMOS和LDMOS晶体管专宽带RF应用。适合Militry】,IC型号SM724,SM724 PDF资料,SM724经销商,ic,电子元器件-51电子网

polyfet射频器件

SM724

概述

硅VDMOS和LDMOS

晶体管专

宽带RF应用。

适合Militry收音机，

移动和寻呼放大器基地

站，广播FM / AM ， MRI ，

激光驱动器等。

"Polyfet"工艺特点

较低的反馈和输出电容

导致高F音

晶体管高

输入阻抗和高效率。

硅栅增强型

射频功率VDMOS晶体管

60.0瓦单端

包装样式AM

高效率，线性

高增益，低噪声

绝对最大额定值（T = 25℃ ）

总

设备

耗散

190瓦

结到

热病例

阻力

0.85 C / W

最大

连接点

温度

200 C

存储

温度

-65 ℃150℃

直流漏

当前

漏

门

电压

50 V

漏

来源

电压

50 V

大门

来源

电压

20 V

19.0 A

射频特性（

符号

全球定位系统

参数

共源功率增益

漏EF网络效率

负载不匹配公差

民

典型值

60.0瓦的输出）

最大

单位

20:1

测试条件

IDQ = 0.80 A， VDS =

12.5

V，F =

IDQ = 0.80 A， VDS =

12.5

V，F =

175

兆赫

175

兆赫

VSWR

相对IDQ = 0.80 A， VDS =

12.5

V，F =

175

兆赫

电气特性（每边）

符号

BVDSS

IDSS

IGSS

VGS

RDSON

Idsat

西塞

CRSS

科斯

参数

漏极耐压

零偏置漏电流

栅极漏电流

栅极偏置的漏电流

正向跨导

饱和电阻

饱和电流

共源输入电容

共源反馈电容

共源输出电容

5.2

0.20

38.00

180.0

14.0

220.0

民

4.0

典型值

最大

单位

姆欧

欧姆

AMP

测试条件

IDS = 80.00毫安， VGS = 0V

VDS = 12.5 V， VGS = 0V

VDS = 0V VGS = 30V

IDS = 0.40 ，V GS = VDS

VDS = 10V ， VGS = 5V

VGS = 20V ，IDS =

10.00 A

VGS = 20V ， VDS = 10V

VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的

polyfet射频器件

修订2001年9月25日

1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话：（ 805 ） 484-4210传真：（ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com

SM724

POUT VS PIN GRAPH

SM724 POUT VS PIN频率= 175MHz时，

VDS = 12.5V ， IDQ = .8A

PIN （瓦）

14.00

1000

电容VS电压

S1C 4芯电容

13.00

科斯

西塞

100

噘

12.00

11.00

效率= 75％

收益

10.00

CRSS

9.00

2.5

7.5

12.5

8.00

V·D S I V L T S

IV曲线

S1C 4 DIE四

ID为安培

vg=2v

Vg=4v

以伏VDS

Vg=6v

vg=8v

ID & GM VS VGS

S1C 4 DIE ID & GM VS VG

100.00

ID安培;通用汽车在姆欧

10.00

1.00

0.10

VGS的电压

寻ZOUT

IN吋包装尺寸

公差.XX +/- 0.01

.XXX +/- 。 005英寸

polyfet射频器件

修订2001年9月25日

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