SM72295光伏全桥驱动器
2011年2月25日
SM72295
光伏全桥驱动器
概述
该SM72295是专为驱动4离散N型
MOSFET的在全桥配置。该驱动器提供
3A峰值电流的快速高效的交换和整合
高速自举二极管。电流检测通过提供
2跨导放大器与外部编程
增益和滤波以去除纹波电流，以提供平均
当前信息给控制电路。电流检测
放大器具有缓冲的可用以提供一个低输出
阻抗接口到一个A / D转换器，如果需要。一个外部
应受可编程输入过电压比较器还
包括关闭所有输出。欠压锁定与
一个PGOOD指示器防止司机操作的话
VCC太低。
特点
■
■
■
■
■
■
可再生能源等级
双半桥MOSFET驱动器
集成的100V自举二极管
独立高和低驱动逻辑输入
自举电源电压范围达到115V DC
两个电流检测放大器，带有外部
可编程增益和输出缓冲
■
可编程过电压保护
■
电源轨欠压锁定与电源良好
指标
包
■
SOIC-28
典型应用电路
30134101
2011美国国家半导体公司
301341
www.national.com
SM72295
引脚说明
针
5
23
21,25
26,20
名字
AGND
保护地
VCCA ，
VCCB
HBA ，
HBB
HOA ，
HOB
HSA ，
HSB
描述
模拟地
功率地
正栅极驱动电源
高侧栅极驱动器引导
轨。
高侧栅极驱动器输出
高边MOSFET的源极
连接
应用信息
接地回路的模拟电路。在IC下配合到接地平面
接地回路的LO驱动器。在IC下配合到接地平面
本地去耦使用低ESR / ESL电容尽量靠近IC到PGND
成为可能。
自举电容器的正端连接到11B和负
终端HS 。自举电容应尽可能靠近IC的
可能。
连接到高边MOSFET栅极与短低电感的路径。
连接到自举电容器负极端子和高侧的源
MOSFET。
输入有TTL型阈值。未使用的输入应连接到地
并没有打开。
输入有TTL型阈值。未使用的输入应连接到地
并没有打开。
连接到低侧MOSFET的栅极与一个短的低电感路径。
旁路0.1uF的。参考过压关断和IOUT / IIN夹
开漏输出与内部上拉电阻连接到VDD表示VCC是
调节。 PGOOD低意味着VCC超出监管。
开漏输出与内部上拉电阻连接到VDD表示OVS >VDD 。
OVP为低电平时OVS>VDD 。
缓冲IOUT 。
IIN缓冲。
27, 19
28, 18
7, 8
6, 9
24, 22
17
10
15
11
4
1
2
3
HIA ， HIB高侧驱动器控制输入
LIA ， LIB
LOA ，
高球
VDD
低边驱动器控制输入
低侧栅极驱动器输出
3.3V或5V稳压输出
PGOOD电源良好指示器输出
OVP
布特
箱子
SIA
S0A
IIN
过电压指示器输出
缓冲IOUT
缓冲IIN
通过一个外部增益感高输入输入电流领带的电流检测电阻的积极的一面
感跨导放大器编程电阻（ RI ） 。放大器的跨导为1 / RI 。
通过一个外部增益感低输入输入电流领带的电流检测电阻的负端
感跨导放大器编程电阻。放大器的跨导为1 / RI 。
输出电流检测
跨导放大器器
输出的输入电流读出放大器组成。需要一个外部电阻来
地面（RL） 。增益是RL / RI ，其中RI为串联的外部电阻器与
SIA引脚。
14
13
12
SIB
S0B
IOUT
通过一个外部增益感的高输入输出电流领带的电流检测电阻的积极的一面
检测放大器
编程电阻（ RI ） 。放大器的跨导为1 / RI 。
通过一个外部增益感低的输入输出电流领带到电流检测电阻的负侧
检测放大器
编程电阻。放大器的跨导为1 / RI 。
输出电流检测
比较器。
检测输入过压
输出的输出电流检测放大器的。需要一个外部电阻来
地面（RL） 。增益是RL / RI ，其中RI为串联的外部电阻器与
SIB引脚。
需要一个外部电阻分压器。 VDD为基准电压。
16
OVS
3
www.national.com
SM72295
绝对最大额定值
（注
1)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
VCCA ， VCCB
VDD
HBA与HSA ， HBB到HSB
LIA ， LIB ， HIA ， HIB ， OVS
LOA ， LOB
110A，110B
SIA ， SOA ， SIB ， SOB
SIA到SOA ， SIB ，以SOB
HSA ， HSB （注5 ）
HBA ， HBB
PGOOD ， OVP
IIN，电流输出
-0.3 14V
-0.3至7V
-0.3 15V
-0.3至7V
-0.3 VCC + 0.3V
HS- 0.3至HB + 0.3V
-0.3 100V
-0.8至0.8V
-5 100V
115V
-0.3 VDD
-0.3 VDD
BIN ，布特
结温
存储Temperatue范围
ESD额定值
人体模型
-0.3 VDD
150°C
-55 ° C至+ 150°C
2千伏
推荐工作
条件
VCCA ， VCCB
VDD
SI ， SO共模
HS （注5 ）
HBA ， HBB
HS摆率
结温
+ 8V至+ 14V
+ 3V至7V
VDD + 1V到100V
-1V至100V
HS + 7V至HS + 14V
<50V/ns
-40°C至+ 125°C
电气特性
符号
I
DD
I
CC
I
CCO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
参数
VDD静态电流
VCC静态电流
（ ICCA +体外培育牛黄）
VCC工作电流
（ ICCA +体外培育牛黄）
HBA ， HBB静态电流
HBA ， HBB工作电流
HBA & HBB到V
SS
目前，
静
规格标准字体为T
J
= 25 ° C，而那些黑体字适用
在整个工作结温范围内。在LO &议员， VCC = 10V ， VDD = 5V ， HB -HS = 10V ， OVS = 0V ，除非无负载
另有说明。
条件
SIA = SOB ， SIB = SOB 。
所有输出关闭
LOA & LOB开关在200kHz
所有输出关闭
HOA & HOB开关在200kHz
HS = 100V ， HB = 110V
民
典型值
25
500
2.2
55
700
0.1
130
最大
40
800
3
200
1000
10
单位
μA
μA
mA
μA
μA
μA
μA
电源电流
HBA和HBB到V
SS
目前，
F = 200kHz的
操作
输出低RDS
VDD上拉电阻
输入电压阈值
输入电压滞后
李， HI下拉电阻
100
1.3
PGOOD ， OVB输出
V
OL
R
PU
V
IL
V
IHYS
R
I
25
50
1.8
50
200
400
VDD
+50mV
50
90
2.3
k
V
mV
k
李， HI输入引脚
过压关断
V
OVR
V
OVH
I
OVS
V
CCR
V
CCH
V
HBR
V
HBH
V
DH
R
D
OVS上升阈值
OVS阈值迟滞
OVS输入偏置电流
VCC上升阈值
VCC阈值迟滞
HB- HS上升阈值
HB- HS阈值迟滞
高电流正向电压I
VCC -HB
= 100毫安
动态电阻
I
VCC -HB
= 100毫安
4
VDD-50mV
VDD
5%
V
VDD
nA
OVS<VDD
6
5.7
1
6.9
0.5
6.6
0.4
0.8
1
1
1.65
7.1
7.4
欠压关断
V
V
V
V
V
自举二极管
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SM72295
符号
参数
条件
I
LO
= 100毫安
V
OL
= LO -地线或HO- HS
I
LO
= -100mA
V
OH
= VCC - LO或VCC- HO
HO ， LO = 12V
HO ， LO = 0V
民
典型值
最大
单位
LO &何栅极驱动器
V
OL
V
OH
I
OHL
I
OLL
t
LPHL
t
LPLH
t
HPHL
t
HPLH
t
MON
t
MOFF
t
RC
, t
FC
t
PW
t
BS
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
0.16
0.28
3
3
22
26
22
26
1
1
C
L
= 1000pF的
8
50
I
F
= 100毫安/ I
R
= 100毫安
37
0.4
0.6
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LO关断传播延迟LI下降到LO下降
LO开通传输延迟LI瑞星LO瑞星
何关断传播
延迟
延迟匹配： LO的& HO
关闭
延迟匹配：劳关&何
on
无论是输出上升/下降时间
最小输入脉冲宽度
改变输出
自举二极管导通开或
打开-O FF时间
HI落何落
LO开通传输延迟HI瑞星瑞星HO
电流检测放大器
V
OS
失调电压
R
SI
= R
SO
= 500 ， 10mV的感觉
电阻上的电压
-2
2
mV
增益进行编程
5mV的检测电阻电压
增益为5mV外部电阻
R
SI
= R
SO
= 1000, R
L
= 75K
IOUT ， IIN = （ RL / RSI ） * （ SI- SO ）
收益
50mV
VCLAMP
增益进行编程
50mV的检测电阻上的电压
外部电阻
R
SI
= R
SO
= 1000, R
L
= 75K
IOUT ， IIN = （ RL / RSI ） * （ SI- SO ）
输出钳位
0.1V检测电阻电压
R
SI
= R
SO
= 1000, R
L
= 75K
390
mV
3.85
V
VDD
V
电流检测缓冲区
失调电压（ BIN - IIN ）
（ BOUT - IOUT ）
IIN = 2.5V
-60
0
VDD-100mV
VDD-30mV
60
60
50
VDD
mV
mV
mV
° C / W
输出低电压回合， BIN IIN ， IOUT = 0
输出高电压回合， BIN IIN ， IOUT = VDD
热阻
θ
JA
结到环境
SOIC -28 （注
3)
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置的有保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件下，
请参阅电气特性表。
注2 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。 2千伏除了HB ，何& HS的所有引脚的额定
在1000V 。
注3 ：
采用JEDEC JESD51热板2层电路板用2盎司铜。
注4 ：
最小和最大限制是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计数据得以保证
质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注5 ：
在应用程序的协节点通过外部低位的N -MOSFET的体二极管钳位，因此在HS节点一般不超过-1V 。
然而，在一些应用中，电路板的电阻和电感，可能会导致在HS节点超过该规定的电压瞬时。如果出现负瞬变，
房协电压不得高于VCC - 15V负。例如，如果VCC = 10V ，在HS负的瞬态电流不得超过-5V 。
5
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